INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
输入BDW84 / 84A / 84B / 84C / 84D
·达林顿
高
直流电流增益
应用
For
在电源线和开关使用
应用程序。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BDW83/83A/83B/83C/83D
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
参数
BDW83
BDW83A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BDW83B
BDW83C
BDW83D
BDW83
BDW83A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BDW83B
BDW83C
BDW83D
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
结温
储存温度
3.5
150
-65~150
℃
℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
45
60
80
100
120
45
60
80
100
120
5
15
0.5
150
W
V
A
A
V
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BDW83/83A/83B/83C/83D
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
BDW83A
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 60V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 15A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
15
单位
V
A
-
Hz
@ 3/6 (V
CE
/ I
C
)
750
1M
20000
150
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C ， BDW83D
NPN硅功率DARLINGTONS
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1978年8月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用带
BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C和
BDW84D
150瓦，在25 ° C的温度
15 A连续集电极电流
最低
FE
750在3 V ， 6的
E
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
q
q
q
C
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BDW83
BDW83A
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BDW83B
BDW83C
BDW83D
BDW83
BDW83A
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0 ） （见注1 ）
BDW83B
BDW83C
BDW83D
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
工作温度范围
工作自由空气的温度范围内
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
2
T
j
T
英镑
T
A
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
45
60
80
100
120
45
60
80
100
120
5
15
0.5
150
3.5
100
-65到+150
-65到+150
-65到+150
V
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
V
V
单位
这些值适用于当基极 - 发射极二极管是断路。
降额直线到150℃情况下，温度以1.2的速率的W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 5毫安，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C ， BDW83D
NPN硅功率DARLINGTONS
1978年8月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
测试条件
BDW83
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BDW83A
I
C
= 30毫安
I
B
= 0
（见注5 ）
BDW83B
BDW83C
BDW83D
V
CE
= 30 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= 30 V
V
CE
= 40 V
V
CE
= 50 V
V
CE
= 60 V
V
CB
= 45 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= 120 V
V
CB
= 45 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
V
CB
= 120 V
I
EBO
h
FE
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
V
EC
发射极截止
当前
正向电流
传输比
基射
电压
集电极 - 发射极
饱和电压
并联二极管
正向电压
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
5V
3V
3V
3V
12毫安
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
= 6 A
I
C
= 15 A
I
C
= 6 A
I
C
= 6 A
I
C
= 15 A
I
B
= 0
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
750
100
2.5
2.5
4
3.5
V
V
V
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
BDW83
BDW83A
BDW83B
BDW83C
BDW83D
BDW83
BDW83A
BDW83B
BDW83C
BDW83D
BDW83
BDW83A
BDW83B
BDW83C
BDW83D
民
45
60
80
100
120
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
5
5
5
5
5
2
20000
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
B
= 150毫安
I
E
=
15 A
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
0.83
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 10 A
V
BE （OFF）的
= -4.2 V
I
B（上）
= 40毫安
R
L
= 3
民
I
B（关闭）
= -40毫安
t
p
= 20
s,
dc
≤
2%
典型值
0.9
7
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C ， BDW83D
NPN硅功率DARLINGTONS
1978年8月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
70000
TCS140AG
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
2·0
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
I
B
= I
C
/ 100
1·5
TCS140AH
h
FE
- 典型的直流电流增益
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
10000
1·0
1000
0·5
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
0
0·5
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
V
CE
= 3 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
100
0·5
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
3·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
2·5 T
C
= 100°C
TCS140AI
2·0
1·5
1·0
0·5
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
0
0·5
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C ， BDW83D
