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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第410页 > BSP77
智能低侧功率开关
HITFET BSP 77
特点
·
逻辑电平输入
·
输入保护( ESD )
·
带有热关断
自动重启
绿色产品(符合RoHS)
·
过载保护
·
短路保护
·
过压保护
·
电流限制
·
模拟驾驶可能
产品概述
漏源电压
导通状态电阻
额定负载电流
钳位能源
V
DS
R
DS ( ON)
I
D( NOM )
E
AS
4
42
100
2.17
250
V
mW
A
mJ
3
2
1
VPS05163
应用
·
各类阻性,感性和容性负载开关
或线性应用
·
12 V DC应用μC兼容的电源开关
·
替代机电继电器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET在智能SIPMOS
技术。通过嵌入式充分保护
保护功能。
V
bb
M
HITFET
当前
局限性
In
销1
引脚2和4( TAB )
Overvoltage-
保护
栅极驱动
单位
OVER-
温度
保护
ESD
超载
保护
短路
保护
3脚
来源
完整的产品系列和其他信息http://www.infineon.com/hitfet
数据表
1
修订版1.3 , 2008-04-14
智能低侧功率开关
HITFET BSP 77
最大额定值AT&T
j
= 25℃ ,除非另有说明
符号
参数
漏源电压
电源电压为充分短路保护
连续输入电压
1)
连续输入电流
2)
-0.2V
V
IN
10V
V
IN
< -0.2V或
V
IN
> 10V
工作温度
储存温度
功耗
5)
T
C
= 85 °C
松开单脉冲电感能量
2)
负载突降保护
V
LoadDump2)3)
=
V
A
+
V
S
V
IN
= 0和10 V吨
d
= 400毫秒,
R
I
= 2
W,
R
L
= 6
W,
V
A
= 13.5 V
静电放电
电压
2)
(人体模型)
V
ESD
根据JEDEC规范
EIA / JESD22 - A114 -B ,第4节
E
AS
V
LD
T
j
T
英镑
P
合计
V
DS
V
BB ( SC )
V
IN
I
IN
价值
42
42
-0.2
2)
... +10
单位
V
mA
自我限制
|
I
IN
|
2
-40 ...+150
-55 ... +150
3.8
250
50
W
mJ
V
°C
2
kV
热阻
结 - 环境:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
4)
结焊接点:
1对于输入电压超过这些限制我不得不受到限制。
IN
2not产品出厂测试,设计规定
3
V
Loaddump是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
4设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米( 1层, 70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB安装不垂直吹出的空气。
5not产品出厂测试,由R计算
thJA和RDS(ON)
R
thJA
125
72
R
thjs
17
K / W
K / W
数据表
2
修订版1.3 , 2008-04-14
智能低侧功率开关
HITFET BSP 77
电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
特征
漏源电压钳
T
j
= - 40 ...+ 150 °C,
I
D
= 10毫安
断态漏电流
T
J
= -40...+85 °C,
V
DS
= 32 V,
V
IN
= 0 V
T
j
= 150 °C
输入阈值电压
I
D
= 0.6毫安,
T
j
= 25 °C
I
D
= 0.6毫安,
T
j
= 150 °C
在状态输入电流
导通状态电阻
V
IN
= 5 V,
I
D
= 2.17 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 5 V,
I
D
= 2.17 A,
T
j
= 150 °C
导通状态电阻
V
IN
= 10 V,
I
D
= 2.17 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 10 V,
I
D
= 2.17 A,
T
j
= 150 °C
额定负载电流
5)
V
DS
= 0.5 V,
T
j
< 150℃,
V
IN
= 10 V,
T
A
= 85 °C
电流限制(如果活跃
V
DS
>2.5 V)
1)
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 12 V,
t
m
= 200 s
1设备接通到现有的短路(见图确定我
D( LIM ) ) 。如果该设备是在上conditi
和发生短路时,这些值可能会被超过的最大值。 50微秒。
5not产品出厂测试,由R计算
thJA和RDS(ON)
符号
分钟。
V
DS ( AZ )
I
DSS
-
-
V
IN(日)
1.3
0.8
I
IN(上)
R
DS ( ON)
-
-
R
DS ( ON)
-
-
I
D( NOM )
I
D( LIM )
2.17
10
-
42
典型值。
-
马克斯。
55
单位
V
A
1.5
4
1.7
-
10
90
160
70
130
2.8
15
8
12
V
2.2
-
30
120
240
100
200
-
20
A
A
mW
数据表
3
修订版1.3 , 2008-04-14
智能低侧功率开关
HITFET BSP 77
电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
动态特性
V
IN
到90%
I
D
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏,
V
bb
= 12 V
打开-O FF时间
V
IN
至10%
I
D
:
开启时间
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V,
V
bb
= 12 V
上压摆率
70至50%
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏,
V
bb
= 12 V
压摆率关闭
50 %至70%
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V,
V
bb
= 12 V
