BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C ， BDW84D
PNP硅功率DARLINGTONS
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1978年8月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用带
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C和
BDW83D
150瓦，在25 ° C的温度
15 A连续集电极电流
最低
FE
750在3 V ， 6的
E
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
q
q
q
C
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BDW84
BDW84A
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BDW84B
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0 ） （见注1 ）
BDW84B
BDW84C
BDW84D
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
工作温度范围
工作自由空气的温度范围内
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
2
T
j
T
英镑
T
A
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
-45
-60
-80
-100
-120
-45
-60
-80
-100
-120
-5
-15
-0.5
150
3.5
100
-65到+150
-65到+150
-65到+150
V
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
V
V
单位
这些值适用于当基极 - 发射极二极管是断路。
降额直线到150℃情况下，温度以1.2的速率的W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -5毫安，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C ， BDW84D
PNP硅功率DARLINGTONS
1978年8月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
测试条件
BDW84
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BDW84A
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
（见注5 ）
BDW84B
BDW84C
BDW84D
V
CE
= -30 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= -30 V
V
CE
= -40 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -60 V
V
CB
= -45 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= -120 V
V
CB
= -45 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
V
CB
= -120 V
I
EBO
h
FE
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
V
EC
发射极截止
当前
正向电流
传输比
基射
电压
集电极 - 发射极
饱和电压
并联二极管
正向电压
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
-5 V
-3 V
-3 V
-3 V
-12毫安
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
= -6 A
I
C
= -15 A
I
C
= -6 A
I
C
= -6 A
I
C
= -15 A
I
B
= 0
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
750
100
-2.5
-2.5
-4
-3.5
V
V
V
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
民
-45
-60
-80
-100
-120
-1
-1
-1
-1
-1
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-5
-5
-5
-5
-5
-2
20000
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
B
= -150毫安
I
E
=
-15 A
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
0.83
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -10 A
V
BE （OFF）的
= 4.2 V
I
B（上）
= -40毫安
R
L
= 3
民
I
B（关闭）
= 40毫安
t
p
= 20
s,
dc
≤
2%
典型值
0.9
7
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C ， BDW84D
PNP硅功率DARLINGTONS
1978年8月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10000
TCS145AG
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
-2·0
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
I
B
= I
C
/ 100
-1·5
TCS145AH
h
FE
- 典型的直流电流增益
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
1000
-1·0
-0·5
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
0
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-20
V
CE
= -3 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
100
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-20
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
-3·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
-2·5 T
C
= 100°C
TCS145AI
-2·0
-1·0
-1·5
-0·5
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
0
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-20
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C ， BDW84D
PNP硅功率DARLINGTONS
1978年8月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS145AB
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-1·0
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
-0·1
-1·0
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
160
P
合计
- 最大功耗 - W
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS140AB
图5中。
产品
信息
4
BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C ， BDW84D
PNP硅功率DARLINGTONS
1978年8月 - 修订1997年3月
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
3,95
4,15
1,37
1,17
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
产品
信息
5
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
输入BDW83 / 83A / 83B / 83C / 83D
·达林顿
高
直流电流增益
应用
For
在电源线和开关使用
应用程序。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BDW84/84A/84B/84C/84D
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
参数
BDW84
BDW84A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BDW84B
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BDW84B
BDW84C
BDW84D
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
结温
储存温度
3.5
150
-65~150
℃
℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-45
-60
-80
-100
-120
-45
-60
-80
-100
-120
-5
-15
-0.5
150
W
V
A
A
V
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BDW84/84A/84B/84C/84D
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C ， BDW84D
PNP硅功率DARLINGTONS
●
专为配套使用带
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C和
BDW83D
150瓦，在25 ° C的温度
15 A连续集电极电流
C
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
●
●
●
2
最低
FE
750在3V ， 6的
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAAA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
BDW84
BDW84A
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BDW84B
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0 ） （见注1 ）
BDW84B
BDW84C
BDW84D
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
工作温度范围
工作自由空气的温度范围内
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
A
2
符号
价值
-45
-60
单位
V
CBO
-80
-100
-120
-45
-60
V
V
首席执行官
-80
-100
-120
-5
-15
-0.5
150
3.5
100
-65到+150
-65到+150
-65到+150
V
V
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
这些值适用于当基极 - 发射极二极管是断路。
降额直线到150℃情况下，温度以1.2的速率的W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -5毫安，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C ， BDW84D
PNP硅功率DARLINGTONS
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
测试条件
BDW84
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BDW84A
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
（见注5 ）
BDW84B
BDW84C
BDW84D
V
CE
= -30 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= -30 V
V
CE
= -40 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -60 V
V
CB
= -45 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= -120 V
V
CB
= -45 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
V
CB
= -120 V
I
EBO
h
FE
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
