BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
标准芯片
高电压，高电流达林顿
晶体管阵列
BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
该BA12001B ， BA12003B ， BA12003BF和BA12004B高电压，大电流，高电压维持晶体管
阵列组成的达林顿晶体管7电路。
因为它采用了内置浪涌吸收二极管和电感使用时需要基极电流控制电阻
负载，如继电器线圈，附件可以保持到最小。
随着输出电压维持高达60V的电压和输出电流（灌电流）为500mA ，这款产品非常适合使用
与各种驱动程序和与其它元件的接口。
应用
驱动LED灯，灯具，继电器和螺线管
与其它元件的接口
特点
1）高的输出电流。 （我
OUT
= 500毫安最大。 ）
2 ）高输出维持电压。 （V
OUT
= 50V最大）
3 ）七达林顿晶体管内置的。
4 ）内置浪涌吸收钳位二极管。
（注：“当在应用程序中使用参考项目。 ”参考）
框图
IN1 1
16 OUT1
IN2 2
15输出2
IN3 3
14 OUT3
IN4 4
13 OUT4
IN5 5
12 OUT5
IN6 6
11 OUT6
IN7 7
10 OUT7
GND 8
9
COM
BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
标准芯片
内部电路结构
COM
COM
OUT
IN
OUT
IN
2.7k
7.2k
7.2k
3k
GND
3k
GND
Fig.1
BA12001B
Fig.2
BA12003B / BF
COM
IN
10.5k
OUT
7.2k
3k
GND
Fig.3
BA12004B
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输入电流
输出电流
接地引脚电流
功耗
DIP封装
SOP封装
比BA12001B其他
BA12001B
符号
V
CE
V
IN
I
IN
I
OUT
I
GND
Pd
V
R
I
F
TOPR
TSTG
范围
60
0.5+30
25
500
2.3
1
1250
2
625
3
60
500
25+75
55+150
单位
V
V
毫安/单位
毫安/单位
A
mW
V
mA
C
C
二极管的反向电压
二极管的正向电流
工作温度
储存温度
1脉冲宽度
≤
为20ms ，占空比
≤
10 ％，与目前所有7电路
2减少为10mW超过25℃每上升1℃的Ta 。
3减少50毫瓦超过25℃每上升1℃的Ta 。
推荐工作条件
(Ta=25°C)
参数
输出电流
电源电压
输入电压（不含BA12001B ）
输入电流（ BA12001B只）
符号
I
OUT
V
CE
V
IN
I
IN
分钟。
典型值。
马克斯。
350
55
30
25
单位
mA
V
V
毫安/单位
条件
图9 ， 10
BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
标准芯片
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输出漏电流
直流电流传输比
符号
I
L
h
FE
分钟。
1000
典型值。
0
2400
0.94
输出饱和电压
V
CE （ SAT ）
1.14
1.46
BA12003B / BF
BA12004B
输入电压
BA12003B / BF
BA12004B
BA12003B / BF
BA12004B
输入电流
BA12003B / BF
BA12004B
二极管的反向电流
二极管的正向电压
输入电容
V
IN
V
IN
V
IN
1.75
2.53
1.91
2.75
2.17
3.27
0.90
0.39
0
1.73
30
马克斯。
10
1.1
1.3
1.6
2
5
2.4
6
3.4
8
1.35
0.5
50
2
A
V
pF
mA
V
IN
= 3.85V
V
IN
= 5V
V
R
= 60V
I
F
= 350毫安
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的
V
V
CE
= 2V ，我
OUT
= 200毫安
V
V
CE
= 2V ，我
OUT
= 100毫安
V
单位
A
V
V
CE
= 60V
V
CE
= 2V ，我
OUT
= 350毫安
I
OUT
= 100mA时我
IN
= 250A
I
OUT
=的200mA，我
IN
= 350A
I
OUT
= 350mA，可我
IN
= 500A
条件
V
V
CE
= 2V ，我
OUT
= 350毫安
I
IN
I
R
V
F
C
IN
注：输入电压和输入电流为BA12001基于外部电阻器而异。
测量电路
（1）输出漏电流I
L
开放
（ 2 ）直流电流传输比
输出饱和电压
开放
h
FE
= I
O
I
I
V
CE
（SAT）
（3）输入电压V
IN
开放
开放
I
L
I
O
I
I
V
CE
I
O
V
I
V
CE
（SAT）
V
CE
（ 4 ）输入电流I
IN
开放
（5）二极管的反向电流
I
R
（ 6 ）二极管的正向电压I
F
I
R
开放
开放
V
I
开放
开放
V
R
开放
I
F
V
F
（ 7 ）输入电容C
IN
开放
f
电容
桥
L
O
H
I
开放
测试信号电平20mVrms
V
I
Fig.4
BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
标准芯片
应用实例
RY
LED
（ 1 ）继电器驱动器
（2） LED驱动器
Fig.5
应用笔记
