商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP达林顿晶体管
特点
大电流（最大500 mA）的
低电压（最大30 V）的
非常高的DC电流增益（最小值30000） 。
应用
凡很高的放大是必需的。
手册， halfpage
BC516
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
描述
PNP达林顿晶体管采用TO -92 ; SOT54塑料
封装。 NPN补充： BC517 。
1
2
3
TR1
TR2
1
MAM303
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
V
BE
= 0
集电极开路
条件
发射极开路
65
65
分钟。
马克斯。
40
30
10
500
800
100
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年04月23
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP达林顿晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC516
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月23
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP达林顿晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BC516
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月23
5
BC516
PNP硅达林顿晶体管
集热器
BASE
辐射源
1.收藏家2.基地3.发射
TO- 92塑料包装
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
CM
P
合计
T
j
T
S
价值
40
30
10
500
800
500
150
- 55至+ 150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 2 V ， -I
C
= 20毫安
集电极基截止电流
在-V
CB
= 30 V
发射基地截止电流
在-V
EB
= 10 V
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 100 A
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 1毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 10 A
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 100毫安， -I
B
- 0.1毫安
基极发射极饱和电压
在-I
C
= 100毫安， -I
B
- 0.1毫安
基极发射极电压
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10毫安
跃迁频率
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10毫安
符号
h
FE
-I
CBO
-I
EBO
-V
（ BR ） CBO
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） EBO
-V
CE （ SAT ）
-V
BE （ SAT ）
-V
BE（上）
f
T
分钟。
30000
-
-
40
30
10
-
-
-
125
马克斯。
-
100
100
-
-
-
1
1.5
1.4
-
单位
-
nA
nA
V
V
V
V
V
V
兆赫
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 2008年7月1日
QQ：2881677436 复制
