1/4

S T ü （C T） ü

产品名称

M O对D E升

N}÷ 。

F ê一件T ü - [R （E S）

硅单片集成电路

闪光灯电容充电控制IC

BD4215NUV

1.

2.

内置功率晶体管

可调式变压器的原边峰值电流线性电流与

I_PEAK销

3.充电控制与CHARGE_ON引脚开关

4.包括高精度的满充电电压检测电路和输出引脚

5，各种内置的保护电路（ TSD ， UVLO ， SDP ）

6.内置IGBT驱动器

7.拥有员工小包装： VSON010V3030 （ 3.0毫米× 3.0毫米× 1.0毫米）

○

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

参数

VCC电源电压

SW引脚

VOUT端子电压

输入引脚的电压（ CHARGE_ON ， I_PEAK ， FLASH_ON ， IGBT_EN ）

符号

VCC

电压

当前

*1

等级

-0.3 7

50

3

-14到50

-0.3 7

-20至+85

-55到+150

150

1270

*2

单位

V

V

A

V

V

°C

°C

°C

mW

VSW

ISW

VVOUT

VI

TOPR

TSTG

TJMAX

Pd

工作温度范围

存储温度范围

结温

功耗

○

工作条件（大= 25℃）

参数

VCC电源电压范围

SW引脚

电压

当前

*3

符号

VCC

VSW

ISW

VI

等级

2.6 5.5

45

2.5

0至VCC

单位

V

V

A

V

输入引脚的电压（ CHARGE_ON ， I_PEAK ， FLASH_ON ， IGBT_EN ）

* 1脉冲宽度： 100

μs

* 2 ：减少10.16毫瓦/°C，在Ta = 25℃以上

（当安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米环氧玻璃， 4层电路板：表面辐射的6.28毫米铜箔

2

,

铜箔层压在每个层）

○

外标记和尺寸（单位：毫米）

○

PIN号

PIN号

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

引脚名称

保护地

IGBT_OUT

FLASH_ON

XFULL

I_peak

IGBT_EN

Charge_ON

VCC

VOUT

SW

功能

电源GND引脚

IGBT驱动器输出引脚

IGBT驱动器的输出启动信号输入引脚

满充电检测信号输出引脚

的Ipeak电流控制信号输入端子

IGBT驱动器的操作限制输入引脚

充电起始信号输入端子

VCC电源引脚

二次电压检测引脚

开关引脚

本

没有被设计为耐辐射性。

图1外部标记和尺寸

在这个文件的注意事项

日语版的此文件是正规

规格。该文件的翻译版本应该

用于参考。

如果有正式的规格有什么区别

和翻译版本，正式的规格应采取

优先级。

版本B

2/4

○

电气特性（Ta = 25℃ ， VCC = V （ CHARGE_ON ） = 3.3V ，V （ I_PEAK ） = 1.0V ，V （ FLASH_ON ） = 0V ，V （ IGBT_EN ） = 0V ，

除非另有规定）。

参数

[整体设备]

VCC的电流消耗1

VCC电流消耗2

VCC电流消耗3

在待机状态下的短路电流

[待机控制CHARGE_ON针]

CHARGE_ON引脚为高电平电压

CHARGE_ON引脚为低电平电压

CHARGE_ON端子吸收电流

当CHARGE_ON短路时反应迟钝

IC启动时间

[变压器初级侧驱动器模块]

SW引脚漏电流峰值

SW引脚的峰值电流1

SW引脚的峰值电流2

SW饱和电压

[充电特性调整块]

I_PEAK灌电流

最大导通时间

最大断时间

[变压器二次侧检测模块]

满充电检测电压

满充电检测电压AC1

XFULL反应时间

满充电检测电压AC2

VOUT端子吸收电流

关检测电压

XFULL引脚为高电平侧导通电阻

XFULL引脚为低电平侧导通电阻

[保护电路块]

UVLO检测电压

UVLO迟滞宽度

[ IGBT驱动模块]

