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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第237页 > BSS138LT1G
BSS138LT1
首选设备
功率MOSFET
200毫安， 50 V
N沟道SOT- 23
典型的应用是DC-DC转换器，电源管理
便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，
PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
低阈值电压（V
GS （ TH）
： 0.5 V - 1.5 V）使得它非常适合
低电压应用
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
200毫安， 50 V
R
DS （ ON）
= 3.5
W
N沟道
3
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度
范围
热电阻 - 结到环境
最大无铅焊接温度的
的目的，对10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
L
价值
50
±
20
200
800
225
- 55
150
556
260
mW
°C
° C / W
°C
J1
M
=器件代码
=日期代码
1
单位
VDC
VDC
mA
1
2
3
2
SOT23
CASE 318
21风格
标记图&引脚分配
3
漏
J1M
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
2
门
来源
订购信息
设备
BSS138LT1
BSS138LT1G
BSS138LT3
BSS138LT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 第3版
出版订单号：
BSS138LT1/D
BSS138LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流（V
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注1 ）
门源阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 MADC ）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 2.75伏，我
D
< 200 MADC ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 200 MADC ）
正向跨导
(V
DS
= 25伏直流，我
D
= 200 MADC ， F = 1.0千赫）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
(V
DG
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
40
12
3.5
50
25
5.0
pF
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
g
fs
100
5.6
10
3.5
毫姆欧
0.5
1.5
VDC
欧
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
0.1
0.5
±0.1
MADC
50
VDC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
关断延迟时间
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 0.2 ADC ， ）
VDC
0 2 ADC ）
t
D（上）
t
D（关闭）
20
20
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
http://onsemi.com
2
BSS138LT1
典型电气特性
0.8
0.7
I D ，漏极电流（ AMPS ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.9
0.8
I D ，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 3.25 V
V
GS
= 3.0 V
V
GS
= 2.75 V
V
GS
= 2.5 V
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
T
J
= 25°C
V
GS
= 3.5 V
V
DS
= 10 V
55°C
25°C
150°C
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
55
5
45
95
145
0.75
55
30
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.5 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.8 A
1.25
图2.传输特性
RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
I
D
= 1.0毫安
VGS （ TH） ，方差（伏）
1.125
1
0.875
5
20
45
70
95
120
145
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图3.导通电阻变化与
温度
VGS ，栅极至源极电压（伏）
10
8
6
4
I
D
= 200毫安
2
0
V
DS
= 40 V
T
J
= 25°C
图4.阈值电压变化
随温度
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Q
T
，总栅极电荷（ PC）
图5.栅极电荷
http://onsemi.com
3
BSS138LT1
典型电气特性
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
55°C
25°C
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.05
0.1
0.15
0.2
25°C
55°C
0.25
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2.75 V
150°C
150°C
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图6.导通电阻与漏电流
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
55°C
25°C
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
图7.导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
150°C
V
GS
= 10 V
150°C
25°C
55°C
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图8.导通电阻与漏电流
图9.导通电阻与漏电流
1
I D ，二极管电流（安培）
120
100
0.1
T
J
= 150°C
25°C
55°C
80
60
0.01
C
国际空间站
40
20
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
25
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
V
SD
，二极管的正向电压（伏）
图10.体二极管正向电压
图11.电容
http://onsemi.com
4
BSS138LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
B·S
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
V
G
C
D
H
K
J
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
BSS138LT1
首选设备
功率MOSFET
200毫安， 50 V
N沟道SOT- 23
典型的应用是DC-DC转换器，电源管理
便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，
PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。
特点
http://onsemi.com
低阈值电压（V
GS （ TH）
： 0.5 V - 1.5 V）使得它非常适合
低电压应用
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
无铅包可用
1
200毫安， 50 V
R
DS （ ON）
= 3.5
W
N沟道
3
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度
范围
热阻，
结到环境
铅的最大温度
焊接目的，持续10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
L
价值
50
±
20
200
800
225
- 55 150
556
260
mW
°C
° C / W
°C
单位
VDC
VDC
mA
1
2
3
2
记号
图
SOT23
CASE 318
21风格
J1 M
G
G
1
J1
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
订购信息
设备
BSS138LT1
BSS138LT1G
BSS138LT3
BSS138LT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年10月 - 第4版
出版订单号：
BSS138LT1/D
BSS138LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流（V
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注1 ）
门源阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 MADC ）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 2.75伏，我
D
< 200 MADC ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 200 MADC ）
正向跨导
(V
DS
= 25伏直流，我
D
= 200 MADC ， F = 1.0千赫）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
(V
DG
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
40
12
3.5
50
25
5.0
pF
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
g
fs
100
5.6
10
3.5
毫姆欧
0.5
1.5
VDC
W
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
0.1
0.5
±0.1
MADC
50
VDC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
关断延迟时间
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 0.2 ADC ， ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
t
D（上）
t
D（关闭）
20
20
ns
http://onsemi.com
2
BSS138LT1
典型电气特性
0.8
0.7
I D ，漏极电流（ AMPS ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.9
0.8
I D ，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 3.25 V
V
GS
= 3.0 V
V
GS
= 2.75 V
V
GS
= 2.5 V
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
T
J
= 25°C
V
GS
= 3.5 V
V
DS
= 10 V
55°C
25°C
150°C
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
55
5
45
95
145
0.75
55
30
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.5 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.8 A
1.25
图2.传输特性
RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
I
D
= 1.0毫安
VGS （ TH） ，方差（伏）
1.125
1
0.875
5
20
45
70
95
120
145
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图3.导通电阻变化与
温度
VGS ，栅极至源极电压（伏）
10
8
6
4
I
D
= 200毫安
2
0
V
DS
= 40 V
T
J
= 25°C
图4.阈值电压变化
随温度
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Q
T
，总栅极电荷（ PC）
图5.栅极电荷
http://onsemi.com