保护功能
1)
热过载跳闸温度
热滞
2)
输入电流保护模式
T
j
= 150 °C
松开单脉冲电感能量
2)
I
D
= 2.17 A,
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12 V
E
AS
250
-
-
mJ
T
jt
DT
jt
I
IN(普罗特)
150
-
-
175
10
100
-
-
300
°C
K
A
t
on
t
关闭
-dV
DS
/ DT
on
dV
DS
/ DT
关闭
-
-
-
-
40
70
0.4
0.6
100
100
1.5
1.5
V / μs的
s
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管
逆二极管正向电压
I
F
= 10.9 A,
t
m
= 250 s,
V
IN
= 0 V,
t
P
= 300 s
1Integrated保护功能,旨在防止在故障情况下破坏IC
在数据手册中描述。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。
保护功能不被设计为连续的重复操作。
2not产品出厂测试,设计规定
V
SD
-
1
1.5
V
数据表
4
修订版1.3 , 2008-04-14
智能低侧功率开关
HITFET BSP 77
框图
条款
感性和过压
输出钳位
RL
V
1
IN
HITFET
S
VIN
3
2
D
ID
VDS
VBB
Z
D
S
HITFET
输入电路( ESD保护)
短路行为
栅极驱动器
输入
V
IN
来源/
I
IN
I
D
S
T
j
数据表
5
修订版1.3 , 2008-04-14
HITFET
II.Generation BSP 77
智能低压侧电源开关
特点
·
逻辑电平输入
·
输入保护( ESD )
·
带有热关断
自动重启
·
过载保护
·
短路保护
·
过压保护
·
电流限制
·
模拟驾驶可能
1
3
2
VPS05163
产品概述
漏源电压
导通状态电阻
额定负载电流
钳位能源
V
DS
R
DS ( ON)
I
D( NOM )
E
AS
4
42
100
2.17
250
V
mW
A
mJ
应用
·
各类阻性,感性和容性负载开关
或线性应用
·
12 V DC应用μC兼容的电源开关
·
替代机电继电器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET在智能SIPMOS
技术。通过嵌入式充分保护
保护功能。
V
bb
M
HITFET
当前
局限性
In
销1
Overvoltage-
保护
引脚2和4( TAB )
栅极驱动
单位
OVER-
温度
保护
ESD
超载
保护
短路
保护
3脚
来源
完整的产品系列和其他信息http://www.infineon.com/hitfet
第1页
2004-03-05
BSP 77
最大额定值AT&T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
漏源电压
电源电压为充分短路保护
连续输入电压
1)
连续输入电流
2)
-0.2V
V
IN
10V
V
IN
< -0.2V或
V
IN
> 10V
工作温度
储存温度
功耗
5)
T
C
= 85 °C
松开单脉冲电感能量
2)
负载突降保护
V
LoadDump2)3)
=
V
A
+
V
S
V
IN
= 0和10 V吨
d
= 400毫秒,
R
I
= 2
W,
R
L
= 6
W,
V
A
= 13.5 V
静电放电
电压
2)
(人体模型)
V
ESD
根据JEDEC规范
EIA / JESD22 - A114 -B ,第4节
JEDEC的湿度类别, J-STD- 20 -B的
IEC气候类型; DIN EN 60068-1
热阻
结 - 环境:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
4)
结焊接点:
1对于输入电压超过这些限制我不得不受到限制。
IN
2not产品出厂测试,设计规定
3
V
Loaddump是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
4设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米( 1层, 70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB安装不垂直吹出的空气。
5not产品出厂测试,由R计算
thJA和RDS(ON)
第2页
符号
V
DS
V
BB ( SC )
V
IN
I
IN
价值
42
42
-0.2
2)
... +10
单位
V
mA
自我限制
|
I
IN
|
2
T
j
T
英镑
P
合计
E
AS
V
LD
-40 ...+150
-55 ... +150
3.8
250
50
°C
W
mJ
V
2
kV
MSL 1
40/150/56
R
thJA
125
72
R
thjs
17
K / W
K / W
2004-03-05
BSP 77
电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
特征
漏源电压钳
T
j
= - 40 ...+ 150 °C,
I
D
= 10毫安
断态漏电流
T
J
= -40...+85 °C,
V
DS
= 32 V,
V
IN
= 0 V
T
j
= 150 °C
输入阈值电压
I
D
= 0.6毫安,
T
j
= 25 °C
I
D
= 0.6毫安,
T
j
= 150 °C
在状态输入电流
导通状态电阻
V
IN
= 5 V,
I
D
= 2.17 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 5 V,
I
D
= 2.17 A,
T
j
= 150 °C
导通状态电阻
V
IN
= 10 V,
I
D
= 2.17 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 10 V,
I
D
= 2.17 A,
T
j
= 150 °C
额定负载电流
5)
V
DS
= 0.5 V,
T
j
< 150℃,
V
IN
= 10 V,
T
A
= 85 °C
电流限制(如果活跃
V
DS
>2.5 V)
1)
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 12 V,
t
m
= 200 s
I
D( LIM )
10
15
20
I
D( NOM )
R
DS ( ON)
-
-
2.17
70
130
2.8
100
200
-
A
I
IN(上)
R
DS ( ON)
-
-
90
160
