bq4013/Y/LY
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SLUS121A - 1999年5月 - 修订2007年5月
128 k
×
8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ）
特点
数据保存至少10年不
动力
在自动写保护
上电/掉电周期
传统的SRAM运行，包括
没有写次数限制
电池的电源之前，内部隔离
应用
5 V或3.3 V工作
工业标准的32引脚DIP引脚
概述
该CMOS bq4013 / Y / LY是一种非易失性
1,048,576位静态RAM组织为131,072
字由8位。积分控制电路和
锂能源提供了可靠的非易失性
再加上标准的无限写入周期
SRAM 。
控制电路持续监控单
供应超差的情况。当V
CC
属于出公差时， SRAM是无条件
写保护，以防止意外的写入
操作。
此时的积分能量源被接通
维持内存中，直到V后
CC
返回有效。
该bq4013 / Y / LY采用极低的待机
当前的CMOS静态存储器，加上小锂
钮扣电池提供非易失性不长
写周期时间和写周期的限制
与EEPROM相关联。
该bq4013 / Y / LY无需外部电路，并
随着行业标准的1 -MB SRAM兼容
引脚排列。
引脚连接
32引脚DIP模块
（ TOP VIEW ）
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
NC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有1999-2007 ，德州仪器
bq4013/Y/LY
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设备信息
表1.端子功能
终奌站
名字
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
NC
OE
V
CC
V
SS
WE
数
12
11
10
9
8
7
6
5
27
26
23
25
4
28
3
31
2
22
13
14
15
17
18
19
20
21
1
30
24
32
16
29
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
-
-
I
I
-
I
无连接
输出使能输入
电源电压输入
地
写使能输入
数据输入/输出
芯片使能输入
地址输入
描述
功能说明
当功率是有效的，则bq4013 / Y / LY用作标准CMOS SRAM中。在断电和上电
周期中， bq4013 / Y / LY用作非易失性存储器时，自动保护和保存在存储器
目录。
掉电/上电控制电路持续监控V
CC
供应电源故障检测阈值V
PFD
.
对于V的bq4013显示器
PFD
= 4.62 V典型的5 -V系统中使用了5％的供应能力。该bq4013Y
显示器的V
PFD
= 4.37 V典型的5 -V系统中使用10％的电源容限。该bq4013LY监视
V
PFD
= 2.90 V（典型值）在3.3 V系统中使用。
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当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，会自动SRAM写保护数据。所有输出成为
高阻抗，并且所有的输入都被视为
不在乎。
如果一个有效的访问是在处理时的时间掉电
检测时，存储器周期继续进行到完成。如果存储周期未能在时间t终止
WPT
,
写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
和方法V
SO
时，控制电路转换到内部锂备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到上面的内部备用电池电压电平，电源被切换回至V
CC
。 V后
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护持续时间t
CER
（最多5 -V系统120毫秒， 85
MS最大的3.3 -V系统） ，让处理器稳定。普通内存手术后可以恢复
这次。
所使用的bq4013内部纽扣电池/ Y / LY有一个非常长的保质期和提供数据保留
超过10年，在没有系统电源。
由于运到TI的MT型模块的积分锂电池电从内存中分离出来。
（自放电在这种条件下是每年约0.5％。 ）按照Ⅴ的第一应用
CC
这
隔离被打破，而锂备份提供了数据保留在随后的断电。
框图
DIP模块
bq4013/Y/LY
MA包装
OE
128 k × 8
SRAM
块
A
0
- A
16
DQ
0
- DQ
7
WE
动力
CE
CON
CE
电源故障
控制
V
CC
+
锂
CELL
UDG-06075
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
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订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录数据表的末尾，或者查看
TI网站www.ti.com 。
选购指南
设备号
bq4013MA-85
bq4013MA-120
bq4013YMA-70
bq4013YMA-85
bq4013YMA-120
bq4013YMA-70N
bq4013YMA-85N
bq4013LYMA-70N
最大
ACCESS
时间（纳秒）
85
120
70
85
120
70
85
70
3.3
-10
-40到85
5
负电源
公差
(%)
-5
0到70
额定输入
电压
V
CC
(V)
温度
(°C)
零件编号
产品
LINE
bq40
内存
密度
13
10 = 8 k
×
8
11 = 32 k
×
8
13 = 128 k
×
8
14 = 256 k
×
8
15 = 512 k
×
8
16 = 1024 k
×
8
17 = 2048 k
×
8
输入
电压
(V)
L
空白= 5
L= 3.3
负
供应
公差
Y
空白= 5 ％
Y = 10%
包
MA
MA = DIP
速度
（纳秒）
70
70
85
100
120
150
200
N =工业
（-40到85）的
温度
(°C)
N
空白=商业
（ 0-70 ）
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绝对最大额定值
(1)
参数
V
CC
直流电压施加在相对VCC和VSS
条件
bq4013Y
bq4013
bq4013LY
bq4013Y
V
T
直流电压施加在任意引脚除外
V
VT
≤
V
CC
+0.3 V
VCC相对于VSS
广告
产业
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产业
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产业
10秒
bq4013
bq4013LY
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
(1)
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-0.3 6.0
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-0.3 （V
CC
+ 0.3)
0到70
-40到85
-10到70
-40到85
-10到70
-40到85
260
°C
V
V
单位
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作应限于该
建议的直流工作条件详见本数据表。置身于超越经营范围条件下，其
时间会影响器件的可靠性。
推荐工作条件（T
A
= T
OPR
)
民
bq4013Y
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
(1)
电源电压
电源电压
低电平输入电压
高电平输入电压
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
bq4013
bq4013LY
4.50
4.75
3.00
0
–0.3
2.2
典型值
(1)
5.00
5.00
3.30
0
最大
5.50
5.50
3.60
0
0.8
V
CC
+ 0.3
V
单位
DC电气特性
T
A
= T
OPR
, V
CC（分钟）
≤
V
CC
≤
V
CC（ MAX）的
参数
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
bq4013
I
CC
工作电源电流
bq4013Y
bq4013LY
bq4013
V
PFD
掉电检测电压
bq4013Y
bq4013LY
bq4013
V
SO
电源开关过电压
bq4013Y
bq4013LY
(1)
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5.0 V或V
CC
= 3.3 V.
最小周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
4.55
4.30
2.85
4.62
4.37
2.90
3
3
2.9
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE = V
CC
– 0.2 V, 0V
≤
V
IN
≤
0.2 V,
或V
IN
≥
V
CC
– 0.2
1
0.1
2.4
0.4
2
1
50
50
4.75
4.50
2.95
V
民
典型值
(1)
最大
±1
±1
单位
A
V
A
mA
mA
提交文档反馈
5
