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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第636页 > BSS7728N
修订版2.0
BSS7728N
SIPMOS
小信号三极管
特征
N沟道
增强型
逻辑电平
dv / dt的额定
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
60
5
0.2
SOT-23
漏
3脚
门
pin1
来源
销2
V
A
TYPE
包
订购代码
Q67042-S4189
磁带和卷轴信息
E6327 ： 3000个/卷
记号
SSK
BSS7728N SOT- 23
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
I
D
价值
0.2
0.16
单位
A
漏电流脉冲
T
A
=25°C
I
PULS
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
0.8
6
±20
0.36
-55... +150
55/150/56
KV / μs的
V
W
°C
反向二极管的dv / dt
I
S
=0.2A,
V
DS
= 48V ，的di / dt = 200A / μs的，
T
JMAX
=150°C
门源电压
功耗
T
A
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
第1页
2003-06-06
修订版2.0
热特性
参数
特征
热阻，结 - 环境
以最小的足迹
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0,
I
D
=250A
BSS7728N
符号
分钟。
R
thJA
-
值
典型值。
-
马克斯。
350
单位
K / W
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
60
1.3
值
典型值。
-
1.9
马克斯。
-
2.3
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=26A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=60V,
V
GS
=0,
T
j
=25°C
V
DS
=60V,
V
GS
=0,
T
j
=150°C
A
-
-
1
4.3
2.7
0.1
5
10
7.5
5
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,
I
D
=0.05A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=0.5A
第2页
2003-06-06
修订版2.0
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流， pulsedI
SM
逆二极管正向电压
V
SD
反向恢复时间
反向恢复电荷
t
rr
Q
rr
V
GS
=0,
I
F
=I
S
V
R
=30V,
I
F =
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
BSS7728N
符号
条件
分钟。
值
典型值。
0.2
37
7.3
2.9
2.7
2.7
6.1
9
马克斯。
-
56
11
4.4
4
4.1
9.1
13
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=0.16A
V
GS
=0,
V
DS
=25V,
f=1MHz
0.1
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
V
DD
=30V,
V
GS
=10V,
I
D
=0.2A,
R
G
=6
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=48V,
I
D
=0.2A
-
-
-
-
0.12
0.43
1
3.8
0.18
0.65
1.5
-
nC
V
DD
=48V,
I
D
=0.2A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=48V,
I
D
= 0.2 A
V
I
S
T
A
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
0.84
11.5
2.6
0.2
0.8
1.2
17.5
4
A
V
ns
nC
第3页
2003-06-06
修订版2.0
1功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
0.38
BSS7728N
BSS7728N
2漏极电流
I
D
=
f
(T
A
)
参数：
V
GS
≥
10 V
0.22
BSS7728N
W
0.32
0.28
A
0.18
0.16
P
合计
I
D
20
40
60
80
100
120
0.24
0.2
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.12
0.06
0.08
0.04
0
0
0.04
0.02
°C
160
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
A
= 25 °C
10
1
BSS7728N
4瞬态热阻抗
Z
thJA
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
3
BSS7728N
A
K / W
10
2
10
0
t
= 33.0s
p
/
I
D
=
V
I
D
DS
Z
thJA
100 s
10
-1
R
)
（上
DS
1毫秒
10
1
10毫秒
D = 0.50
10
0
0.20
0.10
10
-2
0.05
DC
10
-1
单脉冲
0.02
0.01
10
-3
10
0
10
1
V
10
2
10
-2 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
第4页
t
p
2003-06-06
修订版2.0
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
)
参数：
T
j
= 25 °C,
V
GS
0.8
BSS7728N
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
T
j
= 25 °C,
V
GS
10
10V
7V
6V
5V
0.6
4.5V
4.1V
3.7V
0.5
3.5V
3.1V
A
8
7
6
5
4
3
3.1V
3.5V
3.7V
4.1V
4.5V
5V
6V
7V
10V
0.4
0.3
0.2
2
0.1
1
0
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
RDS （ ON）
ID
5
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
A
0.8
VDS
ID
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
= 25 °C
0.8
A
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
)
参数：
T
j
= 25 °C
0.4
S
0.32
0.6
0.28
0.5
政府飞行服务队
V
ID
0.24
0.2
0.16
0.12
0.4
0.3
0.2
0.08
0.1
0.04
0
0
0
0
1
2
3
4
6
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
A
0.8
VGS
第5页
ID
2003-06-06
SMD型
产品speci fi cation
BSS7728N
SIPMOS
小信号三极管
特征
N沟道
增强型
逻辑电平
dv / dt的额定
漏
3脚
门
pin1
来源
销2
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
60
5
0.2
SOT-23
V
A
TYPE
包
订购代码
Q67042-S4189
磁带和卷轴信息
E6327 ： 3000个/卷
记号
