BZX85C3V3RL系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.2 V最大，我
F
= 200 mA，对于所有类型）
齐纳电压
（注2和3）
设备
（注1 ）
BZX85C3V3RL
BZX85C3V6RL
BZX85C3V9RL
BZX85C4V3RL
BZX85C4V7RL
BZX85C5V1RL
BZX85C5V6RL
BZX85C6V2RL
BZX85C6V8RL
BZX85C7V5RL
BZX85C8V2RL
BZX85C9V1RL
BZX85C10RL
BZX85C12RL
BZX85C13RL
BZX85C15RL
BZX85C16RL
BZX85C18RL
BZX85C22RL
BZX85C24RL
BZX85C27RL
BZX85C30RL
BZX85C33RL
BZX85C36RL
BZX85C43RL
BZX85C47RL
BZX85C62RL
BZX85C75RL
BZX85C82RL
设备
记号
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C62
BZX85C75
BZX85C82
V
Z
（伏）
民
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
40
44
58
70
77
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.45
8.2
9.05
10
12.05
13.25
14.7
16.2
17.95
22.05
24.2
27
30
33
36
43
47
62
75
82
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
23.3
25.6
28.9
32
35
38
46
50
66
80
87
@ I
ZT
mA
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
15
15
15
10
10
8
8
8
8
6
4
4
4
2.7
齐纳阻抗
（注4 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
20
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
7
9
10
15
15
20
25
25
30
30
35
40
50
90
125
150
200
Z
ZK
@ I
ZK
W
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
350
400
500
500
500
600
600
750
1000
1000
1000
1000
1500
2000
2000
3000
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
A
最大
1
1
1
1
1.5
2
2
3
4
4.5
5
6.5
7
8.4
9.1
10.5
11
12.5
15.5
17
19
21
23
25
30
33
43
51
56
伏
60
30
5
3
3
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
I
R
（注5 ）
mA
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
380
344
304
285
250
205
190
170
150
135
125
110
95
70
60
55
1.
耐性与TYPE号指定
列出的类型号有齐纳电压的最小/最大限制为示出并具有上的额定齐纳电压的标准公差
±5%.
2.
可用性特殊二极管
对于之间显示的电压和更严格的电压价格，可用性和交付额定齐纳电压的详细信息
公差，请联系距离您最近的安森美半导体的代表。
3.
齐纳电压（V
Z
）测量
V
Z
之后测试电流已经施加到40测量
±10
毫秒，同时维持导线温度（T
L
）在30℃下
±1°C,
3/8 “从
二极管身体。
4.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从1kHz周期的交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
5.
浪涌电流（I
R
）不重复
在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波或eqivalent电流
1/120秒的持续时间的正弦波脉冲叠加在测试电流I
ZT
。然而，实际的设备能力是如在图中描述
5总数据 - DO- 41玻璃。
http://onsemi.com
3
BZX85C3V3RL系列
一。范围为单位，以12伏
θV
Z，温度系数（毫伏/ ° C）
θV
Z，温度系数（毫伏/ ° C）
+12
+10
+8
+6
+4
+2
0
-2
-4
2
3
4
5
6
7
8
9
V
Z
，齐纳电压（伏）
10
11
12
范围
V
Z
@ I
ZT
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
20
30
50
V
Z
，齐纳电压（伏）
70
100
范围
V
Z
@ I
ZT
B 。范围为单位，以12 100伏特
图2.温度系数
（ -55 ° C至+ 150 ° C的温度范围内; 90 ％的单位都在指定的范围）
θ
JL ，交界处领导热阻（毫伏/ ° C / W）
150
125
100
75
50
25
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
θV
Z，温度系数（毫伏/ ° C）
175
+6
+4
+2
0
-2
-4
V
Z
@ I
Z
T
A
= 25°C
20毫安
0.01毫安
1毫安
注：低于3千伏及以上8伏
注意：
在齐纳电流的变化不会
注意：
影响温度系数
3
4
5
6
7
8
V
Z
，齐纳电压（伏）
L，引线长度到散热器（英寸）
图3.典型热阻
对引线长度
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.01
10 ％占空比
20 ％占空比
5 ％占空比
齐纳电流的图4的影响
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
11 V - 100 V非重复性
3.3 V - 10 V非重复性
矩形
波形
T
J
= 25 ° C状态
初始脉冲
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
该曲线图表示90百分位数的数据点。
对于最坏的情况下设计的特点，乘以2/3浪涌功率。
1
2
5
PW ，脉冲宽度（毫秒）
10
20
50
100
200
500
1000
图5.最大浪涌电源
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体
技术参数
500毫瓦的DO - 35玻
齐纳稳压二极管
综合参数适用于所有系列中
本组
一般
数据
500毫瓦
DO- 35玻
玻璃齐纳二极管
500毫瓦
1.8-200伏
500毫瓦
密封式
玻璃硅稳压二极管
规格特点：
完整的电压范围 - 1.8 200伏
DO- 204AH包 - 比传统的DO - 204AA封装小