V
EC
发射极截止
当前
正向电流
传输比
基射
电压
集电极 - 发射极
饱和电压
并联二极管
正向电压
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
-5 V
-3 V
-3 V
-3 V
-12毫安
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
= -6 A
I
C
= -15 A
I
C
= -6 A
I
C
= -6 A
I
C
= -15 A
I
B
= 0
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
750
100
-2.5
-2.5
-4
-3.5
V
V
V
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
民
-45
-60
-80
-100
-120
-1
-1
-1
-1
-1
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-5
-5
-5
-5
-5
-2
20000
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
B
= -150毫安
I
E
=
-15 A
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
0.83
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -10 A
V
BE （OFF）的
= 4.2 V
I
B（上）
= -40毫安
R
L
= 3
民
I
B（关闭）
= 40毫安
t
p
= 20
s,
dc
≤
2%
典型值
0.9
7
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C ， BDW84D
PNP硅功率DARLINGTONS
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10000
TCS145AG
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
-2·0
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
I
B
= I
C
/ 100
-1·5
TCS145AH
h
FE
- 典型的直流电流增益
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
1000
-1·0
-0·5
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
0
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-20
V
CE
= -3 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
100
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-20
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
-3·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
-2·5 T
C
= 100°C
TCS145AI
-2·0
-1·0
-1·5
-0·5
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
0
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-20
网络连接gure 3 。
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C ， BDW84D
PNP硅功率DARLINGTONS
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS145AB
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-1·0
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
-0·1
-1·0
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
160
P
合计
- 最大功耗 - W
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS140AB
图5中。
4
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C ， BDW84D
PNP硅功率DARLINGTONS
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
1,37
1,17
3,95
4,15
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
5
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
输入BDW83 / 83A / 83B / 83C / 83D
·达林顿
高
直流电流增益
应用
For
在电源线和开关使用
应用程序。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BDW84/84A/84B/84C/84D
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
固电
IN
导½
半
参数
条件
BDW84
BDW84A
BDW84B
V
CBO
集电极 - 基极电压
ES
昂
CH
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
发射极开路
ND
ICO
EM
OR
UCT
价值
-45
-60
-80
-100
-120
-45
-60
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
开基
-80
-100
-120
V
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极开路
-5
-15
-0.5
V
A
A
W
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
结温
储存温度
150
3.5
150
-65~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BDW84/84A/84B/84C/84D
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·补充输入BDW83 / 83A / 83B / 83C / 83D
·达林顿
·高直流电流增益
应用
·对于电源线和开关的使用
应用程序。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BDW84/84A/84B/84C/84D
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
BDW84
BDW84A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BDW84B
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BDW84B
BDW84C
BDW84D
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
T
a
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-45
-60
-80
-100
-120
-45
-60
-80
-100
-120
-5
-15
-0.5
150
3.5
150
-65~150
V
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BDW84/84A/84B/84C/84D
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
PNP BDW84 - BDW84A - BDW84B
BDW84C - BDW84D
PNP硅DARLINGTONS功率晶体管
他们是硅外延基PNP功率单片达林顿晶体管安装在
JEDEC TO- 218塑料封装。
它们设计用于线性电源和开关应用。
互补是BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C ， BDW83D
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
评级
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
价值
-45
-60
-80
-100
-120
-45
-60
-80
-100
-120
-5
-15
-0.5
150
3.5
-65到+150
-65到+150
单位
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
I
B
= 0
V
V
CBO
集电极 - 发射极电压I
E
= 0
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
I
C
= 0
V
V
EBO
I
C
I
B
P
t
T
J
T
英镑
V
A
A
W
°C
°C
25 ℃的情况下。温度
25℃免费艾尔。温度
热特性
符号
R
thJC
R
thJA
评级
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
价值
0.83
35.7
单位
° C / W
23/10/2012
半导体COMSET
1|3
PNP BDW84 - BDW84A - BDW84B
BDW84C - BDW84D
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
BDW84
BDW84A
BDW84B
BDW84C
BDW84D
民
-45
-60
-80
-100
-120
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-1
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压（ * ）
I
C
= 30毫安
I
B
=0
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
EC
t
on
t
关闭
发射Cuto FF电流
直流电流增益（ * ）
集电极 - 发射极
饱和电压（ * ）
基射极电压（ * ）
并联二极管正向
电压
开启时间
打开-O FF时间
I
B
=0, V
CE
=-30 V
I
B
=0, V
CE
=-30 V
I
B
=0, V
CE
=-40 V
I
B
=0, V
CE
=-50 V
I
B
=0, V
CE
=-60 V
I
E
= 0, V
CB
=-45 V
I
E
= 0, V
CB
=-60 V
I
E
= 0, V
CB
=-80 V
I
E
= 0, V
CB
=-100 V
I
E
= 0, V
CB
=-120 V
V
CB
= -45 V，I
E
= 0
BDW84
T
例
= 150°C
V
CB
= -60 V，I
E
= 0
BDW84A
T
例
= 150°C
V
CB
= -80 V，I
E
= 0
BDW84B
T
例
= 150°C
V
CB
= -100 V，I
E
= 0
BDW84C
T
例
= 150°C
V
CB
= -120 V，I
E
= 0
BDW84D
T
例
= 150°C
V
EB
= -5.0 V，I
C
=0
I
C
= -6 A，V
CE
=-3.0 V
I
C
= -15 A，V
CE
=-3.0 V
I
C
= -6 A，I
B
= -12毫安
I
C
= -15 A，I
B
= -150毫安
I
C
= -6 A，I
B
=-3 A
I
E
= -15 A，I
E
= 0
IC = -10 A，
IB1 = -IB2 = -40毫安
RL = 3Ω ; VBE （关闭） = 4.2V
值班Cycle≤2 ％
mA
-
-
-0.5
mA
-
-
-5
-
750
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9
7
-2
20 K
-
-2.5
-4
-2.5
-3.5
-
-
mA
-
V
V
V
s
（ * ）脉冲宽度= 300
s,
占空比< = 2 ％
23/10/2012
半导体COMSET
2|3
PNP BDW84 - BDW84A - BDW84B
BDW84C - BDW84D
机械数据案例TO3PN非隔离塑料包装
外形尺寸（mm ）
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
R
S
T
15.20
1.90
4.60
3.10
马克斯。
1600
2.10
5.00
3.30
9.60
2.00
0.55
1.40
5.55
20.20
1.25
2.00
3.00
4.00
4.00
1.80
5.20
0.35
5.35
20.00
19.60
0.95
4.80
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
BASE
集热器
辐射源
该中心引脚电
与安装片接触。
修订后的2012年8月
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23/10/2012
半导体COMSET
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3|3
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