SPICE模型： BS870
BS870
n沟道增强型场效应
晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
无铅/符合RoHS （注2 ）
G
顶视图
S
E
D
G
H
K
J
L
D
B
C
A
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
E
M
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
标记（见第2页） ： K70
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.008克（近似值）
G
H
J
K
L
M
a
漏
门
尺寸：mm
来源
最大额定值
漏源电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
连续
连续
V
GSS
I
D
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
BS870
60
60
±20
250
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
K / W
°C
特征
漏极 - 栅极电压
GS
1.0MW
栅源电压
漏电流（注1 ）
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意：
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局上所示Diodes公司建议焊盘布局AP02001 ，
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
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1 4
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BS870
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性（注3 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注3 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
60
1.0
80
典型值
80
2.0
3.5
1.0
22
11
2.0
2.0
5.0
最大
0.5
±10
3.0
5.0
0.5
50
25
5.0
20
20
单位
V
A
nA
V
W
A
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V
ES
= 10V ，R
L
= 150W,
V
DS
= 10V ，R
D
= 100W
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 100毫安
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±15V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.2A
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
订购信息
设备
BS870-7-F
注意事项：
（注4 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K70
K70 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
2002
N
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
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2 4
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YM
BS870
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利在此进行更正，修改， enhance-
ments ，改进，或其他变化。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;
它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担这种风险，所有
使用并同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
坐落在我们的网站产品
www.diodes.com
不推荐用于生命支持系统中使用，其中的一个发生故障或失灵
组件可能直接威胁生命或造成人身伤害不Diodes公司的明确书面认可。
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4 4
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BS870
BS870
N沟道增强型网络场效晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅，卤素及锑，符合RoHS标准
"Green"设备（注2和4）
机械数据
SOT-23
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
漏
D
门
顶视图
来源
G
S
等效电路
顶视图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
价值
60
60
±20
250
单位
V
V
V
mA
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压
GS
≤
1.0MΩ
栅源电压
漏电流（注1 ）
连续
连续
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
300
417
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注3 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注3 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
60
1.0
80
典型值
80
2.0
3.5
1.0
22
11
2.0
2.0
5.0
最大
0.5
±10
3.0
5.0
0.5
50
25
5.0
20
20
单位
V
A
nA
V
Ω
A
mS
pF
pF
pF
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 100μA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±15V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.2A
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
ES
= 10V ，R
L
= 150Ω,
V
DS
= 10V ，R
D
= 100Ω
1.装置安装在FR-4电路板1.0× 0.75× 0.062英寸的焊垫布局图所示， Diodes公司建议的焊垫布局AP02001 ，其中可以发现在
我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.没有故意添加铅。卤素和无锑。
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
4.产品具有数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
BS870
文件编号： DS11302牧师14 - 2
1第3
www.diodes.com
2008年5月
Diodes公司
BS870
订购信息
产品型号
BS870-7-F
注意事项：
（注5 ）
例
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KXX =产品型号标识代码， K70或K6Z
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
包装外形尺寸
A
顶视图
B C
G
H
K
M
J
D
F
L
SOT-23
暗淡
民
最大
A
0.37
0.51
B
1.20
1.40
C
2.30
2.50
D
0.89
1.03
F
0.45
0.60
G
1.78
2.05
H
2.80
3.00
J
0.013
0.10
K
0.903
1.10
L
0.45
0.61
M
0.085
0.180
0°
8°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
G
C
尺寸值（单位：mm）
Z
3.4
G
0.7
X
0.9
Y
1.4
C
2.0
E
0.9
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
BS870
文件编号： DS11302牧师14 - 2
3 3
www.diodes.com
2008年5月
Diodes公司
QQ：2881677436 复制