3
BSS138LT1
典型电气特性
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
55°C
25°C
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.05
0.1
0.15
0.2
25°C
55°C
0.25
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2.75 V
150°C
150°C
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图6.导通电阻与漏电流
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
55°C
25°C
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
图7.导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
150°C
V
GS
= 10 V
150°C
25°C
55°C
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图8.导通电阻与漏电流
图9.导通电阻与漏电流
1
I D ，二极管电流（安培）
120
100
0.1
T
J
= 150°C
25°C
55°C
80
60
0.01
C
国际空间站
40
20
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
25
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
V
SD
，二极管的正向电压（伏）
图10.体二极管正向电压
图11.电容
http://onsemi.com
4
BSS138LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，
新标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
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为了文学：
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有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
5
BSS138LT1/D
BSS138LT1
首选设备
功率MOSFET
200毫安， 50 V
N沟道SOT- 23
典型的应用是DC-DC转换器，电源管理
便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，
PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。
特点
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低阈值电压（V
GS （ TH）
： 0.5 V - 1.5 V）使得它非常适合
低电压应用
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
无铅包可用
200毫安， 50 V
R
DS （ ON）
= 3.5
W
N沟道
3
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
漏电流
连续@ T
A
= 25°C
漏电流脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度
范围
热阻，
结到环境
铅的最大温度
焊接目的，持续10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
50
±
20
200
800
225
55 150
556
260
mW
°C
° C / W
°C
单位
VDC
VDC
mA
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
L
1
2
3
2
记号
图
SOT23
CASE 318
21风格
J1 M
G
G
1
J1
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
BSS138LT1
BSS138LT1G
BSS138LT3
BSS138LT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年2月
启5
1
出版订单号：
BSS138LT1/D
BSS138LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流（V
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注1 ）
门源阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 MADC ）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 2.75伏，我
D
< 200 MADC ，T
A
=
40°C
至+ 85°C ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 200 MADC ）
正向跨导
(V
DS
= 25伏直流，我
D
= 200 MADC ， F = 1.0千赫）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
导通延迟时间
关断延迟时间
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
(V
DG
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
40
12
3.5
50
25
5.0
20
20
ns
pF
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
0.5
1.5
VDC
W
V
（ BR ） DSS
I
DSS
50
VDC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
0.1
0.5
±0.1
I
GSS
MADC
100
5.6
10
3.5
g
fs
毫姆欧
开关特性
（注2 ）
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 0.2 ADC ， ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
http://onsemi.com
2
BSS138LT1
典型电气特性
0.8
T
J
= 25°C
0.7
I D ，漏极电流（ AMPS ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
= 3.25 V
V
GS
= 3.0 V
V
GS
= 2.75 V
V
GS
= 2.5 V
I D ，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 3.5 V
0.9
0.8
0.7
150°C
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
DS
= 10 V
- 55°C
25°C
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
- 55
-5
45
95
145
0.75
- 55
-30
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.5 A
VGS （ TH） ，方差（伏）
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.8 A
1.125
1.25
图2.传输特性
RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
I
D
= 1.0毫安
1
0.875
-5
20
45
70
95
120
145
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图3.导通电阻变化与
温度
VGS ，栅极至源极电压（伏）
10
I
DSS
，漏 - 源极漏（A ）
V
DS
= 40 V
T
J
= 25°C
8
1.0E-5
图4.阈值电压变化
随温度
1.0E-6
150°C
6
1.0E-7
125°C
4
I
D
= 200毫安
2
1.0E-8
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Q
T
，总栅极电荷（ PC）
1.0E-9
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.栅极电荷
图6. IDSS
http://onsemi.com
3
BSS138LT1
典型电气特性
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
10
9
8
150°C
7
6
5
4
3
2
1
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
-55°C
25°C
V
GS
= 2.5 V
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
8
V
GS
= 2.75 V
7
6
5
4
3
2
1
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
25°C
150°C
-55°C
图7.导通电阻与漏电流
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
-55°C
25°C
V
GS
= 4.5 V
150°C
4.5
图8.导通电阻与漏电流
V
GS
= 10 V
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
150°C
25°C
-55°C
0.4
0.45
0.5
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图9.导通电阻与漏电流
图10.导通电阻与漏
当前
120
100
1
I D ，二极管电流（安培）
0.1
T
J
= 150°C
25°C
-55°C
80
60
C
国际空间站
0.01
40
20
C
OSS
C
RSS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
5
10
15
20
25
V
SD
，二极管的正向电压（伏）
0.001
图11.体二极管正向电压
图12.电容
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4
BSS138LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
和
09
过时了，
新标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
D
SEE视图C
3
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
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安森美半导体
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是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
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BSS138LT1/D
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推荐型号
BH91331J
BD15KA5F
BA-15R15UD
BS62LV8001ECP55
BD4843G
B37940K5010B570
BAS1603WQ62702A1231
B65945-A-X22
B72542V1300K062
B65945AX22
BFP490
BAW78A-BAW79D
B57236S0500M000
BUS-61569-320
B41858C7228M000
BZW06-70
BZT55B75
BLM21AG331SN1J
BD6370GUL
B43540B2108M060
供货商
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数量
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BSS138LT1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
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电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
BSS138LT1G
NXP(恩智浦)
22+
20413
原装原厂公司现货
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BSS138LT1G
ON
24+
12000
SOT23
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BSS138LT1G
ON/安森美
2418+
4500
SOT-23
正规报关原装现货系列订货技术支持
深圳市向鸿伟业电子有限公司
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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