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飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ105A
概述
高电压,在TO220AB信封高速平面钝化npn型功率开关晶体管旨在用于
在高频电子照明镇流器应用中,转换器,逆变器,开关稳压器,马达控制
系统等。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
h
FEsat
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
0.3
11
20
马克斯。
700
700
400
8
16
80
1.0
15
50
单位
V
V
V
A
A
W
V
ns
T
mb
25 C
I
C
= 4.0 A;我
B
= 0.8 A
I
C
= 4.0 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 5 A;我
B1
= 1 A
钉扎 - TO220AB
1
2
3
TAB
BASE
集热器
辐射源
集热器
描述
引脚配置
TAB
符号
c
b
1 23
e
LIMITING VALUES8
限制按照绝对最大额定值系统值( IEC 134 )
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
CBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压(开基)
集电极基极电压(发射极开路)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流(DC)的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
700
400
700
8
16
4
8
80
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
mb
25 C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
结到安装基座
结到环境
在自由空气
条件
典型值。
-
60
马克斯。
1.56
-
单位
K / W
K / W
1999年2月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ105A
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
,I
CBO
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FEsat
参数
集电极截止电流
1
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
首席执行官
= V
CEOMmax
(400V)
V
EB
= 9 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 0 ;我
C
= 10毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 4.0 A;我
B
= 0.8 A
I
C
= 4.0 A;我
B
= 0.8 A
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 4.0 A; V
CE
= 5 V
分钟。
-
-
-
-
400
-
-
10
13
8
典型值。
-
-
-
-
-
0.3
1.0
14
23
11
马克斯。
0.2
0.5
0.1
1
-
1.0
1.5
34
36
15
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
参数
开关时间(阻性负载)
t
on
t
s
t
f
开启时间
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间(感性负载)
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间(感性负载)
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
CON
= 5 A;我
BON
= -I
B关
= 1 A;
R
L
= 75欧姆; V
BB2
= 4 V;
典型值。
马克斯。
单位
s
s
s
s
ns
s
ns
0.65
1.8
0.3
1
2.5
0.5
I
CON
= 5 A;我
BON
= 1 ; L
B
= 1
H;
-V
BB
= 5 V
I
CON
= 5 A;我
BON
= 1 ; L
B
= 1
H;
-V
BB
= 5 V ;牛逼
j
= 100 C
1.2
20
1.7
50
1.4
25
1.9
100
1
测量正弦半波电压(波形记录器) 。
1999年2月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ105A
+ 50v
100-200R
IC
90 %
图标
90 %
10 %
示波器
垂直
300R
30-60赫兹
6V
1R
IB
ts
花花公子
IBON
10 %
tr
30ns
-IBoff
tf
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间波形与电阻性负载。
IC / MA
VCC
250
LC
IBON
100
10
0
VCE / V
LB
T.U.T.
-VBB
VCEOsust
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。测试电路的电感性负载。
= 300 V; -V
BE
= 5 V ; L
C
= 200 uH容; L
B
= 1 uH容
VCC
VCC
图标
90 %
IC
RL
VIM
0
tp
IB
RB
T.U.T.
ts
花花公子
IBON
10 %
tf
t
T
-IBoff
t
如图3所示。测试电路电阻负载。 V
IM
= -6至+ 8V
V
CC
= 250 V ;吨
p
= 20
s;
δ
= t
p
/ T = 0.01.
R
B
和R
L
从我计算
CON
BON
要求。
图6 。开关时间波形带感性负载。
1999年2月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ105A
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD %
归一化功率降额
VCESAT / V
2.0
1.6
IC=1A
1.2
2A
3A
4A
0.8
0.4
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
0.0
0.01
0.10
IB / A
1.00
10.00
图7 。归一化的功率耗散。
PD % = 100
PD / PD
25C
= F(T
mb
)
图10 。集电极 - 发射极饱和电压。
实线=典型值,V
CESAT
= F (ⅠB ) ;牛逼
j
=25C.
的hFE
50
VBEsat / V
1.4
30
Tj=100C
1.3
20
25C
1.2
15
1.1
-40C
10
1
0.9
5
-40C
0.8
25C
Tj=100C
0.7
2
VCE=1V
0.6
0.01
0.05
0.1
0.3
IC / A
1
2
3
5
10
0.5
0.1
0.5
1
IC / A
2
5
10
图8 。典型的直流电流增益。
FE
= F(我
C
)
参数V
CE
图11 。基射极饱和电压。
实线=典型值,V
BESAT
= F( IC);在IC / IB = 4 。
的hFE
50
VCESAT / V
0.6
30
Tj=100C
0.5
Tj=100C
20
25C
0.4
15
-40C
10
0.3
0.2
25C
5
-40C
VCE=5V
0.1
2
0.01
0.05
0.1
0.3
IC / A
1
2
3
5
10
0
0.2
0.4
0.6
1
IC / A
2
5
6
图9 。典型的直流电流增益。
FE
= F(我
C
)
参数V
CE
图12 。集电极 - 发射极饱和电压。
实线=典型值,V
CESAT
= F( IC);在IC / IB = 4 。
1999年2月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUJ105A
10
第Z / (K / W)
IC / A
11
10
9
8
1
D= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
7
6
5
0.1
P
D
tp
D=
t
p
-5V
4
-3V
T
3
T
0.01
1E-06
1E-04
1E-02
T / S
t
1E+00
2
-1V
1
0
0
100
200
300
400
500
VCEclamp / V
600
700
800
图13 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F(T) ;参数D = T
p
/T
图15 。反向偏压安全工作区(T
j
& LT ;吨
JMAX
)
为-V
BE
= 5V , 3V & 1V 。
VCC
LC
IBON
VCL
LB
T.U.T.
-VBB
图14 。测试电路的反向偏压安全工作
区。
V
< 700V ; V
cc
= 150V; -V
be
= 5V , 3V & 1V ;
L
B
= 1
H; L
C
= 200
H.
1999年2月
5
启1.000
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    BUJ105A
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
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NXP
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2964
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原装正品现货,可开增值税专用发票
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电话:0755-83242658
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BUJ105A
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BUJ105A
NXP
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
BUJ105A
PHI
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BUJ105A
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BUJ105A
NXP
21+22+
27000
TO-220
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BUJ105A
NXP
1932+
2964
TO-220
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联系人:朱先生
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BUJ105A
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