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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第467页 > BD8646FV
单芯片型内置式FET型开关稳压器
灵活的降压
开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD8646FV
No.10027EAT44
°说明
该BD8646FV是一款同步降压型开关稳压器,集成了2个低电阻N沟道MOSFET 。
能达到2A的连续输出电流在很宽的输入电压范围。
电流模式能提供快速的瞬态响应,并轻松相位补偿。
功能
1)同步整流用内置FET型的DC / DC转换器
2 ) 2.0A输出电流
3) Range of operation power-supply voltage 4.5V½18V
4 )参考电压FB 0.8V ±1%的
5) Programmable frequency 100kHz½600kHz
6 )过电流保护功能
7 )热关断功能
8 )欠压保护
9 )软启动时间进行功能/软启动延迟电路
10 )可编程OFFLATCH时间
■应用
FPD , DVD ,硬盘录像机,机顶盒,娱乐,其他
“绝对
最大额定值( TA = 25 ℃ )
参数
输入电源电压
BOOT端电压
EN端电压
输入端子的电压
SW端电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
V
BOOT
V
EN
V
INP
V
SW
I
OUT
Pd
TOPR
TSTG
*1
评级
20
28
GND-0.3
½
V
IN
+0.3
GND-0.3
½
7
GND-0.3
½
V
IN
+0.3
2.5
1.19
*2
单位
V
V
V
V
V
A
W
-20
½
85
-55
½
150
*1 V
INP
应用终端:SS / DELAY , FB , FC , RT , PSET
* 2( 70毫米X30 70毫米,厚度1.6毫米,和4层的玻璃环氧树脂基板),当安装基板和封装
背曝光部分与焊点连接
工作在比更高的Ta = 25 ℃ , 9.5mW应每减少
“操作
条件
参数
输入电源电压
输出电流
*
符号
V
IN
I
OUT
评级
分钟。
4.5
-
典型值。
-
-
马克斯。
18.0
2.0
单位
V
A
本产品并非设计用于防止放射性射线。
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1/13
2010.09 - Rev.A的
BD8646FV
ⅵELECTRICAL
特征
(除非另有说明,TA = 25 ℃ ,V
IN
=12V, V
EN
= 3V)
参数
V
IN
电源电流(工作)
V
IN
电源电流(待机)
参考电压(V
REF
)
振荡频率
高侧FET导通电阻
低侧FET导通电阻
UVLO电压
SW漏电流
EN端H阈值电压
EN端子L的阈值电压
SS /延迟端子源极电流
SS /延迟 - FB失调电压
PSET端子源极电流
PSET终端阈值电压
技术说明
符号
I
Q_active
I
Q_stby
V
FB
f
OSC
R
HFET
R
LFET
V
UVLO
I
LSW
V
ENH
V
ENL
I
SSSO
V
SSFBOST
I
PSET
V
PSET
范围
分钟。
-
-
0.792
270
-
-
3.8
-
1.6
-
2.8
450
3.0
0.8
典型值。
1.5
0.8
0.800
300
120
120
4.0
0
-
-
4.0
600
5.0
1.0
马克斯。
2.5
1.2
0.808
330
170
170
4.2
5
-
0.4
5.2
750
7.0
1.2
单位
mA
mA
V
千赫
m
m
V
μA
V
V
μA
mV
μA
V
条件
V
FB
= 0.75V
V
EN
= 0V
FB- FC短
R
RT
= 56k
I
SW
= -1A
I
SW
= 1A
V
IN
V
EN
= 0V
V
SS
= 1V
V
SS
= 1V
V
PSET
= 2V
V
FB
: FB的端电压,V
EN
: EN端电压,V
SS
:SS / DELAY端电压,V
PSET
: PSET端电压中,R
RT
: RT电阻
电流容量不应超过钯。
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2010.09 - Rev.A的
BD8646FV
参考
数据
0.820
0.815
0.810
技术说明
0.810
VIN=12V
VFB和FC [V]的
0.805
Ta=25℃
VFB和FC [V]的
VFBとFC [ V]
0.800
0.795
0.790
0.785
0.780
-20
