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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第410页 > BC560
BC556…BC560
PNP硅外延平面晶体管
对于开关和AF放大器应用
这些晶体管被分为三个组A,
根据其电流增益B和C的。
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
BC556
BC557 , BC560
BC558 , BC559
BC556
BC557 , BC560
BC558 , BC559
1.收藏家2.基地3.发射
TO- 92塑料包装
符号
-V
CBO
价值
80
50
30
65
45
30
5
100
200
500
150
- 65至+ 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
CM
P
合计
T
j
T
S
V
V
mA
mA
mW
O
发射极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 5 V , -I
C
= 2毫安
电流增益组
A
B
C
符号
h
FE
h
FE
h
FE
-I
CBO
-I
EBO
BC556
BC557 , BC560
BC558 , BC559
BC556
BC557 , BC560
BC558 , BC559
-V
( BR ) CBO
分钟。
110
200
420
-
-
80
50
30
65
45
30
5
马克斯。
220
450
800
15
100
-
-
-
-
-
-
-
单位
-
-
-
nA
nA
V
集电极基截止电流
在-V
CB
= 30 V
发射基地截止电流
在-V
EB
= 5 V
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 100 A
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 2毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 100 A
-V
( BR ) CEO
-V
( BR ) EBO
V
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 27/12/2007
BC556…BC560
特点在T
a
= 25
O
C
参数
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 10毫安, -I
B
- 0.5毫安
在-I
C
= 100毫安, -I
B
= 5毫安
基极发射极电压
在-V
CE
= 5 V , -I
C
= 2毫安
在-V
CE
= 5 V , -I
C
= 10毫安
跃迁频率
在-V
CE
= 5 V , -I
C
= 10 mA时, F = 100 MHz的
集电极电容基地
在-V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
符号
-V
CE ( SAT )
分钟。
-
-
0.55
-
100
-
马克斯。
0.3
0.65
0.75
0.82
-
6
单位
V
-V
BE(上)
f
T
C
cb
V
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 27/12/2007
BC556/557/558/559/560
BC556/557/558/559/560
开关和放大器
高压: BC556 ,V
首席执行官
= -65V
低噪声: BC559 , BC560
补到BC546 ...公元前550年
1
TO-92
1.收藏家2.基地3.发射
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
: BC556
: BC557 / 560
: BC558 / 559
集电极 - 发射极电压
: BC556
: BC557 / 560
: BC558 / 559
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
-100
500
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
V
BE
(上)
f
T
C
ob
NF
参数
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
: BC556 / 558分之557
: BC559 / 560
: BC559
: BC560
测试条件
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=2mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -5mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -5mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -2mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA , F = 10MHz时
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= -5V ,我
C
= -200A
F = 1kHz时,R
G
=2K
V
CE
= -5V ,我
C
= -200A
R
G
= 2KΩ , F = 30 15000MHz
2
1
1.2
1.2
-600
分钟。
110
-90
-250
-700
-900
-660
150
6
10
4
4
2
-750
-800
典型值。
马克斯。
-15
800
-300
-650
mV
mV
mV
mV
mV
mV
兆赫
pF
dB
dB
dB
dB
单位
nA
h
FE
分类
分类
h
FE
A
110 ~ 220
B
200 ~ 450
C
420 ~ 800
2002仙童半导体公司
修订版A2 , 2002年8月
BC556/557/558/559/560
典型特征
-50
-45
1000
I
B
= -400
A
I
B
= -350
A
V
CE
= -5V
I
C
[马] ,集电极电流
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
-0
-2
-4
-6
-8
-10
h
FE
,直流电流增益
I
B
= -300
A
I
B
= -250
A
I
B
= -200
A
I
B
= -150
A
I
B
= -100
A
I
B
= -50
A
100
10
-12
-14
-16
-18
-20
1
-0.1
-1
-10
-100
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
I
C
[马] ,集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
(SAT) ,V
CE
(饱和) [ V]时,饱和电压
-10
-100
-1
V
BE
(SAT)
I
C
[马] ,集电极电流
I
C
= -10 I
B
V
CE
= -5V
-10
-0.1
-1
V
CE
(SAT)
-0.01
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
I
C
[马] ,集电极电流
V
BE
[ V]时,基极发射极电压
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4.基射极电压上
f
T
[兆赫] ,电流增益带宽积
1000
C
ob
(PF ) ,电容
10
f=1MHz
I
E
= 0
V
CE
= -5V
100
1
-1
-10
-100
10
-1
-10
V
CB
[V] ,集电极 - 基极电压
I
C
[马] ,集电极电流
