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硅肖特基二极管
q
对于低损耗，快速恢复，仪表保护，
BAS 125 ...
偏置隔离和钳位应用
q
集成扩散保护环
q
低正向电压
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理注意事项！
TYPE
BAS 125
BAS 125-04
记号
13
14
订购代码引脚配置
（磁带和卷轴）
Q62702-D1316
Q62702-D1321
包
1)
SOT-23
BAS 125-05
15
Q62702-D1322
BAS 125-06
16
Q62702-D1323
1)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
02.96
BAS 125 ...
q
对于低损耗，快速恢复，仪表保护，
偏置隔离和钳位应用
q
集成扩散保护环
q
低正向电压
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理注意事项！
TYPE
BAS 125-07
记号
17
订购代码引脚配置
（磁带和卷轴）
Q62702-D1327
包
1)
SOT-143
每个二极管的最大额定值
参数
反向电压
正向电流
正向电流浪涌，
t
≤
10毫秒
总功耗，
T
S
≤
25 C
3)
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
725
≤
565
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
j
T
英镑
值
25
100
500
250
150
– 55 … + 150
单位
V
mA
mW
C
K / W
1)
2)
3)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
包安装在氧化铝15毫米
×
16.7 mm
×
0.7 mm.
每包450毫瓦。
半导体集团
2
BAS 125 ...
每二极管电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
反向电流
V
R
= 20 V
V
R
= 25 V
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 35毫安
二极管电容
V
R
= 0,
f
= 1兆赫
微分正向电阻
I
F
= 5毫安，
f
= 10千赫
符号
分钟。
I
R
–
–
V
F
–
–
–
C
T
R
F
–
–
385
530
800
–
15
410
–
900
1.1
–
pF
–
–
1
10
mV
值
典型值。
马克斯。
A
单位
半导体集团
3
BAS 125 ...
正向电流
I
F
=
f
(V
F
)
正向电流
I
F
=
f
(T
S
; T
A
*)
*包安装在氧化铝
BAS 125-04 ， -05 ， -06 ， -07
正向电流
I
F
=
f
(T
S
; T
A
*)
*包安装在氧化铝
BAS 125
反向电流
I
R
=
f
(V
R
)
半导体集团
4
BAS 125 ...
二极管电容
C
T
=
f
(V
R
)
f
= 1兆赫
微分正向电阻
R
F
=
f
(I
F
)
f
= 10千赫
半导体集团
5
SMD型
硅肖特基二极管
BAS125系列
二极管
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
对于低损耗，快速恢复，仪表
保护，偏置隔离和钳位应用
集成扩散保护环
低正向电压
1
2
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
反向电压
正向电流
正向电流浪涌
总功耗
结温
存储温度范围
结到环境
结焊接点
记
1.有关详细信息，请参阅本章包装说明。
2.包装安装在氧化铝15毫米
每包3.450毫瓦。
16.7 mm
0.7 mm.
符号
V
R
I
F
I
FRM
P
合计
T
j
T
英镑
R
日JA
R
日JS
注2
t
TS < 25
10毫秒
（注3）
条件
值
25
100
500
250
150
-55到+150
< 725
< 565
K / W
K / W
单位
V
mA
mA
mW
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
硅肖特基二极管
BAS125系列
二极管
电气特性TA = 25
参数
反向电压
符号
I
R
条件
V
R
= 20 V
V
R
= 25 V
I
F
= 1毫安
正向电压
V
F
I
F
= 10毫安
I
F
= 35毫安
二极管电容
微分正向电阻
C
T
R
F
V
R
= 0中，f = 10kHz的
I
F
= 5毫安， F = 10千赫
15
385
530
800
900
1.1
pF
民
典型值
最大
1
10
410
mV
单位
A
记号
TYPE
记号
BAS125
13
BAS125-04
14
BAS125-05
15
BAS125-06
16
2
www.kexin.com.cn
产品speci fi cation
BAS125系列
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
对于低损耗，快速恢复，仪表
保护，偏置隔离和钳位应用
集成扩散保护环
低正向电压
1
2
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
反向电压
正向电流
正向电流浪涌
总功耗
结温
存储温度范围
结到环境
结焊接点
记
1.有关详细信息，请参阅本章包装说明。
2.包装安装在氧化铝15毫米
每包3.450毫瓦。
16.7 mm
0.7 mm.
符号
V
R
I
F
I
FRM
P
合计
T
j
T
英镑
R
日JA
R
日JS
注2
t
TS < 25
10毫秒
（注3）
条件
值
25
100
500
250
150
-55到+150
< 725
< 565
K / W
K / W
单位
V
mA
mA
mW
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
0-0.1
1 2
产品speci fi cation
BAS125系列
电气特性TA = 25
参数
反向电压
符号
I
R
条件
V
R
= 20 V
V
R
= 25 V
I
F
= 1毫安
正向电压
V
F
I
F
= 10毫安
I
F
= 35毫安
二极管电容
微分正向电阻
C
T
R
F
V
R
= 0中，f = 10kHz的
I
F
= 5毫安， F = 10千赫
15
385
530
800
900
1.1
pF
民
典型值
最大
1
10
410
mV
单位
A
记号
TYPE
记号
BAS125
13
BAS125-04
14
BAS125-05
15
BAS125-06
16
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
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B43455C4338M000
B45196E1225K406
BZX85B47G
B43514E5477M000
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