NPN硅功率DARLINGTONS
1978年8月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
SAS140AB
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
1·0
BDW83
BDW83A
BDW83B
BDW83C
BDW83D
0·1
1·0
10
100
1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
160
P
合计
- 最大功耗 - W
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS140AB
图5中。
产品
信息
4
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C ， BDW83D
NPN硅功率DARLINGTONS
1978年8月 - 修订1997年3月
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
3,95
4,15
1,37
1,17
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
产品
信息
5
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C ， BDW83D
NPN硅功率DARLINGTONS
●
专为配套使用带
BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C和
BDW84D
150瓦，在25 ° C的温度
15 A连续集电极电流
C
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
●
●
●
2
最低
FE
750在3V ， 6的
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAAA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
BDW83
BDW83A
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BDW83B
BDW83C
BDW83D
BDW83
BDW83A
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0 ） （见注1 ）
BDW83B
BDW83C
BDW83D
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
工作温度范围
工作自由空气的温度范围内
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
A
2
符号
价值
45
60
单位
V
CBO
80
100
120
45
60
V
V
首席执行官
80
100
120
5
15
0.5
150
3.5
100
-65到+150
-65到+150
-65到+150
V
V
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
这些值适用于当基极 - 发射极二极管是断路。
降额直线到150℃情况下，温度以1.2的速率的W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 5毫安，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C ， BDW83D
NPN硅功率DARLINGTONS
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
测试条件
BDW83
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BDW83A
I
C
= 30毫安
I
B
= 0
（见注5 ）
BDW83B
BDW83C
BDW83D
V
CE
= 30 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= 30 V
V
CE
= 40 V
V
CE
= 50 V
V
CE
= 60 V
V
CB
= 45 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= 120 V
V
CB
= 45 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
V
CB
= 120 V
I
EBO
h
FE
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
V
EC
发射极截止
当前
正向电流
传输比
基射
电压
集电极 - 发射极
饱和电压
并联二极管
正向电压
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
5V
3V
3V
3V
12毫安
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
= 6 A
I
C
= 15 A
I
C
= 6 A
I
C
= 6 A
I
C
= 15 A
I
B
= 0
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
750
100
2.5
2.5
4
3.5
V
V
V
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
BDW83
BDW83A
BDW83B
BDW83C
BDW83D
BDW83
BDW83A
BDW83B
BDW83C
BDW83D
BDW83
BDW83A
BDW83B
BDW83C
BDW83D
民
45
60
80
100
120
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
5
5
5
5
5
2
20000
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
B
= 150毫安
I
E
=
15 A
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
0.83
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 10 A
V
BE （OFF）的
= -4.2 V
I
B（上）
= 40毫安
R
L
= 3
民
I
B（关闭）
= -40毫安
t
p
= 20
s,
dc
≤
2%
典型值
0.9
7
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C ， BDW83D
NPN硅功率DARLINGTONS
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
70000
TCS140AG
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
2·0
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
I
B
= I
C
/ 100
1·5
TCS140AH
h
FE
- 典型的直流电流增益
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
10000
1·0
1000
0·5
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
0
0·5
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
V
CE
= 3 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
100
0·5
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
3·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
2·5 T
C
= 100°C
TCS140AI
2·0
1·5
1·0
0·5
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
0
0·5
网络连接gure 3 。
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C ， BDW83D
NPN硅功率DARLINGTONS
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
SAS140AB
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
1·0
BDW83
BDW83A
BDW83B
BDW83C
BDW83D
0·1
1·0
10
100
1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
160
P
合计
- 最大功耗 - W
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS140AB
图5中。
4
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ， BDW83C ， BDW83D
NPN硅功率DARLINGTONS
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
