飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN宽带差分晶体管
特点
小型
高功率增益在低的偏置电流和电压
温度匹配
均衡配置
h
FE
MATCHED
继续在V操作
CE
< 1 V.
应用
单平衡混频器
平衡放大器
平衡的振荡器。
描述
发射器表面加上双NPN硅射频晶体管
坐骑， 5引脚SOT353 （ S-迷你）封装。晶体管是
主要用于在所述RF前端的应用程序
平衡混频器，差分放大器中的模拟和数字
蜂窝电话，并在无绳电话，寻呼机和
卫星电视信号接收器。
快速参考数据
符号
参数
条件
分钟。
60
典型值。
4
顶视图
5
e
手册， halfpage
BFE505
钉扎 - SOT353B
符号
b
1
e
b
2
c
2
c
1
针
1
2
3
4
5
基地1
辐射源
基地2
器2
集热器1
描述
3
2
1
c1
b1
c2
b2
MAM211
Fig.1简化外形和符号。
马克斯。
单位
任何单个晶体管
C
re
味精/ G
最大
F
反馈电容C
BC
最大功率增益
噪音科幻gure
I
e
= 0; V
CB
= 3 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V ; F = 900兆赫
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V ; F = 2 GHz的
I
C
= 2毫安; V
CE
= 3 V ; F = 900 MHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
I
C
= 3毫安; V
CE
= 3 V ; F = 2 GHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
h
FE
R
第j个-S
直流电流增益
从热阻
交界处的焊接点
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V
单个装
双装
0.25
17
10
1.2
1.9
120
0.3
1.7
2.1
250
230
115
K / W
K / W
pF
dB
dB
dB
dB
1996年10月8日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN宽带差分晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
I
C
= 2.5
A;
I
E
= 0
I
E
= 2.5
A;
I
C
= 0
I
E
= 0; V
CB
= 6 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V
I
C1
= I
C2
= 5毫安;
V
CE1
= V
CE2
= 6 V
I
E1
= I
E2
= 10毫安;牛逼
AMB
= 25
°C
分钟。
典型值。
120
BFE505
马克斯。
50
250
单位
任何单个晶体管直流特性
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
h
FE
V
BEO
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极漏电流
直流电流增益
20
8
2.5
60
V
V
V
nA
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 10
A;
I
B
= 0
双晶体管的直流特性
最高和最低的DC的比
电流增益
最高差之间
最低基极 - 发射极电压
（偏置电压）
1
0
1.2
1
mV
任何单个晶体管的交流特性
f
T
C
c
C
re
味精/ G
最大
跃迁频率
集电极电容
反馈电容
最大功率增益;注1
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V ; F = 1 GHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 3 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CB
= 3 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
s
21
F
2
9
0.3
0.25
17
10
13
1.2
1.9
1.7
2.1
GHz的
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
插入功率增益
噪音科幻gure
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 2毫安; V
CE
= 3 V;
F = 900 MHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
I
C
= 3毫安; V
CE
= 3 V;
F = 2 GHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
记
差动放大器1的最大增益是因为内部发射极连接（见图2）的高。
1996年10月8日
4
QQ：2881677436 复制
