【BSP317PSIPMOS小信号三极管特征P沟道增强型逻辑电平dv / dt的额定漏销2/4产品概述】,IC型号BSP317P,BSP317P PDF资料,BSP317P经销商,ic,电子元器件-51电子网

BSP317P

SIPMOS

小信号三极管

特征

P沟道

增强型

逻辑电平

dv / dt的额定

漏

销2/4

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

-250

4

-0.43

PG-SOT223

4

V

A

符合AEC Q101标准

门

pin1

来源

3脚

2

1

3

VPS05163

TYPE

BSP317P

包

PG-SOT223

磁带和卷轴信息

L6327 ：1000个/卷

记号

包装

BSP317P

非干

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

价值

单位

连续漏电流

T

A

=25°C

T

A

=70°C

I

D

-0.43

-0.34

A

漏电流脉冲

T

A

=25°C

I

PULS

-1.72

反向二极管的dv / dt

I

S

=-0.43A,

V

DS

= -200V ，的di / dt = -200A / μs的，

T

JMAX

=150°C

dv / dt的

6

KV / μs的

门源电压

V

GS

±20

V

功耗

T

A

=25°C

P

合计

1.8

W

工作和存储温度

T

j ,

T

英镑

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

-55... +150

55/150/56

°C

2.1

5

Rev.1.6

第1页

20110419

BSP317P

热特性

参数

特征

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热阻，结 - 焊接点

（引脚4 ）

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

R

thjs

R

thJA

-

15

25

K / W

-

80

48

115

70

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0,

I

D

=-250A

符号

分钟。

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-

I

GSS

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

-

-250

-1

值

典型值。

-

-1.5

马克斯。

-

-2

单位

V

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

=-370A

零栅极电压漏极电流

V

DS

=-250V,

V

GS

=0,

T

j

=25°C

V

DS

=-250V,

V

GS

=0,

T

j

=150°C

A

-0.1

-10

3.3

3

-0.2

-100

5

4

nA

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=-20V,

V

DS

=0

漏源导通电阻

V

GS

=-4.5V,

I

D

=-0.39A

漏源导通电阻

V

GS

=-10V,

I

D

=-0.43A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

Rev.2.1

第2页

20110419

BSP317P

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=-200V,

I

D

=-0.43A,

V

GS

= 0至-10V

V

DD

=-200V,

I

D

=-0.43A

符号

条件

分钟。

值

典型值。

0.76

210

30

13.4

5.7

11.1

254

67

马克斯。

-

262

37

16.7

8.5

16.6

381

100

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

|V

DS

|≥2*|I

D

|*R

DS （ ON）最大值

,

0.38

I

D

=-0.34A

V

GS

=0,

V

DS

=-25V,

f=1MHz

S

pF

-

V

DD

=-30V,

V

GS

=-10V,

I

D

=-0.43A,

R

G

=6

ns

-

-0.5

-4

-11.6

-2.8

-0.65 NC

-5.2

-15.1

-

V

（高原）

V

DD

=-200V,

I

D

=-0.43A

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

INV 。二极管直流，脉冲

I

SM

逆二极管正向电压

V

SD

反向恢复时间

t

rr

反向恢复电荷

Q

rr

V

GS

=0,

I

F

=-0.43A

V

R

=-125V,

I

F =

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

I

S

T

A

=25°C

-

-0.84

92

210

-0.43 A

-1.72

-1.2

138

315

V

ns

nC

Rev.2.1

第3页

20110419

BSP317P

1功耗

P

合计

=

f

（ TA ）

1.9

BSP 317 P

2漏极电流

I

D

=

f

（ TA ）

参数： | V

GS

|

≥

10V

-0.5

BSP 317 P

W

1.6

A

-0.4

1.4

-0.35

P

合计

I

D

20

40

60

80

100

120

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

-0.3

-0.25

-0.2

-0.15

-0.1

-0.05

0

°C

160

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A = 25℃

-10

1

BSP 317 P

4瞬态热阻抗

Z

thJA

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

2

BSP 317 P

K / W

A

t

P = 140.0μs

10

1

-10

0

D

Z

thJA

/

I

D

on

)

=

V

DS

1毫秒

10

0

-10

-1

DS

(

10毫秒

10

-1

D = 0.50

0.20

10

-2

0.10

0.05

-10

-2

DC

10

-3

R

0.02

单脉冲

0.01

-10

-3 -1

-10

0

-10

1

-10

2

V

-10

3

10

-4 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

Rev.2.1

第4页

t

p

20110419

BSP317P

5典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

T

J = 25 ° C， -V

GS

1.6

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

=

f

(I

D

)

参数：

V

GS

;

T

J = 25 ° C， -V

GS

10

R

DS （ ON）

-I

D

10V

A

5V

4.4V

3.6V

3.2V

1.2

2.8V

2.4V

1

2.2V

8

7

6

5

4

3

2.2V

2.4V

2.8V

3.2V

3.6V

4.4V

5V

10V

0.8

0.6

0.4

2

0.2

1

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

V

5

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

A

1.6

-V

DS

-I

D

7典型。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

); |V

DS |

≥

2× | I

D

| x

R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

= 25 °C

1.6

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

)