图5.集电极输出电容
图6.电流增益带宽积
2002仙童半导体公司
修订版A2 , 2002年8月
BC556/557/558/559/560
包装尺寸
TO-92
4.58
–0.15
+0.25
0.46
14.47
±0.40
±0.10
4.58
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
3.60
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
0.38
–0.05
+0.10
3.86MAX
1.02
±0.10
0.38
–0.05
+0.10
(R2.29)
(0.25)
单位:毫米
2002仙童半导体公司
修订版A2 , 2002年8月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用,不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统,而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,
或(b )支持或维持生命,或(c )其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
BC556/557/558/559/560
开关和放大器
高压: BC556 ,V
首席执行官
= -65V
低噪音: BC559 , BC560
补充BC546 ...公元前550年
PNP外延
硅晶体管
TO-92
绝对最大额定值(T
A
=25°C)
°
特征
集电极 - 基极电容
: BC556
: BC557 / 560
: BC558 / 559
集电极 - 发射极电压
: BC556
: BC557 / 560
: BC558 / 559
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
-80
-50
-30
V
首席执行官
-65
-45
-30
-5
-100
500
150
-65 ~ 150
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
V
V
等级
单位
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
1.收藏家2.基地3.发射
电气特性(T
A
=25°C)
°
特征
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
收藏家基地饱和电压
基极发射极电压
电流增益带宽积
集电极电容基地
噪声系数
: BC556 / 558分之557
: BC559 / 560
: BC559
: BC560
符号
I
CBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
V
BE
(上)
f
T
C
CBO
NF
NF
测试条件
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=2mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -5mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -5mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -2mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
V
CE
= -5V ,我
C
= -200A
F = 1kHz时,R
G
=2K
V
CE
= -5V ,我
C
= -200A
R
G
=2K
f=30~15000MHz
典型值
最大
-15
800
-300
-650
单位
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
兆赫
pF
dB
dB
dB
dB
110
-90
-250
-700
-900
-660
150
-600
-750
-800
2
1
1.2
1.2
6
10
4
4
2
h
FE
分类
分类
h
FE
A
110-220
B
200-450
C
420-800
版本B
1999仙童半导体公司
BC556/557/558/559/560
PNP外延
硅晶体管
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
BC556/557/558/559/560
PNP外延硅晶体管
TO-92
1.集热器
2.基
3.辐射源
开关和放大器
高压: BC556 ,V
首席执行官
= -65V
低噪声: BC559 , BC560
补到BC546 ...公元前550年
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
: BC556
: BC557 / 560
: BC558 / 559
集电极 - 发射极电压
: BC556
: BC557 / 560
: BC558 / 559
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
-100
500
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
V
BE
(上)
f
T
C
ob
NF
参数
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
: BC556 / 558分之557
: BC559 / 560
: BC559
: BC560
测试条件
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=2mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -5mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -5mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -2mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA , F = 10MHz时
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= -5V ,我
C
= -200A
F = 1kHz时,R
G
=2K
V
CE
= -5V ,我
C
= -200A
R
G
= 2KΩ , F = 30 15000MHz
2
1
1.2
1.2
-600
分钟。
110
-90
-250
-700
-900
-660
150
6
10
4
4
2
-750
-800
典型值。
马克斯。
-15
800
-300
-650
mV
mV
mV
mV
mV
mV
兆赫
pF
dB
dB
dB
dB
单位
nA
h
FE
分类
分类
h
FE
A
110 ~ 220
B
200 ~ 450
C
420 ~ 800
http://www.luguang.cn
电子邮件: lge@luguang.cn
BC556/557/558/559/560
典型特征
-50
-45
1000
I
B
= -400
A
I
B
= -350
A
V
CE
= -5V
I
C
[马] ,集电极电流
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
-0
-2
-4
-6
-8
-10
h
FE
,直流电流增益
I
B
= -300
A
I
B
= -250
A
I
B
= -200
A
I
B
= -150
A
I
B
= -100
A
I
B
= -50
A
100
10
-12
-14
-16
-18
-20
1
-0.1
-1
-10
-100
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
I
C