该BA12001B是晶体管阵列，其可以直接耦合到一个通用逻辑电路，例如PMOS或CMOS等
TTL 。
限流电阻器需要串联在输入端相连。
（当在5V工作时）的BA12003B / BF可以直接耦合到TTL或CMOS输出。为了限制输入
电流以稳定的值时，电阻器被串联连接到每个输入端。
该BA12004B是专为使用6至15V电源电压直接连接到CMOS或PMOS输出。为了
以限制到一个稳定值的输入电流时，电阻器被串联连接到每个输入端。
负载为每个这些产品的应连接的驱动器输出和电源之间。为了保护
集成电路从过度摆动电压， COM引脚（引脚9）应该连接到电源。
图6示出芯片上的二极管，用于吸收浪涌的结构。
在浪涌吸收用二极管的结构，有N型层之间的NP结（ N阱+ BL）以及所述
衬底（P -子） ，使得当所述二极管上，从输出端子到衬底电流流动。在垂直方面
结构，这种二极管被配置为类似于一个PNP晶体管。当使用浪涌吸收二极管，采取适当的
关于设计的热特性考虑到将被处理的当前的措施。
另外，如果电动机反向冲击电流或其它条件，这将导致持续浪涌电流流向电涌吸收
二极管可以预见，我们强烈建议连接肖特基势垒二极管（或其他类型的二极管具有低
盼着电压）与电涌吸收二极管并联构造为浪涌电流的旁路路径。
OUT
COM
中流动的浪涌吸收用二极管电流
N
+
P
+
的IDi
N
+
ISO
ISUB
N阱
B / L
P -SUB
N
+
ISO
P
P
图6垂直结构的浪涌吸收二极管
BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
标准芯片
电气特性曲线
1400
除了BA12003BF
500
所有系列
输出电流：我
OUT
（MA ）
500
当所有的电路都在
400
350
300
TA = 25°C
200
TA = 75℃
100
110mA
64mA
10%
20%
所有系列
功耗：钯（MW ）
输出电流：我
O
（MA ）
1250
1200
1000
800
625
600
400
400
300
2ch
3ch
BA12003BF
200
4ch
5ch
6ch
7ch
100
200
0
25
50
75
100
125
150
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
占空比（ ％ ）
0
20
40
60
80
100
环境温度：钽（C ）
占空比（ ％ ）
图7功耗与环境
温度
图8输出条件（ I）
图9输出条件（ II ）
500
应在阴凉的范围
下从未被超越
任何情况下，
5000
直流电流增益：H
FE
TA = 25°C
V
CE
= 2.0V
输出电流：我
OUT
（MA ）
500
I
IN
= 250A
400
输出电流：我
OUT
（MA ）
400
350
300
2000
1000
500
300
TA =
30C
TA = 25°C
100
TA = 80°C
200
马克斯。使用条件
200
100
使用条件范围
200
100
10
0
10
20
30
40
50
20
50
100
200
500
1000
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
电源电压： V
CC
(V)
输出CURRET ：我
OUT
（MA ）
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10使用条件范围
每个电路
图11直流电流传输比
与输出电流
图12输出电流与电压
集电极和发射极之间
500
I
IN
= 350A
500
I
IN
= 500
A
输出电流：我
OUT
（MA ）
20
输出电流：我
OUT
（MA ）
400
400
输入电流：I
IN
（MA ）
15
TA =
25C
TA = 25°C
TA = 75℃
300
TA =
30C
300
TA =
30C
200
TA = 25°C
100
TA = 80°C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
10
200
TA = 25°C
5
100
TA = 80°C
0
10
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
10
20
30
40
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
输入电压： V
IN
(V)
图13输出电流与电压
集电极和发射极之间
图14输出电流与电压
集电极和发射极之间
图15输入电流与输入
电压（ BA12003B / BF ）
BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
标准芯片
高电压，高电流达林顿
晶体管阵列
BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
该BA12001B ， BA12003B ， BA12003BF和BA12004B高电压，大电流，高电压维持晶体管
阵列组成的达林顿晶体管7电路。
因为它采用了内置浪涌吸收二极管和电感使用时需要基极电流控制电阻
负载，如继电器线圈，附件可以保持到最小。
随着输出电压维持高达60V的电压和输出电流（灌电流）为500mA ，这款产品非常适合使用
与各种驱动程序和与其它元件的接口。
！应用
驱动LED灯，灯具，继电器和螺线管
与其它元件的接口
！特点
1）高的输出电流。 （我
OUT
= 500毫安最大。 ）
2 ）高输出维持电压。 （V
OUT
= 50V最大）
3 ）七达林顿晶体管内置的。
4 ）内置浪涌吸收钳位二极管。
（注：“当在应用程序中使用参考项目。 ”参考）
!