1,37
1,17
3,95
4,15
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
5
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
输入BDW84 / 84A / 84B / 84C / 84D
·达林顿
高
直流电流增益
应用
For
在电源线和开关使用
应用程序。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BDW83/83A/83B/83C/83D
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
固电
IN
导½
半
参数
条件
BDW83
BDW83A
BDW83B
V
CBO
集电极 - 基极电压
ES
昂
CH
BDW83C
BDW83D
BDW83
BDW83A
BDW83B
BDW83C
BDW83D
发射极开路
ND
ICO
EM
OR
UCT
价值
45
60
80
100
120
45
60
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
开基
80
100
120
V
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极开路
5
15
0.5
V
A
A
W
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
结温
储存温度
150
3.5
150
-65~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BDW83/83A/83B/83C/83D
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·补充输入BDW84 / 84A / 84B / 84C / 84D
·达林顿
·高直流电流增益
应用
·对于电源线和开关的使用
应用程序。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BDW83/83A/83B/83C/83D
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
BDW83
BDW83A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BDW83B
BDW83C
BDW83D
BDW83
BDW83A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BDW83B
BDW83C
BDW83D
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
T
a
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
45
60
80
100
120
45
60
80
100
120
5
15
0.5
150
3.5
150
-65~150
V
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BDW83/83A/83B/83C/83D
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
NPN BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ，
BDW83C ， BDW83D ，
NPN硅DARLINGTONS功率晶体管
他们是硅外延基NPN功率单片达林顿晶体管安装在JEDEC的
TO- 218塑料封装。
它们设计用于线性电源和开关应用。
互补是BDW84 ， BDW84A ， BDW84B ， BDW84C ， BDW84D
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
评级
BDW83
BDW83A
BDW83B
BDW83C
BDW83D
BDW83
BDW83A
BDW83B
BDW83C
BDW83D
价值
45
60
80
100
120
45
60
80
100
120
5
15
0.5
150
3.5
-65到+150
-65到+150
单位
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
I
B
= 0
V
V
CBO
集电极 - 发射极电压
I
E
= 0
I
C
= 0
V
V
EBO
I
C
I
B
P
t
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
V
A
A
W
°C
°C
25 ℃的情况下。温度
25℃免费艾尔。温度
热特性
符号
R
thJC
R
thJA
评级
价值
0.83
35.7
单位
° C / W
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
23/10/2012
半导体COMSET
1|3
NPN BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ，
BDW83C ， BDW83D ，
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
BDW83
BDW83A
I
C
= 30毫安
BDW83B
I
B
=0
BDW83C
BDW83D
BDW83
I
B
=0, V
CE
=30 V
I
B
=0, V
CE
=30 V
BDW83A
I
B
=0, V
CE
=40 V
BDW83B
I
B
=0, V
CE
=50 V
BDW83C
I
B
=0, V
CE
=60 V
BDW83D
I
E
= 0, V
CB
=45 V
BDW83
I
E
= 0, V
CB
=60 V
BDW83A
I
E
= 0, V
CB
=80 V
BDW83B
I
E
= 0, V
CB
= 100 V BDW83C
I
E
= 0, V
CB
= 120 V BDW83D
I
E
= 0, V
CB
=45 V
BDW83
T
例
= 150°C
I
E
= 0, V
CB
=60 V
BDW83A
T
例
= 150°C
I
E
= 0, V
CB
=80 V
BDW83B
T
例
= 150°C
I
E
= 0, V
CB
=100 V
BDW83C
T
例
= 150°C
I
E
= 0, V
CB
=120 V
BDW83D
T
例
= 150°C
V
EB
= 5.0 V，I
C
=0
I
C
= 6 A，V
CE
=3.0 V
I
C
= 15 A，V
CE
=3.0 V
I
C
= 6 A，I
B
= 12毫安
I
C
= 15 A，I
B
-150毫安
I
C
= 6 A，I
B
=3 A
I
E
= 15 A，I
E
= 0
IC = 10 A，
IB1 = -IB2 = 40毫安
RL = 3Ω ; VBE （关闭） = -4.2V
值班Cycle≤2 ％
民
45
60
80
100
120
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
1
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极可持续
电压（*）
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
mA
-
-
0.5
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
mA
-
-
5
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
EC
t
on
t
关闭
发射Cuto FF电流
直流电流增益（ * ）
集电极 - 发射极饱和
电压（1）
基射极电压（ * ）
并联二极管正向
电压
开启时间
打开-O FF时间
-
750
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9
7
2
20 K
-
2.5
4
2.5
3.5
-
-
mA
-
V
V
s
（ * ）脉冲宽度= 300
s,
占空比< = 2 ％
23/10/2012
半导体COMSET
2|3
NPN BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ，
BDW83C ， BDW83D ，
机械数据案例TO3PN非隔离塑料包装
外形尺寸（mm ）
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
R
S
T
15.20
1.90
4.60
3.10
马克斯。
1600
2.10
5.00
3.30
9.60
2.00
0.55
1.40
5.55
20.20
1.25
2.00
3.00
4.00
4.00
1.80
5.20
0.35
5.35
20.00
19.60
0.95
4.80
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
BASE
集热器
辐射源
该中心引脚电
与安装片接触。
修订后的2012年8月
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23/10/2012
半导体COMSET
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3|3
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