120
240
V
IN(日)
1.3
0.8
-
1.7
-
10
2.2
-
30
A
mW
I
DSS
-
-
1.5
4
8
12
V
A
V
DS ( AZ )
42
-
55
V
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1设备接通到现有的短路(见图确定我
D( LIM ) ) 。如果该设备是在具体条件
和发生短路时,这些值可能会被超过的最大值。 50微秒。
5not产品出厂测试,由R计算
thJA和RDS(ON)
第3页
2004-03-05
BSP 77
电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
动态特性
开启时间
V
IN
到90%
I
D
:
t
on
t
关闭
-dV
DS
/ DT
on
dV
DS
/ DT
关闭
-
-
-
-
40
70
0.4
0.6
100
100
1.5
1.5
V / μs的
s
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏,
V
bb
= 12 V
打开-O FF时间
V
IN
至10%
I
D
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V,
V
bb
= 12 V
上压摆率
70至50%
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏,
V
bb
= 12 V
压摆率关闭
50 %至70%
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V,
V
bb
= 12 V
保护功能
1)
热过载跳闸温度
热滞
2)
输入电流保护模式
T
j
= 150 °C
松开单脉冲电感能量
2)
I
D
= 2.17 A,
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12 V
E
AS
250
-
-
mJ
T
jt
DT
jt
I
IN(普罗特)
150
-
-
175
10
100
-
-
300
°C
K
A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管
逆二极管正向电压
I
F
= 10.9 A,
t
m
= 250 s,
V
IN
= 0 V,
t
P
= 300 s
V
SD
-
1
1.5
V
1Integrated保护功能,旨在防止在故障情况下破坏IC
在数据手册中描述。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。
保护功能不被设计为连续的重复操作。
2not产品出厂测试,设计规定
第4页
2004-03-05
BSP 77
框图
条款
感性和过压
输出钳位
RL
V
1
IN
HITFET
S
3
D
2
ID
VDS
VBB
Z
D
S
HITFET
VIN
输入电路( ESD保护)
短路行为
栅极驱动器
输入
V
IN
来源/
I
IN
I
D
S
T
j
第5页
2004-03-05
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BSP77
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
BSP77
Infineon(英飞凌)
22+
26331
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BSP77
Infineon Technologies
2423+
16250
SOT-223-4
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BSP77
Infineon
1926+
28562
SOT223
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BSP77
INFINEON/英飞凌
21+
4000
SOT223
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:507880927 复制
电话:13798269714
联系人:刘生
地址:广东省深圳市福田区福华路京海花园18楼
BSP77
INFINEON
11+
2000
TO223
现货或发货一天
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2394092314 复制 点击这里给我发消息 QQ:792179102 复制 点击这里给我发消息 QQ:841523240 复制

电话:021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
联系人:李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
地址:上海公司:上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司:海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司:城阳区正阳路205号海都国际A座805
BSP77
INFINEON
25+热销
5500特价
SOT-223
【优势库存】专业代理全新现货特价热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:421123133 复制

电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
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Infineon(英飞凌)
24+
7800
-
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
BSP77
INFINEON
24+
5000
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原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BSP77
INFINEON
24+
8000
SOT223
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
BSP77
NXP
24+
11880
SOT-223
优势现货,只做原装正品
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