BD744 ， BD744A ， BD744B ， BD744C
PNP硅功率晶体管
●
●
●
●
●
专为配套使用的
BD743系列
在25 ° C的温度， 90瓦
15 A连续集电极电流
20 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
B
C
E
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
BD744
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BD744A
BD744B
BD744C
BD744
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
BD744A
BD744B
BD744C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作自由空气的温度范围
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
2
T
A
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
-50
-70
-90
-110
-45
-60
-80
-100
-5
-15
-20
-5
90
2
90
-65到+150
-65到+150
-65到+150
260
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
°C
V
V
单位
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.72的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BD744 ， BD744A ， BD744B ， BD744C
PNP硅功率晶体管
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD744
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
（见注5 ）
BD744A
BD744B
BD744C
V
CE
= -50 V
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CE
= -110 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
V
CE
= -110 V
I
首席执行官
I
EBO
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-4 V
-0.5 A
-5 A
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -1 A
I
C
= -5 A
I
C
= -15 A
I
C
= -5 A
I
C
= -15 A
I
C
= -5 A
I
C
= -15 A
I
C
= -1 A
I
C
= -1 A
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
5
（见注5和6）
40
20
5
-1
-3
-1
-3
V
V
150
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
BD744/744A
BD744B/744C
民
-45
-60
-80
-100
-0.1
-0.1
-0.1
-0.1
-5
-5
-5
-5
-0.1
-0.1
-0.5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.4
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
C
= -5 A
V
BE （OFF）的
= 4.2 V
I
B（上）
= -0.5 A
R
L
= 6
民
I
B（关闭）
= 0.5 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
20
120
600
300
最大
单位
ns
ns
ns
ns
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD744 ， BD744A ， BD744B ， BD744C
PNP硅功率晶体管
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= -4 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS638AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
I
C
= 10
I
B
t
p
= 300μS ，占空比< 2 ％
TCS638AB
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= -55°C
h
FE
- 直流电流增益
-1·0
100
-0·1
T
C
= -55°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-100
10
-0·1
-1·0
-10
-100
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
C
- 集电极电流 - 一个
图1 。
图2中。
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS638AA
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 1毫秒，
d = 0.1 = 10%
t
p
= 10毫秒，
d = 0.1 = 10%
t
p
= 50毫秒，
d = 0.1 = 10%
直流操作
-1·0
-0·1
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
-0·01
-1·0
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
网络连接gure 3 。
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
BD744 ， BD744A ， BD744B ， BD744C
PNP硅功率晶体管
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
100
P
合计
- 最大功耗 - W
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS637AA
图4中。
4
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD744 ， BD744A ， BD744B ， BD744C
PNP硅功率晶体管
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
5
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BD744/A/B/C
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
BD744 ， BD744A ， BD744B ， BD744C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1978年8月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
BD743系列
在25 ° C的温度， 90瓦
15 A连续集电极电流
20 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
B
C
E
q
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BD744
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BD744A
BD744B
BD744C
BD744
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
BD744A
BD744B
BD744C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作自由空气的温度范围
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
A
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-50
-70
-90
-110
-45
-60
-80
-100
-5
-15
-20
-5
90
2
90
-65到+150
-65到+150
-65到+150
260
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.72的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BD744 ， BD744A ， BD744B ， BD744C
PNP硅功率晶体管
1978年8月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD744
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
（见注5 ）
BD744A
BD744B
BD744C
V
CE
= -50 V
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CE
= -110 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
V
CE
= -110 V
I
首席执行官
I
EBO
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-4 V
-0.5 A
-5 A
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -1 A
I
C
= -5 A
I
C
= -15 A
I
C
= -5 A
I
C
= -15 A
I
C
= -5 A
I
C
= -15 A
I
C
= -1 A
I
C
= -1 A
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
5
（见注5和6）
40
20
5
-1
-3
-1
-3
V
V
150
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
BD744/744A
BD744B/744C
民
-45
-60
-80
-100
-0.1
-0.1
-0.1
-0.1
-5
-5
-5
-5
-0.1
-0.1
-0.5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.4
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
C
= -5 A
V
BE （OFF）的
= 4.2 V
I
B（上）
= -0.5 A
R
L
= 6
民
I
B（关闭）
= 0.5 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
20
120
600
300
最大
单位
ns
ns
ns
ns
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BD744 ， BD744A ， BD744B ， BD744C
PNP硅功率晶体管
1978年8月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= -4 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS638AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
I
C
= 10
I
B
t
p
= 300μS ，占空比< 2 ％
TCS638AB
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= -55°C
h
FE
- 直流电流增益
-1·0
100
-0·1
T
C
= -55°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-100
10
-0·1
-1·0
-10
-100
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
C
- 集电极电流 - 一个
图1 。
图2中。
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS638AA
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 1毫秒，
d = 0.1 = 10%
t
p
= 10毫秒，
d = 0.1 = 10%
t
p
= 50毫秒，
d = 0.1 = 10%
直流操作
-1·0
-0·1
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
-0·01
-1·0
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BD744 ， BD744A ， BD744B ， BD744C
PNP硅功率晶体管
1978年8月 - 修订1997年3月
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
100
P
合计
- 最大功耗 - W
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS637AA
图4中。
产品
信息
4
BD744 ， BD744A ， BD744B ， BD744C
PNP硅功率晶体管
1978年8月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
QQ：2881677436 复制
