分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D109
BSR30 ; BSR31 ; BSR32 ; BSR33
PNP中功率晶体管
产品speci fi cation
取代1994年9月数据
在分离式半导体文件， SC04
1997年4月1日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
电话和一般工业应用
厚和薄膜电路。
描述
在SOT89塑料PNP中功率晶体管
封装。 NPN补充： BSR40 ; BSR41 ;
BSR42和BSR43 。
记号
TYPE
数
BRS30
BRS31
记号
CODE
BR1
BR2
TYPE
数
BRS32
BRS33
记号
CODE
BR3
BR4
BSR30 ; BSR31 ; BSR32 ; BSR33
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
手册， halfpage
2
3
1
1
底部视图
2
3
MAM297
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BSR30 ; BSR31
BSR32 ; BSR33
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR30 ; BSR31
BSR32 ; BSR33
I
CM
P
合计
h
FE
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
BSR30 ; BSR32
BSR31 ; BSR33
f
T
跃迁频率
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V ; F = 100 MHz的
T
AMB
≤
25
°C
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
5
V
40
100
100
120
300
兆赫
开基
60
80
2
1.4
V
V
A
W
发射极开路
70
90
V
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
1997年4月1日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
BSR30 ; BSR31 ; BSR32 ; BSR33
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BSR30 ; BSR31
BSR32 ; BSR33
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR30 ; BSR31
BSR32 ; BSR33
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑在手册SC04的通用部分SOT89 ” 。
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑在手册SC04的通用部分SOT89 ” 。
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
89
8
单位
K / W
K / W
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
60
80
5
1
2
200
1.4
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
°C
条件
发射极开路
70
90
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1997年4月1日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BSR30 ; BSR32
BSR31 ; BSR33
h
FE
直流电流增益
BSR30 ; BSR32
BSR31 ; BSR33
h
FE
直流电流增益
BSR30 ; BSR32
BSR31 ; BSR33
V
CESAT
V
BESAT
f
T
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
s; δ
< 0.01 。
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
BSR30 ; BSR31 ; BSR32 ; BSR33
条件
I
E
= 0; V
CB
=
60
V
I
E
= 0; V
CB
=
60
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V ;注1
分钟。
马克斯。
100
50
100
120
300
0.25
0.5
1
1.2
单位
nA
A
nA
10
30
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
5
V ;注1
40
100
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
5
V ;注1
30
50
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
V
V
V
V
兆赫
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V ; F = 100 MHz的100
1997年4月1日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
包装外形
BSR30 ; BSR31 ; BSR32 ; BSR33
塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 3引线
SOT89
D
B
A
b3
E
HE
L
1
2
b2
3
c
w
M
b1
e
1
e
0
2
规模
4 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.6
1.4
b1
0.48
0.35
b2
0.53
0.40
b3
1.8
1.4
c
0.44
0.37
D
4.6
4.4
E
2.6
2.4
e
3.0
e1
1.5
HE
4.25
3.75
L
分钟。
0.8
w
0.13
概要
VERSION
SOT89
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1997年4月1日
5
QQ：2880707522 复制