框图
IN1 1
16 OUT1
IN2 2
15输出2
IN3 3
14 OUT3
IN4 4
13 OUT4
IN5 5
12 OUT5
IN6 6
11 OUT6
IN7 7
10 OUT7
GND 8
9
COM
BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
标准芯片
!
内部电路结构
COM
COM
OUT
IN
OUT
IN
2.7k
7.2k
7.2k
3k
GND
3k
GND
Fig.1
BA12001B
Fig.2
BA12003B / BF
COM
IN
10.5k
OUT
7.2k
3k
GND
Fig.3
BA12004B
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
输入电流
输出电流
接地引脚电流
功耗
DIP封装
SOP封装
比BA12001B其他
BA12001B
符号
V
CE
V
IN
I
IN
I
OUT
I
GND
Pd
V
R
I
F
TOPR
TSTG
范围
60
0.5+30
25
500
2.3
1
1250
2
625
3
60
500
25+75
55+150
单位
V
V
毫安/单位
毫安/单位
A
mW
V
mA
C
C
二极管的反向电压
二极管的正向电流
工作温度
储存温度
1脉冲宽度
≤
为20ms ，占空比
≤
10 ％，与目前所有7电路
2减少为10mW超过25℃每上升1℃的Ta 。
3减少50毫瓦超过25℃每上升1℃的Ta 。
!
推荐工作条件
(Ta=25°C)
参数
输出电流
电源电压
输入电压（不含BA12001B ）
输入电流（ BA12001B只）
符号
I
OUT
V
CE
V
IN
I
IN
分钟。
典型值。
马克斯。
350
55
30
25
单位
mA
V
V
毫安/单位
条件
图9 ， 10
BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
标准芯片
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输出漏电流
直流电流传输比
符号
I
L
h
FE
分钟。
1000
典型值。
0
2400
0.94
输出饱和电压
V
CE （ SAT ）
1.14
1.46
BA12003B / BF
BA12004B
输入电压
BA12003B / BF
BA12004B
BA12003B / BF
BA12004B
输入电流
BA12003B / BF
BA12004B
二极管的反向电流
二极管的正向电压
输入电容
V
IN
V
IN
V
IN
1.75
2.53
1.91
2.75
2.17
3.27
0.90
0.39
0
1.73
30
马克斯。
10
1.1
1.3
1.6
2
5
2.4
6
3.4
8
1.35
0.5
50
2
A
V
pF
mA
V
IN
= 3.85V
V
IN
= 5V
V
R
= 60V
I
F
= 350毫安
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的
V
V
CE
= 2V ，我
OUT
= 200毫安
V
V
CE
= 2V ，我
OUT
= 100毫安
V
单位
A
V
V
CE
= 60V
V
CE
= 2V ，我
OUT
= 350毫安
I
OUT
= 100mA时我
IN
= 250A
I
OUT
=的200mA，我
IN
= 350A
I
OUT
= 350mA，可我
IN
= 500A
条件
V
V
CE
= 2V ，我
OUT
= 350毫安
I
IN
I
R
V
F
C
IN
注：输入电压和输入电流为BA12001基于外部电阻器而异。
!