-5
10
25
40
55
70
85
VFBとFC [ V]
0.805
0.800
0.795
0.790
4
6
8
10
12
14
16
18
TA [ ℃ ]
图1基准电压 - 温度
特征
340
330
320
图2参考电压 - VIN特点
340
330
输入电压[V]的
VIN=12V
FSW [千赫]
320
310
300
290
280
270
260
Ta=25℃
FSW [千赫]
310
300
290
280
270
260
-20
-5
10
25
40
55
70
85
4
6
8
10
12
14
16
18
TA [ ℃ ]
输入电压[V]的
图3频率 - 温度特性
5.0
4.8
4.6
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
-20
图4频率 - VIN特点
5.0
4.5
4.0
3.5
VIN=12V
Ta=25℃
ISS [ μA ]
ICC [马]
-5
10
25
40
55
70
85
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
4
6
8
10
12
14
16
18
TA [ ℃ ]
Fig.5
SS / DELAY
充电电流 - 温度特性
320
280
240
320
280
输入电压[V]的
图6短路电流 - VIN特点
VIN=12V
SW_PGND [毫欧]
VIN=12V
240
200
160
120
80
40
0
VIN_SW [毫欧]
200
160
120
80
40
0
-20
-5
10
25
40
55
70
85
-20
-5
10
25
40
55
70
85
TA [ ℃ ]
图7嗨侧FET ON_R - 温度特性
320
280
240
图8低边FET ON_R - 温度特性
320
280
TA [ ℃ ]
200
160
120
80
40
0
4
6
8
10
12
14
16
18
SW_PGND [毫欧]
Ta=25℃
240
200
160
120
80
40
0
4
Ta=25℃
VIN_SW [毫欧]
6
8
10
12
14
16
18
输入电压[V]的
输入电压[V]的
图9嗨侧FET ON_R - VIN特点
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图10低侧FET ON_R - VIN特点
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2010.09 - Rev.A的
BD8646FV
技术说明
FB
11
FC
12
RT
13
PSET
14
EN
15
NC
16
NC
17
VIN
18
VIN
19
VIN
20
GND
10
SS
软启动/延时
9
NC
OSC
当前
DET
5V
8
BOOT
7
SW
保护时间
EN
PWM
控制
6
SW
5
SW
4
保护地
3
保护地
2
保护地
1
VOUT
图11框图
转让
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
符号
保护地
保护地
保护地
SW
SW
SW
BOOT
NC
SS / DELAY
GND
描述
电源GND端子
电源GND端子
电源GND端子
开关量输出端子
开关量输出端子
开关量输出端子
自举端
-
软启动调节能力
接线端子
信号GND端子
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
符号
FB
FC
RT
PSET
EN
NC
NC
VIN
VIN
VIN
描述
终端反馈
相位修正终端
频率调节电阻
接线端子
调整OFF LATCH时间端子
使能输入
-
-
电源输入端子
电源输入端子
电源输入端子
█Package
外形尺寸
产品编号
BD8646
1PIN MARK
LOT号
SSOP - B20W (单位:毫米)
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2010.09 - Rev.A的
BD8646FV
操作
描述
技术说明
1能控制
该装置可开/关通过EN端子(15引脚)的电压被控制为ON 。
内部电路时, VEN达到1.4V启动。
站立起来的VIN时太陡( 1毫秒或更小) ,一个有缺陷的启动可能根据Pascon的状态而引起
接地衬底图案和电源之间供给时,端EN被短路到端子VIN ,它被使用。
V
EN
EN端
V
ENH
V
ENL
0
V
SSCLM
SS端
V
SSTH
V
SS
0
V
O
输出设定电压
0
t
SS
在图12 EN ON / OFF的过渡波形控制
(2)软启动时间设定功能
至于BD8646FV ,输出可通过充电软启动能力做的软启动无过冲(C
