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单芯片型内置式FET开关稳压器系列
输出2A以上的高效率
降压型开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD9134MUV
No.09027EBT15
°说明
ROHM的高效率降压型开关稳压器BD9134MUV是设计用于产生3.3伏的电源
5伏电源线。提供高效率与我们原来的脉冲跳跃控制技术和同步整流。
采用电流模式控制的系统，以提供对在负载突然变化更快的瞬态响应。
■特点
1 ）提供电流模式PWM控制系统快速瞬态响应。
2 ）提供高效率，为所有负载范围内同步整流器（ N沟道/ N沟道FET ）
TM
和SLLM （简单轻负载模式）
3 ）采用软启动功能。
4 ）结合过热保护和欠压锁定功能。
5 ）采用了短路保护电路延时功能。
6 ）采用关断功能的Icc = 0μA （典型值）。
7 ）雇用小型表面贴装型封装： VQFN020V4040
“使用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机和ASIC
“绝对
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
V
CC
电压
PV
CC
电压
BST电压
BST_SW电压
EN电压
SW ， ITH电压
功耗1
功耗2
功耗3
功耗4
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
*1
*2
*3
*4
*5
符号
V
CC
PV
CC
V
BST
V
BST
-
SW
V
EN
V
SW
, V
第i个
Pd1
Pd2
Pd3
Pd4
TOPR
TSTG
Tj
范围
-0.3½+7 *
1
-0.3½+7 *
1
-0.3½+13
-0.3½+7
-0.3½+7
-0.3½+7
0.34 *
2
0.70 *
3
1.21 *
4
3.56 *
5
-40½+105
-55½+150
+150
单位
V
V
V
V
V
V
W
W
W
W
℃
℃
℃
钯不应超过。
只有IC
1层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 10.29毫米
2
4层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 10.29毫米
2
在每个层
4层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 5505毫米
2
在每个层
“操作
Conditions (Ta=-40½+105℃)
参数
电源电压
EN电压
输出电流
*6
符号
V
CC
PV
CC
VEN
I
SW
分钟。
4.5
4.5
0
-
范围
典型值。
5
5
-
-
马克斯。
5.5
5.5
5.5
3.0*
6
单位
V
V
V
A
钯不应超过。
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2009.09 - Rev.B的
BD9134MUV
ⅵELECTRICAL
特征
◎(Ta=25℃
V
CC
？光伏
CC
= 5V ， EN = V
CC
除非另外指明）。
参数
符号
分钟。
待机电流
工作电流
EN低压
EN高压
EN输入电流
振荡频率
高侧FET导通电阻
低侧FET导通电阻
输出电压
第i个
SI
NK电流
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
UVLO阈值电压
UVLO电压版
软启动时间
定时锁定时间
输出短路阈值电压
I
机顶盒
I
CC
V
ENL
V
ENH
I
EN
F
OSC
R
ONH
R
ONL
V
OUT
I
THSI
I
THSO
V
UVLO1
V
UVLO2
T
SS
T
LATCH
V
SCP
-
-
-
2.0
-
0.8
-
-
3.25
10
10
3.6
3.65
2.5
0.5
-
技术说明
范围
典型值。
0
250
GND
VCC
1
1
82
70
3.3
18
18
3.8
3.9
5
1
1.65
马克斯。
10
500
0.8
-
10
1.2
115
98
3.35
-
-
4.0
4.2
10
2
2.4
单位
μA
μA
V
V
μA
兆赫
m
m
V
μA
μA
V
V
ms
ms
V
条件
EN = GND
待机模式
主动模式
V
EN
=5V
PV
CC
=5V
PV
CC
=5V
V
OUT
=4.1V
V
OUT
=2.5V
V
CC
=5V→0V
V
CC
=0V→5V
V
OUT
=3.3V→0V
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2009.09 - Rev.B的
BD9134MUV
块
图中，应用电路
【BD9134MUV】
V
CC
EN
VREF
技术说明
4.0
4.0
D9134
V
CC
BST
当前
COMP
当前
SENSE /
保护
+
司机
逻辑
SW
PV
CC
产量
PV
CC
5V
输入
LOT号
+
通用AMP
+
R Q
S
1.0Max.