测量电路
（1）输出漏电流I
L
开放
（ 2 ）直流电流传输比
输出饱和电压
开放
h
FE
= I
O
I
I
V
CE
（SAT）
（3）输入电压V
IN
开放
开放
I
L
I
O
I
I
V
CE
I
O
V
I
V
CE
（SAT）
V
CE
（ 4 ）输入电流I
IN
开放
（5）二极管的反向电流
I
R
（ 6 ）二极管的正向电压I
F
I
R
开放
开放
V
I
开放
开放
V
R
开放
I
F
V
F
（ 7 ）输入电容C
IN
开放
f
电容
桥
L
O
H
I
开放
测试信号电平20mVrms
V
I
Fig.4
BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
标准芯片
!
应用实例
RY
LED
（ 1 ）继电器驱动器
（2） LED驱动器
Fig.5
!
应用笔记
该BA12001B是晶体管阵列，其可以直接耦合到一个通用逻辑电路，例如PMOS或CMOS等
TTL 。
限流电阻器需要串联在输入端相连。
（当在5V工作时）的BA12003B / BF可以直接耦合到TTL或CMOS输出。为了限制输入
电流以稳定的值时，电阻器被串联连接到每个输入端。
该BA12004B是专为使用6至15V电源电压直接连接到CMOS或PMOS输出。为了
以限制到一个稳定值的输入电流时，电阻器被串联连接到每个输入端。
负载为每个这些产品的应连接的驱动器输出和电源之间。为了保护
集成电路从过度摆动电压， COM引脚（引脚9）应该连接到电源。
图6示出芯片上的二极管，用于吸收浪涌的结构。
在浪涌吸收用二极管的结构，有N型层之间的NP结（ N阱+ BL）以及所述
衬底（P -子） ，使得当所述二极管上，从输出端子到衬底电流流动。在垂直方面
结构，这种二极管被配置为类似于一个PNP晶体管。当使用浪涌吸收二极管，采取适当的
关于设计的热特性考虑到将被处理的当前的措施。
另外，如果电动机反向冲击电流或其它条件，这将导致持续浪涌电流流向电涌吸收
二极管可以预见，我们强烈建议连接肖特基势垒二极管（或其他类型的二极管具有低
盼着电压）与电涌吸收二极管并联构造为浪涌电流的旁路路径。
OUT
COM
中流动的浪涌吸收用二极管电流
N
+
P
+
的IDi
N
+
ISO
ISUB
N阱
B / L
P -SUB
N
+
ISO
P
P
图6垂直结构的浪涌吸收二极管
BA12001B / BA12003B / BA12003BF / BA12004B
标准芯片
!
电气特性曲线
1400
输出电流：我
O
（MA ）
500
所有系列
输出电流：我
OUT
（MA ）
500
当所有的电路都在
400
350
300
TA = 25°C
200
TA = 75℃
100
110mA
64mA
10%
20%
所有系列
功耗：钯（MW ）
1250除了BA12003BF
1200
1000
800
625 BA12003BF
600
400
200
0
400
300
2ch
3ch
200
4ch
5ch
6ch
7ch
100
0
25
50
75
100
125
150
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
占空比（ ％ ）
0
20
40
60
80
100
环境温度：钽（C ）
占空比（ ％ ）
图7功耗与环境
温度
图8输出条件（ I）
图9输出条件（ II ）
500
应在阴凉的范围
下从未被超越
任何情况下，
5000
直流电流增益：H
FE
TA = 25°C
V
CE
= 2.0V
输出电流：我
OUT
（MA ）
500
I
IN
= 250A
400
输出电流：我
OUT
（MA ）
400
350
300
2000
1000
500
300
TA =
30C
TA = 25°C
100
TA = 80°C
200
马克斯。使用条件
200
100
使用条件范围
200
100
10
0
10
20
30
40
50
20
50
100
200
500
1000
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
电源电压： V
CC
(V)
输出CURRET ：我
OUT
（MA ）
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10使用条件范围
每个电路
图11直流电流传输比
与输出电流
图12输出电流与电压
集电极和发射极之间
500
I
IN
= 350A
500
I
IN
= 500
A
输出电流：我
OUT
（MA ）
20
输出电流：我
OUT
（MA ）
400
400
输入电流：I
IN
（MA ）
15
TA =
25C
TA = 25°C
TA = 75℃
300
TA =
30C
300
TA =
30C
TA = 25°C
100
TA = 80°C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
10
200
200
TA = 25°C
5
100
TA = 80°C
0
10
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
10
20
30
40
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
输入电压： V
IN
(V)
图13输出电流与电压
集电极和发射极之间
图14输出电流与电压
集电极和发射极之间
图15输入电流与输入
电压（ BA12003B / BF ）
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