SSK
BSS7728N SOT- 23
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
I
D
价值
0.2
0.16
单位
A
漏电流脉冲
T
A
=25°C
I
PULS
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
0.8
6
±20
0.36
-55... +150
55/150/56
KV / μs的
V
W
°C
反向二极管的dv / dt
I
S
=0.2A,
V
DS
= 48V ，的di / dt = 200A / μs的，
T
JMAX
=150°C
门源电压
功耗
T
A
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1第3
SMD型
产品speci fi cation
BSS7728N
热特性
参数
特征
热阻，结 - 环境
以最小的足迹
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0,
I
D
=250A
符号
分钟。
R
thJA
-
值
典型值。
-
马克斯。
350
单位
K / W
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
60
1.3
值
典型值。
-
1.9
马克斯。
-
2.3
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=26A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=60V,
V
GS
=0,
T
j
=25°C
V
DS
=60V,
V
GS
=0,
T
j
=150°C
A
-
-
1
4.3
2.7
0.1
5
10
7.5
5
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,
I
D
=0.05A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=0.5A
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 3
SMD型
产品speci fi cation
BSS7728N
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流， pulsedI
SM
逆二极管正向电压
V
SD
反向恢复时间
反向恢复电荷
t
rr
Q
rr
V
GS
=0,
I
F
=I
S
V
R
=30V,
I
F =
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
符号
条件
分钟。
值
典型值。
0.2
37
7.3
2.9
2.7
2.7
6.1
9
马克斯。
-
56
11
4.4
4
4.1
9.1
13
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=0.16A
V
GS
=0,
V
DS
=25V,
f=1MHz
0.1
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
V
DD
=30V,
V
GS
=10V,
I
D
=0.2A,
R
G
=6
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=48V,
I
D
=0.2A
-
-
-
-
0.12
0.43
1
3.8
0.18
0.65
1.5
-
nC
V
DD
=48V,
I
D
=0.2A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=48V,
I
D
= 0.2 A
V
I
S
T
A
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
0.84
11.5
2.6
0.2
0.8
1.2
17.5
4
A
V
ns
nC
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
3 3
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BTB06-400C
B41231A4399M000
BC516
B32652A4474K289
B43303A6336M000
BCN4D18J7
B932
BS616LV8016DCG55
B41866C7277M000
BAR63-04
B43254B4397M000
BH3857
BUZ360
B43501A5686M000
BZX85C18G
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BSS7728N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
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电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
BSS7728N
Infineon(英飞凌)
22+
23500
原装原厂公司现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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BSS7728N
Infineon Technologies
2414+
32210
SOT-23-3
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
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联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
BSS7728N
INFINEON
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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联系人：陈先生
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24+
5000
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
原装正品现货
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电话：0755-22929859
联系人：朱先生
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26820
PG-SOT23-3
【原装优势★★★绝对有货】
深圳市鑫远鹏科技有限公司
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2018+
125880
SOT23-3
全新原装15818663367
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10000
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原厂一级代理，原装现货
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23000
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一级代理专营，原装现货，价格优势
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联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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INFINEON/英飞凌
24+
8640
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VB
25+23+
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