[马] ,集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
(SAT) ,V
CE
(饱和) [ V]时,饱和电压
-10
-100
-1
V
BE
(SAT)
I
C
[马] ,集电极电流
I
C
= -10 I
B
V
CE
= -5V
-10
-0.1
-1
V
CE
(SAT)
-0.01
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
I
C
[马] ,集电极电流
V
BE
[ V]时,基极发射极电压
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4.基射极电压上
f
T
[兆赫] ,电流增益带宽积
1000
C
ob
(PF ) ,电容
10
f=1MHz
I
E
= 0
V
CE
= -5V
100
1
-1
-10
-100
10
-1
-10
V
CB
[V] ,集电极 - 基极电压
I
C
[马] ,集电极电流
图5.集电极输出电容
图6.电流增益带宽积
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电子邮件: lge@luguang.cn
半导体
技术参数
低噪声应用。
特征
对于具有互补NPN型BC549 / 550 。
B
BC559/560
外延平面PNP晶体管
C
A
N
K
E
G
最大额定值( TA = 25
特征
)
D
符号
BC559
V
CBO
等级
-30
单位
V
集电极 - 基极电压
BC560
BC559
集电极 - 发射极电压
BC560
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
-50
-30
V
L
1
2
F
H
F
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
3
-5
-100
625
150
-55 150
V
mA
mW
M
C
-45
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.集热器
2.基
3.辐射源
TO-92
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注:H
FE
A类: 110
220,
B:200
BC559
BC560
BC559
BC560
符号
V
( BR ) CEO
测试条件
I
C
= -10mA ,我
B
=0
分钟。
-30
-45
-30
I
C
= -10 A,I
E
=0
I
E
= -10 A,I
C
=0
V
CB
= -30V ,我
E
=0
I
C
= -2mA ,V
CE
=-5V
I
C
= -2mA ,V
CE
=-5V
I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
I
C
= -10mA ,V
CE
= -5V , F = 100MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
I
C
= -200 A,V
CE
=-5V
Rg=10k
450,
C:420 800
, f≤1kHz
-50
-5.0
-
110
-0.55
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.9
300
-
-
马克斯。
-
V
-
-
V
-
-
-15
800
-0.7
-0.6
-
-
7.0
4.0
V
V
V
兆赫
pF
dB
V
nA
单位
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
V
BE(上)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
NF
1999. 11. 30
版本号: 2
1/1
BC556/557/558/559/560
开关和放大器
高压: BC556 ,V
首席执行官
= -65V
低噪音: BC559 , BC560
补充BC546 ...公元前550年
PNP外延
硅晶体管
TO-92
绝对最大额定值(T
A
=25°C)
°
特征
集电极 - 基极电容
: BC556
: BC557 / 560
: BC558 / 559
集电极 - 发射极电压
: BC556
: BC557 / 560
: BC558 / 559
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
-80
-50
-30
V
首席执行官
-65
-45
-30
-5
-100
500
150
-65 ~ 150
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
V
V
等级
单位
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
1.收藏家2.基地3.发射
电气特性(T
A
=25°C)
°
特征
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
收藏家基地饱和电压
基极发射极电压
电流增益带宽积
集电极电容基地
噪声系数
: BC556 / 558分之557
: BC559 / 560
: BC559
: BC560
符号
I
CBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
V
BE
(上)
f
T
C
CBO
NF
NF
测试条件
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=2mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -5mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -5mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -2mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
V
CE
= -5V ,我
C
= -200A
F = 1kHz时,R
G
=2K
V
CE
= -5V ,我
C
= -200A
R
G
=2K
f=30~15000MHz
典型值
最大
-15
800
-300
-650
单位
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
兆赫
pF
dB
dB
dB
dB
110
-90
-250
-700
-900
-660
150
-600
-750
-800
2
1
1.2
1.2
6
10
4
4
2
h
FE
分类
分类
h
FE
A
110-220
B
200-450
C
420-800
版本B
1999仙童半导体公司
BC556/557/558/559/560
PNP外延
硅晶体管
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
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满负荷生产
过时的
不在生产中
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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联系人:李
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23000
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27000
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联系人:韩
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