高电平输出短路电流

低电平输出短路电流

FLASH_ON高电平输入电压范围

FLASH_ON低电平输入电压范围

FLASH_ON灌电流

IGBT_EN高电平输入电压范围

IGBT_EN低电平输入电压范围

IGBT_EN灌电流

符号

民

Icc1

Icc2

Icc3

I

机顶盒

V

ch

H

V

ch

L

I

（ CHARGE ON）

T

（ CHARGE_ON ）

顶部

I

SWL

I

PEAK

1

I

PEAK

2

V

SAT

I

（ I PEAK ）

T

（最大持续时间）

T

（ OFFMAX ）

V

OUTTH

V

OUTTH_AC1

T

（ XFULL ）

V

OUTTH_AC2

I

（VOUT ）

V

关闭

L

R

XFULL

H

R

XFULL

L

V

UVLO

L

V

UVLOHYS

Ioso

IOSI

V

FLASH_ON

H

V

强制闪光

L

I

（强制闪光）

V

IGBT_EN

H

V

IGBT EN

L

I

（ IGBT EN ）

65

75

115

-

2

-

12

6

17.5

-

0.77

1.57

-

-

25

12

29.7

29.66

160

30.11

1

-1.3

-

-

1.9

150

90

25

2

-

12

2

-

4.5

目标值

标准

马克斯。

90

95

140

-

-

-

24

12.5

60

-

0.87

1.67

0.3

2.5

50

25

30

30.27

360

30.72

2

-0.5

1

1

2.05

200

140

40

-

-

24

-

-

6.5

145

150

200

1

-

0.6

36

25

130

1

0.97

1.77

0.6

5

100

50

30.3

30.87

480

31.33

4

-0.2

2

2

2.2

250

200

55

-

0.6

36

-

0.6

10

单位

条件

mA

mA

mA

μA

V

V

μA

μs

μs

μA

A

A

V

μA

μs

μs

V

V

纳秒

V

mA

V

k

k

V

mV

mA

mA

V

V

μA

V

V

μA

在输出ON ，V （ I_PEAK ） = 0V

在输出ON ，V （ I_PEAK ） = 1V

在输出ON ，V （ I_PEAK ） = 3V

V(CHARGE_ON)=0V

V(CHARGE_ON)=3.3V

时间V（ CHARGE_ON ） = "H" → VSW = "L"