双弹头式建筑
冶金结合建设
机械特性：
案例：
双塞型，密闭玻璃
最大的铅焊接温度的目的：
230 ℃下，为1/16 “，从
情况下，10秒
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀易与焊引线
极性：
阴极指出的色带。当齐纳二极管模式操作时，阴极
将正相对于阳极
安装位置：
任何
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
汉城
最大额定值
（摩托罗拉设备） *
等级
DC功耗和TL
≤
75°C
引线长度= 3/8 “
减免上述TL = 75℃
工作和存储温度范围
*有些部件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
CASE 299
DO-204AH
玻璃
符号
PD
价值
500
4
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
TJ ， TSTG
- 65 + 200
PD ，最大功耗（瓦）
0.7
0.6
0.5
0.4
3/8”
3/8”
热
洗涤盆
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
TL ，焊接温度（ ° C）
图1.稳态功率降额
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-97
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
使用注意事项 - 齐纳电压
因为从一个给定的齐纳二极管可用的实际电压
是依赖于温度的，它确定junc-是必要
在为了任何组操作条件化温度
计算出其值。下面的过程是中建议
谁料：
铅温度， TL ，应该从确定：
TL =
θ
LAPD + TA 。
θ
洛杉矶是引入到环境的热阻（ ° C / W）和PD是
功耗。对于价值
θ
LA会有所不同，取决于
在装置的安装方法。
θ
LA通常30是40℃ / W的
在普通使用和各种剪辑和连接点
印刷电路板的布线。
引线的温度，也可以使用测得的
热电偶置于铅尽可能接近的领带
点。连接到所述连接点的热质量通常
足够大，使得它不会显著响应以加热
在二极管的浪涌产生的脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。使用测
TL的sured值，结温度可以阻止 -
开采方式：
TJ = TL +
T
JL 。
T
JL是上述引线的增加，结温
温度，并且可以发现，从图2中的直流功率：
T
JL =
θ
JLPD 。
对于最坏情况设计，采用预期IZ的极限，极限
PD和TJ的极端（ ΔTJ ）可以被估计。变化
电压， VZ ，然后可以得到：
V
=
θ
VZTJ 。
θ
VZ时，齐纳电压的温度系数，可由下式求得
图4和图5 。
在高功率脉冲操作中，齐纳电压将
随时间而变化，并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持目前的短途旅行
尽可能低。
浪涌限制是在图7中给出它们比低
将通过仅考虑结温度可以预期，
由于电流拥挤效应引起的温度是EX-
tremely高的小斑点，导致器件退化
应的图7的限制被超过。
θ
JL ，结到铅热阻（
°
C / W ）
500
400
L
L
300
2.4–60 V
200
100
0
62–200 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
L，引线长度到散热器（ INCH ）
图2.典型热阻
1000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
+25°C
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
I R ，漏电流（
A)
+125°C
VZ ，额定齐纳电压（伏）
图3.典型漏电流
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-98
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
温度系数
（ -55 ° C至+ 150 ° C的温度范围内; 90 ％的单位都在指定的范围）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
+12
+10
+8
+6
+4
+2
范围
0
–2
–4
2
3
4
5
6
7
8
9
VZ ，齐纳电压（伏）
10
11
12
VZ @ IZT
（注2 ）
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
范围
VZ @ IZ （注2 ）
20
30
50
VZ ，齐纳电压（伏）
70
100
图4a。范围为单位，以12伏
图4b。范围内单位12 100伏特
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
θV
Z，温度系数（毫伏/
°C)
200
180
160
+6
+4
+2
20毫安
0
0.01毫安
–2
–4
3
4
1毫安
注：低于3千伏及以上8伏
注意：
在齐纳电流的变化不会
注意：
AFFECT温度系数
5
6
7
8
VZ @ IZ
TA = 25°C
140
VZ @ IZT
（注2 ）
120
100
120
130
140
150
160
170
180
190
200
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图4c 。范围单位120至200伏特
齐纳电流图5.影响
1000
500
0 V BIAS
200
C，电容（pF ）
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
的50 ％
VZ BIAS
TA = 25°C
100
70
50
C，电容（pF ）
30
20
TA = 25°C
0 BIAS
1 V BIAS
1伏偏置
10
7
5
3
2
1
VZ BIAS的50 ％
50
100
120
140
160
180
190
200
220
VZ ，齐纳电压（伏）
VZ ，齐纳电压（伏）
图6a 。典型电容2.4-100伏
图6b 。典型电容120-200伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-99
一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
20
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
VZ ，齐纳电压（伏）
图11.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 1通16伏
10
TA = 25°
I Z ，齐纳电流（mA）
1
0.1
0.01
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
VZ ，齐纳电压（伏）
图12.齐纳电压与稳压电流 - VZ = 15通30伏
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
6-101
