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分立半导体
数据表
BLT81
超高频功率晶体管
产品speci fi cation
取代1992年11月数据
1996年05月09日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特点
SMD封装
镀金保证了出色的可靠性。
手册， halfpage
BLT81
4
c
b
应用
手持无线设备在900MHz
通信频段。
描述
NPN硅平面外延晶体管封装在一个
SOT223塑料SMD封装。
钉扎 - SOT223
针
1
2
3
4
符号
e
b
e
c
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形和符号。
描述
辐射源
e
1
顶视图
2
3
MAM043 - 1
快速参考数据
射频性能在T
s
≤
60
°C
在一个共发射极的测试电路（见图7） 。
操作模式
CW ， B类窄带
f
（兆赫）
900
V
CE
(V)
7.5
6
P
L
(W)
1.2
1.2
G
p
（ dB）的
≥6
（典型值） 。 6.5
η
C
(%)
≥60
（典型值） 。 77
1996年05月09日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（ AV ）
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
平均集电极电流
总功耗
储存温度
工作结温
T
s
= 110
°C;
注1
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
马克斯。
20
9.5
2.5
500
500
2
+150
175
BLT81
单位
V
V
V
mA
mA
W
°C
°C
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
条件
P
合计
= 2 W ;牛逼
s
= 110
°C;
注1
价值
32
单位
K / W
注意：在“极限参数”和“热特性”
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
手册， halfpage
1
MRC094
IC
(A)
10
1
1
10
VCE （ V）
10
2
T
s
= 110
°C.
图2 DC飙升。
1996年05月09日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
记
脉冲条件下测得的1 ：吨
p
≤
200
s; δ ≤
0.02.
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家泄漏电流
直流电流增益
集电极电容
反馈电容
条件
发射极开路;我
C
= 1毫安
开基;我
C
= 10毫安
集电极开路;我
E
- 0.1毫安
V
CE
= 10 V; V
BE
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 300毫安;注意1 ;
V
CB
= 7.5 V ;我
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫;
V
CE
= 7.5 V ;我
C
= 0; F = 1 MHz的
分钟。
20
9.5
2.5
25
典型值。
2.7
1.7
BLT81
马克斯。
0.1
4
3
单位
V
V
V
mA
pF
pF
手册， halfpage
100
MRC090
手册， halfpage
6
MRC086
的hFE
80
Cc
（PF ）
4
60
40
2
20
0
0
100
200
300
IC （MA ）
400
0
0
2
4
6
8
10
VCB （ V）
V
CE
= 7.5 V ;吨
p
≤
200
s; δ ≤
0.02; T
j
= 25
°C.
I
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
1996年05月09日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
应用信息
射频性能在T
s
≤
60
°C
在共发射极电路的测试（见注1和图7 ） 。
操作模式
f
（兆赫）
900
V
CE
(V)
7.5
6
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
坚固耐用的AB类操作
P
L
(W)
1.2
1.2
G
p
（ dB）的
≥6
典型值。 8
（典型值） 。 6.5
BLT81
η
C
(%)
≥60
（典型值） 。 77
（典型值） 。 77
CW ， B类窄带
该BLT81是能够承受的负荷不匹配对应的VSWR = 50 ：通过在各个阶段1
条件如下： F = 900兆赫; V
CE
= 9 V ; P
L
= 1.2 W ;牛逼
s
≤
60
°C.
手册， halfpage
10
MRC088
Gp
（ dB）的
8
Gp
(1)
(2)
(4)
(3)
η
C
100
η
C
(%)
80
手册， halfpage
2.5
MRC093
PL
(W)
2.0
(1)
6
60
1.5
(2)
4
40
1.0
2
20
0.5
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
2.0
PL （W）的
0
0
100
200
300
400
500
PIN （MW ）
B级; F = 900 MHz的;牛逼
s
≤
60
°C.
(1) V
CE
= 7.5 V.
(2) V
CE
= 6 V.
(3) V
CE
= 7.5 V.
(4) V
CE
= 6 V.
B级; F = 900 MHz的;牛逼
s
≤
60
°C.
(1) V
CE
= 7.5 V.
(2) V
CE
= 6 V.
Fig.5
功率增益和集电极英法fi效率为
负载功率的功能;典型值。
Fig.6
负载功率作为输入的函数
电源;典型值。
1996年05月09日
5
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