V(SW)=45V

V(I_PEAK)=0V

V(I_PEAK)=3V

I(SW)=0.5A

根据图测量。 2-1测量电路

图。

根据图测量。 2-1测量电路

图。

根据图测量。 2-2测量电路

图。

V(VOUT)=30V

V(XFULL)=VCC-0.5V

V（ XFULL ） = 0.5V ，V （ VOUT ） >VOUTTH

VCC检测（下降）

V（ FLASH_ON ） = 3.3V ，V （ IGBT_OUT ） = 0V ，

V（ IGBT_EN ） = 3.3V ，V （ CHARGE_ON ） = 0V

V（ FLASH_ON ） = 0V ，V （ IGBT_OUT ） = 3.3V ，

V(IGBT_EN)=3.3V

V（ IGBT_EN ） = 3.3V ，V （ CHARGE_ON ） = 0V

V（ IGBT_EN ） = 3.3V ，V （ CHARGE_ON ） = 0V

V(FLASH_ON)=3.3V

V（ FLASH_ON ） = 3.3V ，V （ CHARGE_ON ） = 0V

V（ FLASH_ON ） = 3.3V ，V （ CHARGE_ON ） = 0V

V(IGBT_EN)=3.3V

○

测量电路图完全充电

检测电压AC1

○

测量电路图完全充电检测电压

AC2

失效直到XFULL电压的时间

为H → L时VOUT后

电压超过30V （ XFULL反应

时间），并在所述电压VCOUT

时间被测量。

该VCOUT电压

测定时XFULL

电压变为H →升。

XFULL反应时间

当VOUT电压

30V或更多：

脉冲宽度= 1usec

当音频电压是

3V或多个：

脉冲宽度= 340nsec

图2-1测量电路图和时序图

图2-2测量电路图和时序图

○

框图

版本B

3/4

关闭实时检测

如图3所示。框图

○

UVLO ， TSD和SDP

VCC

ヒステリシス

迟滞

UVLO （退出）

UVLO检测电压

t

V（ CHARGE_ON ）

UVLO検出により動½停止

操作停止，由于UVLO检测

由于UVLO释放操作将重新启动

UVLO解除により動½復帰

t

V （VOUT ）

操作停止因

チップ温度上昇により動½停止

操作重新启动由于降低芯片的温度

增加芯片

チップ温度下降により動½復帰

T

SDP

t

V（ CAP）

电压在充电完成

充電完了電圧

t

I（ＶＢＡＴ）

t

A

B C

D

E

F

G

H

I

图4时序图：在保护电路工作原理

UVLO

如果VCC电压减小到在所述电特性或更少指定的UVLO检测电压，

欠压锁定保护电路被激活，充电操作暂时停止。 （见时间

○

和

○

in

C

E

图4 ）。在这之后，当VCC电压变为UVLO解除电压以上的电压时，充电操作

自动重新启动。 （见时间

○

和

○

在图4中）。

D

F

这UVLO也适用于该IGBT_OUT引脚。如果VCC电压变为UVLO检测电压以下时，

该IGBT_OUT电压被强制设置为"L" 。

过热关机（ TSD ）

它防止热失控的集成电路由于过度的温度上升（ Tj>185 ℃， [typ ]）。后

检测，充电操作暂时停止（见时间

○

在图4中） ，并且当芯片温度

G

减小， （ Tj<155 ° C， [ TYP ] ） ，它会自动重新启动。 （见时间

○

在图4中）。

H

VOUT引脚短路检测（ SDP ）

16

如果VOUT引脚到期GND电平的任何故障和PowerTr重复开关2 （ = 65536 ）

次是在最大关断时间将SDP计数数（ TSDP ） ，则判断为错误，并且

充电操作被强制停止。 （见时间

○

在图4中。）如果CHARGE_ON销从变

B

"L"到"H"和UVLO检测被释放出来，重新启动。

版本B

4/4

○

使用注意事项

1.

绝对最大额定值

当印象深刻的电压，操作温度范围等，超过绝对最大额定值的可能性

损坏或破坏可能存在。此外，它不可能假定一个破坏性的情况下，如短路

模式，开路模式，等等。如果一个特殊的模式超过绝对最大额定值的假设，请检讨

提供物理安全手段，如保险丝等

地线电位（不包括SW ， VOUT引脚）

保持PGND引脚电位在操作条件下的最低水平。此外，保持脚的除外

PGND引脚的电压低于保护地线引脚电压，包括实际的暂时现象更高。

但是，请VOUT引脚处的电压比在绝对最大额定值规定的电压高。

热设计

制定出足够的裕量服用功耗（PD ）的散热设计，在实际操作条件为

帐户。

保护电路

这种集成电路的输出电路不具有对异常情况如过电流内置的保护电路

保护。因此，如果负载超过封装的电源接通或发生短路时，IC可能被损坏。

在使用前，仔细设计围绕该组的电路。

引脚与错之间安装短路

在PCB上安装IC时足够谨慎是必需的IC方向或位移。如果IC安装不正确，也可能

破碎。此外，毁灭的威胁可能存在造成的产出之间或异物入侵短路

输出电源和GND 。

公共阻抗

当提供电源和GND布线，以降低公共阻抗得到充分的考虑，还原

波纹（即使粗而短的布线，减小波纹通过LC等）尽可能。

IC引脚输入

这是单片IC ，并具有P

+

隔离和P衬底的每个元件之间的元件隔离。

由P层和N层的各元素的，一个形成PN结及各种寄生元件被配置。

例如，电阻器和晶体管被连接到如图Fig. -5的销;

○ P -N

结作为一个寄生二极管时GND > （引脚A）中，在电阻器的情况下，并且当接地> （引脚B）中

在晶体管（ NPN型）的情况下。

○另外，

一个寄生NPN晶体管操作由N层另一元件的相邻的前一个二极管

案例晶体管（ NPN ）的GND时， > （引脚B） 。

寄生元件因此出现过，因为IC的结构的电势关系。寄生

元素拉出来干扰，这可能是故障或损坏的原因的电路。因此，过大

警告是必需的，以避免其导致的施加电压到输入引脚下的寄生元件的操作

比GND （P板）等。

电阻器

（引脚

A）

（引脚

B）

晶体管

（ NPN ）

B

E

C

2.

3.

4.

5.

6.

7.

½

½

GND

N

N

P型衬底

P

N

寄生元件

N

N

P型衬底

寄生元件

N

GND

寄生元件

GND

图5简化的结构示例，双极IC

版本B

½

½

P

+

P

P

+

N

P

+

P

+

（引脚

A）

通告

笔记

没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不

ROHM有限公司的同意。

此规定的内容如有变更，恕不另行通知。

这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中

"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，

这可以从ROHM要求获得。

的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含

示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须

在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。

时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。

但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害

信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。

本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和

为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或

隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益

其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷

使用这样的技术信息。

本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子

设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-

讯设备，电子电器，娱乐设备） 。

本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。

而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一

产品可能会失败或因各种原因发生故障。

请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现

对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性

任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM

不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外

范围或者没有按照使用说明书。

该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或

系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中

可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗

仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，

燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任

任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何

这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。

如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可

根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求

获得许可或根据法律允许。

感谢您的访问，以ROHM的产品信息。

更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。

ROHM的客户支持系统

http://www.rohm.com/contact/

www.rohm.com

2009 ROHM有限公司保留所有权利。

R0039A