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BSC082N10LS摹
OptiMOS2
功率晶体管
特点
N沟道逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
150 ° C工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
100
8.2
100
V
m
A
PG-TDSON-8
适用于高频开关和同步整流
无卤素根据IEC61249-2-21
TYPE
BSC082N10LS摹
包
PG-TDSON-8
记号
082N10LS
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 45 K / W
2)
漏电流脉冲
3)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
价值
100
65
13.8
400
377
±20
单位
A
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
I
D
=50 A,
R
GS
=25
mJ
V
W
°C
T
C
=25 °C
156
-55 ... 150
55/150/56
J- STD20和JESD22
修订版1.07
第1页
2009-11-03
BSC082N10LS摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
R
thJC
底部
顶部
热阻，
结 - 环境
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
2)
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
18
62
45
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=110 A
V
DS
=100 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=100 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=50 A
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=50 A
100
1.2
-
-
1.85
0.01
-
2.4
1
A
V
-
-
-
-
-
60
10
1
8.2
6.8
1
119
100
100
11
8.2
-
-
S
nA
m
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
3)
2)
见图3
修订版1.07
第2页
2009-11-03
BSC082N10LS摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
4)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
4)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=50 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=25 A,
R
G
=2.7
V
GS
=0 V,
V
DS
=50 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
5600
710
38
19
24
53
12
7400
940
57
28
36
80
17
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=50 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=50 V,
I
D
=25 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
18
13
21
78
3.1
73
23
19
30
104
-
97
nC
V
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=50 A,
T
j
=25 °C
V
R
=50 V,
I
F
=25 A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
0.9
107
226
100
400
1.2
-
-
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
修订版1.07
第3页
2009-11-03
BSC082N10LS摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
160
120
100
120
80
P
合计
[W]
80
I
D
[A]
0
40
80
120
160
60
40
40
20
0
0
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
1 s
10 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
0
0.5
10
2
100 s
1毫秒
0.2
DC
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
10
1
10毫秒
0.1
10
-1
0.05
0.02
0.01
10
0
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.07
第4页
2009-11-03
BSC082N10LS摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
280
10 V
7.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
20
3V
240
6V
3.5 V
200
15
4.5 V
4V
160
R
DS （ ON）
[m
]
I
D
[A]
4V
10
4.5 V
7.5 V
10 V
120
80
3.5 V
5
40
3.2 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
50
100
150
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
160
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
200
160
120
120
80
g
fs
[S]
80
150 °C
25 °C
I
D
[A]
40
40
0
0
2
4
6
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
[V]
I
D
[A]
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