SS
),连接在
SS / DELAY ( 9针)和GND ( 10针)端子。
此外,软启动时间( TSS)可通过设置软启动能力设定(C
SS
)随意。
(请参见第5-2软启动时间设定方法)
3 OSC振荡频率设定功能
输出的振荡频率可通过终端RT (13引脚)和GND之间连接的电阻设置
(范围= 100kHz的 - 600kHz的)
RT端子电阻和振荡频率之间的关系如下图13所示。
10000
1000
申银万国[的kH Z]
100
10
1
10
100
1000
RT [ kΩ的]
通过RT电阻图13振荡频率设置
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5/13
2010.09 - Rev.A的
1/4
结构:
产品名称
产品型号:
特点
硅单片集成电路
同步整流用内置FET型的DC / DC转换器集成电路
BD8646FV
·同步整流用内置FET型的DC / DC转换器
·输出电流2A
·参考电压精度FB 0.8V ± 1 %
·开关频率100kHz~600kHz
·过电流保护电路
·热关断
·输入低电压检测UVLO
·软启动/启动延迟电路
·可编程OFFLATCH时间
◎绝对最大额定值
参数
输入电源电压
BOOT端电压
EN端电压
输入端子的电压
SW端电压
输出开关电流
功耗
工作温度
储存温度
(Ta=25℃)
符号
V
IN
V
BOOT
V
EN
V
INP*1
V
SW
I
OUT
Pd
TOPR
TSTG
范围
20
28
GND - 0.3 V
IN
+0.3
GND - 0.3 7
GND - 0.3 V
IN
+0.3
2.5
*2
2.06
*3
-20 85
-55 150
150
单位
V
V
V
V
V
A
最大结
TJMAX
温度
*1 V
INP
应用终端:SS / DELAY , FB , FC , RT , PSET
*2
不要但是超过钯。
* 3 ( 70毫米X30 70毫米,厚度1.6毫米,和4层的玻璃环氧树脂基板),当安装基板和封装
背曝光部分与焊点连接。
工作在比更高的Ta = 25 ℃ , 9.5mW应每减少
◎操作条件
参数
输入电源电压
输出开关电流
符号
V
IN
I
OUT
4.5
-
典型值
-
-
最大
18.0
2.0
单位
A
本产品并非设计用于防止放射性射线。
版本B
2/4
■电气特性
(除非另有说明,TA = 25 ℃ , VIN = 12V ,V
EN
= 3V)
参数
VIN电源电流(工作)
VIN电源电流(待机)
参考电压(VREF)
振荡频率
高侧FET导通电阻
低侧FET导通电阻
UVLO电压
SW漏电流
EN端H阈值电压
EN端子L的阈值电压
SS /延迟端子源极电流
SS /延迟 - FB失调电压
PSET端子源极电流
PSET终端阈值电压
●电流能力应不超过钯。
符号
I
Q_active
I
Q_½½½½
V
FB
½
OSC
R
HFET
R
LFET
V
UVLO
I
LSW
V
ENH
V
ENL
I
SSSO
V
SSFBOST
I
PSET
V
PSET
-
-
0.792
270
-
-
3.8
-
1.6
-
2.8
450
3
0.8
规格值
典型值
1.5
0.8
0.8
300
120
120
4.0
0
-
-
4
600
5
1.0
最大
2.5
1.2
0.808
330
170
170
4.2
5
-
0.4
5.2
750
7
1.2
单位
mA
mA
V
千赫
V
μA
V
V
μA
mV
μA
V
条件
V
FB
= 0.75V
V
EN
= 0V
FB- FC短
R
RT
= 56kΩ
I
SW
= -1A
I
SW
= 1A
VIN扫描
V
EN
= 0V
V
SS
= 1V
V
SS
= 1V
V
PSET
= 2V
●V
FB
: FB的端电压,V
EN
: EN端电压,V
SS
:SS / DELAY端电压,V
PSET
: PSET端电压中,R
RT
: RT电阻
版本B
3/4
.Block图
FB
11
FC
12
RT
13
PSET
14
EN
15
NC
16
NC
17
VIN
18
VIN
19
VIN
20
1
2
保护地
3
保护地
4
保护地
EN
PWM
控制
6
SW
5
SW
VOUT
保护时间
OSC
5V
GND
10
SS
软启动/延时
9
NC
8
当前
DET
BOOT
7
SW
■引脚分配
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
符号
保护地
保护地
保护地
SW
SW
SW
BOOT
NC
SS / DELAY
GND
描述
电源GND端子
电源GND端子
电源GND端子
开关量输出端子
开关量输出端子
开关量输出端子
自举端
-
软启动调节能力的连接
终奌站
