BCP157
公司Bauelemente
符合RoHS产品
PNP硅
中功率晶体管
特点
1. -60Volt V CEO
2.3安培连续电流
3.低饱和电压
SOT-89
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
D
D1
A
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
-80
-60
-5
-3
-6
0.5
总功率
耗散
P
C
2
结温
储存温度
Tj
TSTG
150
55
~
+150
W
2
E1
b1
单位
V
b
C
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
1
W
L
e
e1
符号
A
b
b1
c
D
D1
E
E1
单位：毫米
民
1.400
0.320
0.360
0.350
4.400
1.400
2.300
3.940
1.500TYP
2.900
0.900
3.100
1.100
最大
1.600
0.520
0.560
0.440
4.600
1.800
2.600
4.250
民
E
尺寸以英寸
最大
0.063
0.020
0.022
0.017
0.181
0.071
0.102
0.167
0.060TYP
0.114
0.035
0.122
0.043
0.055
0.013
0.014
0.014
0.173
0.055
0.091
0.155
°C
°C
e
e1
L
1单脉冲， PW = 10毫秒
2当安装在40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
°
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
分钟。
-80
-60
-5
100
典型值。
-150
-450
马克斯。
0.1
0.1
-300
-600
单位
V
V
V
A
A
mV
mV
条件
I
C
=100A,
I
E
=0
I
C
=10mA,
I
B
=0
I
E
=100 A,
I
C
=0
V
CB
=60V,
I
E
=0
V
EB
=4V,
I
C
=0
I
C
=1A,I
B
=-100mA
I
C
=-3A,I
B
=-300mA
集电极 - 发射极饱和电压1
V
CE(sat)1
集电极 - 发射极饱和电压2 V
CE(Sat)2
基射极饱和电压星期六
基射极饱和电压在
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
COB
fT
-0.9
-0.8
140
40
450
200
200
170
150
-1.25
-1.0
30
V
V
pF
兆赫
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-1A
V
CB
=10V,
IE = 0A ， F = 1MHz的
V
CE
=5V,
I
C
= -100mA ， F = 100MHz的
输出电容
电流增益 - 带宽积
开关时间
t
on
t
关闭
h
FE
1
h
FE
2
70
100
80
40
ns
V
CC
= -10V ，我
C
=-500mA,
I
B
1=I
B
2=-50mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-50mA
300
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-1A
V
CE
= -2V ，我
C
=-2A
电流增益
h
FE
3
h
FE
4
注意：脉冲条件下进行测定。脉冲width<300us ，职务cycle<2 ％
辣妹参数数据可根据urquest此设备。
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
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