【BAS 16-03W硅开关二极管初步数据对于高速开关应用21VPS05176TYPEBAS 16-0】,IC型号BAS1603WQ62702A1231,BAS1603WQ62702A1231 PDF资料,BAS1603WQ62702A1231经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BAS 16-03W

硅开关二极管

初步数据

对于高速开关应用

2

1

VPS05176

TYPE

BAS 16-03W

记号

B

订购代码

Q62702-A1231

引脚配置

1=A

2=C

包

SOD-323

最大额定值

参数

二极管的反向电压

峰值反向电压

正向电流

正向电流浪涌， T = 1

s

总功耗，

T

S

= 111 °C

结温

储存温度

符号

价值

75

85

250

4.5

250

150

- 65 ...+150

mA

A

mW

°C

单位

V

V

R

V

RM

I

F

I

FS

P

合计

T

j

T

英镑

热阻

结 - 环境

1)

R

thJA

R

thjs

≤

235

≤

155

K / W

结 - 焊接点

1 ）包装安装在氧化铝仅为15mm× 16.7毫米X 0.7毫米

半导体集团

半导体集团

1

1

Mar-13-1998

1998-11-01

BAS 16-03W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

DC特性

击穿电压

典型值。

-

马克斯。

-

单位

V

（ BR ）

V

F

75

V

mV

I

（ BR ）

= 100 A

正向电压

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 50毫安

I

F

= 150毫安

反向电流

-

-

-

-

-

-

-

-

-

715

855

1000

1250

1

A

I

R

I

R

-

V

R

= 70 V

反向电流

V

R

= 25 V,

T

A

= 150 °C

V

R

= 75 V,

T

A

= 150 °C

正向恢复电压

-

-

-

-

-

30

50

1.75

V

V

fr

-

I

F

= 10毫安，

t

p

= 20 ns的

AC特性

二极管电容

C

D

t

rr

-

-

-

-

2

6

pF

ns

V

R

= 0 V,

f

= 20 MHz的

反向恢复时间

I

F

= 10毫安，

I

R

= 10毫安，

R

L

= 100

,

在测

I

R

= 1毫安

反向恢复时间测试电路

D.U.T.

Ι

F

示波器

EHN00017

脉冲发生器：

t

p

= 100ns的，

D

= 0.05,

t

r

= 0.6ns ，

R

i

= 50

示波器：

R

= 50,

t

r

= 0.35ns ，

C

≤

1pF

半导体集团

半导体集团

2

2

Mar-13-1998

1998-11-01

BAS 16-03W

正向电流

I

F

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

反向电流

I

R

=

f

(T

A

)

300

BAS 16

EHB00021

BAS 16

EHB00022

Ι

F

mA

Ι

R

10

nA

5

V

R

= 70 V

10

4

200

5

马克斯。

70 V

10

3

T

A

100

T

S

5

25 V

10

5

2

典型值。

0

0

50

100

C

150

10

1

0

50

100

C

T

A

150

T

A

;

T

S

正向电流

I

F

=

F V

F

)

最大正向电流

I

FM

=

f

(

t

)

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

10

2

BAS 16

EHB00024

150

BAS 16

EHB00023

Ι

F

mA

Ι

FM

A

10

1

D

= 0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

100

典型值

最大

10

0

50

10

-1

t

p

D=

0

0

0.5

1.0

V

1.5

t

p

T

10

-3

10

-2

10

-6

T

10

-2

10

-1

s 10

0

t

10

-5

10

-4

V

F

半导体集团

半导体集团

3

3

Mar-13-1998

1998-11-01

BAS 16-03W

正向电压

V

F

=

f

(T

A

)

1.0

BAS 16

EHB00025

V

F

V

Ι

F

= 100毫安

10毫安

1毫安

0.1毫安

0.5

0

0

50

100

C

T

A

150

半导体集团

半导体集团

4

4

Mar-13-1998

1998-11-01

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