BZX85C3V3RL系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.2 V最大，我
F
= 200 mA，对于所有类型）
齐纳电压
（注2和3）
设备
（注1 ）
BZX85C3V3RL
BZX85C3V6RL
BZX85C3V9RL
BZX85C4V3RL
BZX85C4V7RL
BZX85C5V1RL
BZX85C5V6RL
BZX85C6V2RL
BZX85C6V8RL
BZX85C7V5RL
BZX85C8V2RL
BZX85C9V1RL
BZX85C10RL
BZX85C12RL
BZX85C13RL
BZX85C15RL
BZX85C16RL
BZX85C18RL
BZX85C22RL
BZX85C24RL
BZX85C27RL
BZX85C30RL
BZX85C33RL
BZX85C36RL
BZX85C43RL
BZX85C47RL
BZX85C62RL
BZX85C75RL
BZX85C82RL
设备
记号
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C12
BZX85C13
BZX85C15
BZX85C16
BZX85C18
BZX85C22
BZX85C24
BZX85C27
BZX85C30
BZX85C33
BZX85C36
BZX85C43
BZX85C47
BZX85C62
BZX85C75
BZX85C82
V
Z
（伏）
民
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
40
44
58
70
77
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.45
8.2
9.05
10
12.05
13.25
14.7
16.2
17.95
22.05
24.2
27
30
33
36
43
47
62
75
82
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
23.3
25.6
28.9
32
35
38
46
50
66
80
87
@ I
ZT
mA
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
15
15
15
10
10
8
8
8
8
6
4
4
4
2.7
齐纳阻抗
（注4 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
20
15
15
13
13
10
7
4
3.5
3
5
5
7
9
10
15
15
20
25
25
30
30
35
40
50
90
125
150
200
Z
ZK
@ I
ZK
W
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
350
400
500
500
500
600
600
750
1000
1000
1000
1000
1500
2000
2000
3000
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
A
最大
1
1
1
1
1.5
2
2
3
4
4.5
5
6.5
7
8.4
9.1
10.5
11
12.5
15.5
17
19
21
23
25
30
33
43
51
56
伏
60
30
5
3
3
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
I
R
（注5 ）
mA
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
380
344
304
285
250
205
190
170
150
135
125
110
95
70
60
55
1.
耐性与TYPE号指定
列出的类型号有齐纳电压的最小/最大限制为示出并具有上的额定齐纳电压的标准公差
±5%.
2.
可用性特殊二极管
对于之间显示的电压和更严格的电压价格，可用性和交付额定齐纳电压的详细信息
公差，请联系距离您最近的安森美半导体的代表。
3.
齐纳电压（V
Z
）测量
V
Z
之后测试电流已经施加到40测量
±10
毫秒，同时维持导线温度（T
L
）在30℃下
±1°C,
3/8 “从
二极管身体。
4.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从1kHz周期的交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
5.
浪涌电流（I
R
）不重复
在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波或eqivalent电流
1/120秒的持续时间的正弦波脉冲叠加在测试电流I
ZT
。然而，实际的设备能力是如在图中描述
5总数据 - DO- 41玻璃。
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3
BZX85C3V3RL系列
一。范围为单位，以12伏
θV
Z，温度系数（毫伏/ ° C）
θV
Z，温度系数（毫伏/ ° C）
+12
+10
+8
+6
+4
+2
0
-2
-4
2
3
4
5
6
7
8
9
V
Z
，齐纳电压（伏）
10
11
12
范围
V
Z
@ I
ZT
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
20
30
50
V
Z
，齐纳电压（伏）
70
100
范围
V
Z
@ I
ZT
B 。范围为单位，以12 100伏特
图2.温度系数
（ -55 ° C至+ 150 ° C的温度范围内; 90 ％的单位都在指定的范围）
θ
JL ，交界处领导热阻（毫伏/ ° C / W）
150
125
100
75
50
25
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
θV
Z，温度系数（毫伏/ ° C）
175
+6
+4
+2
0
-2
-4
V
Z
@ I
Z
T
A
= 25°C
20毫安
0.01毫安
1毫安
注：低于3千伏及以上8伏
注意：
在齐纳电流的变化不会
注意：
影响温度系数
3
4
5
6
7
8
V
Z
，齐纳电压（伏）
L，引线长度到散热器（英寸）
图3.典型热阻
对引线长度
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.01
10 ％占空比
20 ％占空比
5 ％占空比
齐纳电流的图4的影响
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
11 V - 100 V非重复性
3.3 V - 10 V非重复性
矩形
波形
T
J
= 25 ° C状态
初始脉冲
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
该曲线图表示90百分位数的数据点。
对于最坏的情况下设计的特点，乘以2/3浪涌功率。
1
2
5
PW ，脉冲宽度（毫秒）
10
20
50
100
200
500
1000
图5.最大浪涌电源
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5
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