参数：

T

J = 25℃

1.4

S

A

1.2

1.1

1.2

1

-I

D

g

fs

V

1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2

2.4

2.8

3.6

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

A

1.6

-V

GS

Rev.2.1

第5页

-I

D

20110419

初步数据

BSP 317 P

SIPMOS

小信号三极管

特征

P沟道

增强型

逻辑电平

dv / dt的额定

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

-250

4

-0.43

SOT-223

漏

销2/4

门

pin1

来源

3脚

2

1

VPS05163

V

A

4

3

TYPE

包

BSP 317 P SOT- 223

订购代码

Q67042-S4167

磁带和卷轴信息

-

记号

BSP317P

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

连续漏电流

T

A

=25°C

T

A

=70°C

符号

I

D

价值

-0.43

-0.34

单位

A

漏电流脉冲

T

A

=25°C

I

PULS

dv / dt的

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

-1.72

6

±20

1.8

-55... +150

55/150/56

KV / μs的

V

W

°C

反向二极管的dv / dt

I

S

=-0.43A,

V

DS

= -200V ，的di / dt = -200A / μs的，

T

JMAX

=150°C

门源电压

功耗

T

A

=25°C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

第1页

2002-07-17

初步数据

热特性

参数

特征

符号

分钟。

值

典型值。

BSP 317 P

单位

马克斯。

热阻，结 - 焊接点

（引脚4 ）

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

R

thjs

R

thJA

-

15

25

K / W

-

80

48

115

70

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0,

I

D

=-250A

符号

分钟。

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-

I

GSS

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

-

-250

-1

值

典型值。

-

-1.5

马克斯。

-

-2

单位

V

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

=-370A

零栅极电压漏极电流

V

DS

=-250V,

V

GS

=0,

T

j

=25°C

V

DS

=-250V,

V

GS

=0,

T

j

=150°C

A

-0.1

-10

3.3

3

-0.2

-100

5

4

nA

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=-20V,

V

DS

=0

漏源导通电阻

V

GS

=-4.5V,

I

D

=-0.39A

漏源导通电阻

V

GS

=-10V,

I

D

=-0.43A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

第2页

2002-07-17

初步数据

BSP 317 P

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=-200V,

I

D

=-0.43A,

V

GS

= 0至-10V

V

DD

=-200V,

I

D

=-0.43A

符号

条件

分钟。

值

典型值。

0.76

210

30

13.4

5.7

11.1

254

67

马克斯。

-

262

37

16.7

8.5

16.6

381

100

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

|V

DS

|≥2*|I

D

|*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=-0.34A

V

GS

=0,

V

DS

=-25V,

f=1MHz

0.38

-

S

pF

V

DD

=-30V,

V

GS

=-10V,

I

D

=-0.43A,

R

G

=6

ns

-

-0.5

-4

-11.6

-2.8

-0.65 NC

-5.2

-15.1

-

V

（高原）

V

DD

=-200V,

I

D

=-0.43A

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

INV 。二极管直流，脉冲

I

SM

逆二极管正向电压

V

SD

反向恢复时间

t

rr

反向恢复电荷

Q

rr

V

GS

=0,

I

F

=-0.43A

V

R

=-125V,

I

F =

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

I

S

T

A

=25°C

-

-0.84

92

210

-0.43 A

-1.72

-1.2

138

315

V

ns

nC

第3页

2002-07-17

初步数据

BSP 317 P

1功耗

P

合计

=

f

（ TA ）

1.9

BSP 317 P

2漏极电流

I

D

=

f

（ TA ）

参数： | V

GS

|

≥

10V

-0.5

BSP 317 P

W

1.6

A

-0.4

1.4

-0.35

P

合计

I

D

20

40

60

80

100

120

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

-0.3

-0.25

-0.2

-0.15

-0.1

-0.05

0

°C

160

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A = 25℃

-10

1

BSP 317 P

4瞬态热阻抗

Z

thJA

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

2

BSP 317 P

K / W

A

t

P = 140.0μs

10

1

-10

0

D

Z

thJA

/

I

D

on

)

=

V

DS

1毫秒

10

0

-10

-1

DS

(

10毫秒

10

-1

D = 0.50

0.20

10

-2

0.10

0.05

-10

-2

DC

10

-3

R

0.02

单脉冲

0.01

-10

-3 -1

-10

0

-10

1

-10

2

V

-10

3

10

-4 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

第4页

t

p

2002-07-17

初步数据

BSP 317 P

5典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

T

J = 25 ° C， -V

GS

1.6

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

=

f

(I

D

)

参数：

V

GS

;

T

J = 25 ° C， -V

GS

10

R

DS （ ON）

-I

D

10V

A

5V

4.4V

3.6V

3.2V

1.2

2.8V

2.4V

1

2.2V

0.8

8

7

6

5

4

3

2.2V

2.4V

2.8V

3.2V

3.6V

4.4V

5V

10V

0.6

0.4

2

0.2

1

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

V

5

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

A

1.6

-V

DS

-I

D

7典型。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

); |V

DS |

≥

2× | I

D

| x

R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

= 25 °C

1.6

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

)

参数：

T

J = 25℃

1.4

S

A

1.2

1.1

1.2

1

-I

D

g

fs

V

1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2

2.4

2.8

3.6

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

A

1.6

-V

GS

第5页

-I

D

2002-07-17