【上海上海贝岭股份有限公司，有限公司BL24C128/256BL24C128/BL24C256128K】,IC型号BL24C128,BL24C128 PDF资料,BL24C128经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BL24C128/256

BL24C128/BL24C256

128K位（ 16,384 ×8 ） / 256K位（ 32,768 ×8 ）两线串行EEPROM

特点

两线串行接口

VCC = 1.8V至5.5V

双向数据传输协议

内部组织

BL24C128 ， 16,384 ×8 （ 128K位）

BL24C256 ， 32,768 ×8 （ 256K位）

400千赫（ 1.8V ， 2.7V ， 5V ）的兼容性

64字节页（ 128K / 256K ）写模式

允许页面局部写入

自定时写周期（ 5 ms以下）

高可靠性

100万次擦写循环保证

数据保留> 100年

工作温度： -40 ℃ + 85 ℃

8引脚PDIP ， 8引脚SOP和8引脚TSSOP封装

引脚配置

描述

BL24C128 / BL24C256提供131,072 / 262,144位的串行电可擦除和

组织为每8比特16384 / 32768字的可编程只读存储器（EEPROM）。

所述装置被用于许多工业和商业应用中优化的

低功率和低电压操作是必不可少的。该BL24C128 / BL24C256是可用

节省空间的8引脚PDIP ， 8引脚SOP和8引脚TSSOP封装，并通过访问

两线串行接口。

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引脚说明

BL24C128/256

框图

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BL24C128/256

器件/页地址（ A1和A0 ）：

A1和A0引脚被硬连接的器件地址输入

K24C128 / K24C256 。四128K / 256K设备可以处理在单总线系统（设备寻址的详细讨论

根据器件寻址章节）。

串行数据（ SDA ）：

SDA引脚是双向的串行数据传输。该引脚为开漏输出，可线或

与任何数量的其他漏极开路或集电极开路的设备。

串行时钟（ SCL ）：

在SCL输入用于上升沿时钟将数据送入EEPROM器件，并在时钟的下降沿

将数据读出装置的。

写保护（WP ）：

该K24C128 / K24C256有一个写保护引脚，可提供硬件数据保护。写

保护引脚允许在连接到接地（GND）的正常读/写操作。当写保护引脚连接到VCC ，

写保护功能被启用，并进行操作，在下述表2所示。

功能说明

存储器组织

24C128 ， 128K串行EEPROM ：

在128K内部组织为256页，每页64字节。

随机字寻址需要一个14位的数据字的地址。

24C256 ， 256K串行EEPROM ：

在256K内部组织为512页，每页64字节。

随机字寻址需要一个15位的数据字的地址。

设备操作

时钟和数据转换

SDA引脚通常拉高外部设备。上的数据

SDA引脚可以在SCL为低电平的时间段（见图1）只改变。在SCL高电平期间的数据变动会

表示开始或定义见下文停止状态。

启动条件

SDA与SCL为高至低过渡是一个开始状态，必须先于任何

其它命令（参见图2

)

停止条件：

SDA与SCL高电平低到高的转变是一个停止条件。后的读出顺序，对

停止命令将放置在待机功率模式下的EEPROM中（参见图2）

应答：

所有地址和数据字被串行传送到和从在8位字的EEPROM中。

EEPROM中发送一个“0” ，以确认它已接收的每个字。这发生在第九个时钟周期。

待机模式：

该BL24C128 / BL24C256功能是启用了低功耗的待机模式：（ a）在

电和（ b）收到停止位并且结束所有的内部操作后

存储器复位：

在协议中，电或系统复位中断之后，任何两个器件可通过复位

以下这些步骤：

时钟高达9次。

寻找高SDA在每个时钟周期，而SCL为高电平。

建立一个起始条件。

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图1 。

BL24C128/256

数据有效性

图2中。

启动和停止的定义

网络连接gure 3 。

输出应答

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设备寻址

在128K / 256K EEPROM器件都需要在开始状态之后，以一个8位的设备地址字

使该芯片能够进行读或写操作（参见图4）。

设备地址字由一个强制为“1” ，“0”序列的前四个最显著位

如图所示。这是通用于所有串行EEPROM器件。

在128K / 256K使用三个器件地址位A1和A0 ，以允许在相同的多达四个器件

总线。这些位必须与它们对应的硬连线输入引脚。 A1和A0引脚使用

内部电路对自身偏置到逻辑低状态，如果该引脚被允许浮动。

该设备地址的第八位是读/写操作选择位。如果在启动读操作

此位为高，如果此位为低时启动的写操作。

当一个器件地址时， EEPROM将输出一个“ 0 ”的。如果比较不发，芯片

将返回到待机状态。

数据安全：

该BL24C128 / BL24C256具有一个硬件数据保护方案，使

用户写保护整个内存时， WP引脚为VCC 。

写操作

写字节：

写操作需要两个8位数据地址如下器件地址

和确认。在收到该地址后，EEPROM将再次为“0 ”，然后响应

时钟的第一个8位数据字。在接收到8位数据字后，EEPROM将输出一个“0”

和寻址装置，例如微控制器，必须以停止命令的写入顺序

条件。这时EEPROM进入内部定时的写周期，T

到非易失性存储器。

所有的输入都是在此写周期禁用和EEPROM不会响应，直到写操作

完成（见图5）。

页写：

在128K / 256K器件能实现64字节页写。

一个页面写入启动同一个字节写，但单片机不发送停止条件

第一个数据字之后被时钟，相反，对EEPROM确认接收所述第一数据之后

一句话，微控制器可以传输多达63个以上的数据字。 EEPROM中会以“0 ”响应

之后的每个数据字接收。微控制器必须终止页写操作，止损

状态（参见图6）。

数据地址的低6 （ 128K / 256K ）位内部加在收到的

每个数据字。更高的数据地址位没有变化，保持存储器的页

位置。当字地址，内部产生，达到页边界，后面的字节是

放置在同一页的开头。如果超过64个数据字被传输到EEPROM中，

数据地址将“翻转”和以前的数据将被覆盖。

确认查询：

一旦内部定时写周期已经开始， EEPROM输入

被禁止，便可进行应答轮询启动。该过程包括发送一个起始条件

器件地址。读/写位由需要进行的操作。仅在内部

写入周期结束， EEPROM的响应为“0 ” ，从而使读出或写入的序列，以

继续。

读操作

读操作被启动的方式相同的写操作，不同的是读/写

在器件地址选择位设定为“1”。有三种读操作：当前地址读，

随机地址读和顺序读。