信号GND端子
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
符号
FB
FC
RT
PSET
EN
NC
NC
VIN
VIN
VIN
描述
终端反馈
相位修正终端
频率调节电阻连接
终奌站
调整OFF LATCH时间端子
使能输入
-
-
电源输入端子
电源输入端子
电源输入端子
○封装外形
产品编号
BD8646
1PIN MARK
罗号
SSOP - B20W (单位:mm )
版本B
4/4
◎注意上使用
1.关于绝对最大额定值
注意力被刷过足够的质量控制,这是有可能破坏时的绝对最大额定值如印象深刻的电压
( VCC_IN , DCIN )和操作温度,因为它是超出范围(范围Topr ) ,短或开口breakings的模式等不能
指定,并检查它在这个集成电路,得到物理措施安全如保险丝,当特殊模式,超过绝对最大
评级假设。
2.GND引脚电压
GND端子应连接的最低电压,在所有条件下。而除了SW所有终端应该是下下的所有GND端子电压
条件包括短暂情况。如果下GND存在一个终端,它应该是插入一个旁路路径。
3.电源散热
如果IC的使用条件是功率损耗是在功耗,可靠性会恶化热起来,如降低的输出电流
能力。此外,一定要一个功耗允许的范围足够余量的范围内使用该芯片。
4.Input电源电压
输入电源模式布局应尽可能短。
5.关于短期和怀念安装终端之间
需要注意的方向和IC足够的小姐登记时,在集合基板安装它。 IC可能会破坏它,以及反向连接
电源连接错误安装时。此外,有恐破坏时的异物端子之间进入,
端子,电源,和壮观和它被短路。
在强电磁场6.关于操作
在强电磁场使用,请注意,有发生故障的可能性。
7.关于检查所设定的基板
当你与低阻抗时,该引脚连接的电容很可能遭受应力IC和放电电量每一个进程
检查它在设定衬底。此外,连接在它分离到G当后,电源关闭而不失败后取下
检查过程中,检查,并关闭电源。 另外,可以给地球上的装配过程的静电
措施,并小心的话,当传输你保存它。
8.About每个输入端
该IC是一个单片IC具有P
+
隔离和P衬底隔离元件彼此。
这个P层和N层中的每个元素形成PN结,以构建各种寄生元件。
例如,电位差工作在电阻,如下面时电阻和晶体管与它连接的图
PN的终端和游乐场( GND ) > (终端B)的联合工作作为游乐场的寄生二极管( GND ) > (终端A)晶体管( NPN ) 。在
另外,寄生的NPN型晶体管的工作原理与N层上面提到的寄生二极管的元件和所述附近和
他人在晶体管( NPN型) 。因为潜在的关系的集成电路组成的寄生元件不可避免地形成。
寄生元件可以操作,与该电路操作的干扰引起的,它发生故障,并且因此,它会导致破坏。
因此,不要做一个寄生元件的工作电压比操场下的使用( GND ; P型衬底)是感动
输入端子足够。此外,不要留下深刻印象的电压输入端,当你不留下深刻印象的电源电压为IC 。
给每个输入端对我的电压低于电源电压或电特性的担保值相似时
留下深刻印象的电源电压。
结构简单的IC的例子
9.Earth布线图案
如果小信号GND和大电流接地存在,分散他们的模式。此外,对于通过图案布线阻抗及大电流的电压变化
不改变小信号GND的电压时, IC的各个接地端子必须在一个点上的一组电路板来连接。至于接地
外部部件,它类似于上述。
10. SW终端
甲反电动势连接到特定的应用中可能会产生与SW端子的负电位。因此,它应
要插入SW之间的绕道到GND 。
11.关于每个输出端
我们建议把二极管用于保护目的的情况下输出引脚阻抗或备用电流大的负载的连接发生在最初的
输出关闭。
12.过热关机电路
温度控制是内置于IC ,以防止由于过热造成的损害。因此,输出关断时的热电路的工作原理。
13.在输出电流保护
该IC具有过电流保护,以防止芯片被短路损坏的过电流。然而,这是建议不要
使用该连续操作的保护电路(例如,总是大大超过了输出电流的能力被连接或负载
的输出被短路,等等)在这些保护电路由一个有效的一种来破坏防止因破碎事故。
版本B
附录
笔记
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此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
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希望使用任何此类产品,请务必参照规格,可从ROHM获得
根据要求提供。
此处包含的应用电路,电路常数和任何其它信息的实施例说明
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传真: + 81-75-315-0172
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