S
0.08 S
坡
CLK
OSC
V
CC
UVLO
TSD
SCP
0.01
+0.03
-0.01
(0.21)
软
开始
保护地
GND
C0.2 2.1±0.1
0.3±0.1
1
20
16
15
11
5
6
2.1±0.1
0.1±0.07
10
VOUT
第i个
R
第i个
C
第i个
1.0
0.5
Fig.1
0.25
+0.05
-0.04
Fig.2
BD9134MUV框图
VQFN020V4040 （单位：毫米）
BD9134MUV俯视图
针
编号&函数表
针
针
号
名字
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
SW
SW
SW
SW
SW
PVCC
PVCC
PVCC
BST
VCC
SW引脚
SW引脚
SW引脚
SW引脚
SW引脚
功能
针
号
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
针
名字
GND
VOUT
第i个
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
EN
保护地
保护地
保护地
地
功能
输出电压检测引脚
GmAmp输出引脚/连接相
补偿电容
无连接
无连接
无连接
使能引脚（高电平有效）
低边FET源极引脚
低边FET源极引脚
低边FET源极引脚
高侧FET的源极引脚
高侧FET的源极引脚
高侧FET的源极引脚
自举电压输入引脚
VCC电源输入引脚
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2009.09 - Rev.B的
BD9134MUV
*特点
数据
4.0
技术说明
5.0
4.0
【V
OUT
=3.3V】
输出电压： VOUT [ V]
【V
OUT
=3.3V】
输出电压： VOUT [ V]
【V
OUT
=3.3V】
输出电压： VOUT [ V]
4.0
3.0
3.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
Ta=25℃
Io=3A
0
1
2
3
4
输入电压： V
CC
[V]
5
1.0
0.0
VCC=5V
Ta=25℃
Io=0A
0
1
2
3
4
5
1.0
VCC=5V
Ta=25℃
0.0
0
1
2
3
4
5
6
输出电流：我
OUT
[A]
7
8
0.0
EN电压： VEN [ V]
图3为VCC - VOUT
图4 VEN - VOUT
图5 IOUT - VOUT
3.35
3.34
输出电压： VOUT [ V]
100
1200
1000
频率：F
OSC
[兆赫]
【V
OUT
=3.3V】
90
80
效率：
η
[%]
70
60
50
40
30
20
10
3.33
3.32
3.31
3.30
3.29
3.28
3.27
3.26
3.25
-40
-20
0
20
40
60
温度：钽[
℃
]
80
100
800
600
400
200
【
VOUT=3.3V
】
VCC=5V
Io=0A
0
1
VCC=5V
Ta=25℃
10
100
1000
输出电流：我
OUT
[马]
10000
VCC=5V
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度：钽[
℃
]
图。 6钽 - V
OUT
2.0
1.8
1.6
EN电压： VEN [ V]
图7效率
400
350
短路电流：我
CC
[
μ
A]
300
250
200
150
100
50
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
图8 TA - FOSC
150
125
ON
[Ω]
100
75
50
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
导通电阻，R
HIGH SIDE
LOW SIDE
25
0
-40
VCC=5V
-20
0
20
40
60
温度：钽[
℃
]
80
100
VCC=5V
VCC=5V
-20
0
20
40
60
80
100
-40
温度：钽[
℃
]
温度：钽[
℃
]
图9钽 - R的
ONN
, R
ONP
图10图11 TA - V
EN
图11 TA - 电流Icc
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BD9134MUV
*特点
数据
技术说明
1.1
【VOUT=3.3V】
频率：F
OSC
[兆赫]
1
· SLLM
SW
TM
VOUT=3.3V】
VCC = PVCC
· EN
0.9
0.8
Ta=25℃
0.7
4.5
4.75
5
5.25
输入电压： V
CC
[V]
5.5
VOUT
VCC=5V
Ta=25℃
Io=0A
V
OUT
VCC=5V
Ta=25℃
图12为VCC - FOSC
图13软启动波形
图14 SW波形木卫一= 10毫安
PWM
SW
VOUT=3.3V】
V
OUT
【V
OUT
=3.3V】
V
OUT
【V
OUT
=3.3V】
V
OUT
VCC=5V
Ta=25℃
I
OUT
VCC=5V
Ta=25℃
I
OUT
VCC=5V
Ta=25℃
图15 SW波形木卫一= 3A
图。 16瞬态响应
Io=1→3A(10μs)
图17瞬态响应
Io=3→1A(10μs)
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BD4215NUV
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