1/4
S T ü （C T） ü
产品名称
M O对D E升
N}÷ 。
硅单片集成电路
闪光灯电容充电控制IC
ＢＤ４２２０ＡＭＵＶ
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
内置功率晶体管（ 50V DMOS ）
可调式变压器的原边峰值电流线性电流ADJ引脚
充电控制与启动引脚开关
包括高精度的满充电电压检测电路和输出引脚
各种内置的保护电路（ TSD ， UVLO ）
内置的保护电路（ SDP）的
内置IGBT驱动器（ VDD电源的IGBT驱动器）
采用小型封装： VQFN016V3030 （ 3.0毫米× 3.0毫米× 1.0毫米）
F ê一件T ü - [R （E S）
○
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
VCC电源电压
VDD电源电压
SW引脚
VC引脚（DC
特征
)
输入引脚的电压（ START ， ADJ ， IGBT_IN ， IGBT_EN ）
工作温度范围
存储温度范围
结温
功耗
符号
VCC
VDD
VSW
VCDC
VI
TOPR
TSTG
TJMAX
Pd
等级
-0.3½7
-0.3½7
50
-15½50
-0.3½7
-35½+85
-55½+150
150
1770 *1
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
mW
○
工作条件（ TA = 25 ℃ ）
参数
VCC电源电压范围
VDD电源电压范围
输入引脚的电压（ START ， ADJ ， IGBT_IN ， IGBT_EN ）
符号
VCC
VDD
VI
Vfull
等级
2.5½5.5
2.5½5.5
0½VCC
0½5.5
单位
V
V
V
V
FULL引脚输入电流范围
* 1 ：减少14.16毫瓦/°C，在Ta = 25℃以上（当安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米环氧玻璃， 4层电路板：
表面辐射的6.28毫米铜箔
2
在每一层铜箔层压）
○
外标记和尺寸（单位：毫米）
B 4 2
2 0 A
LOT号
在这个文件的注意事项
图1外部标记和尺寸
日语版的此文件是正式的规范。文档的翻译版本应该用于参考。
如果有正式的规格和翻译版本之间有任何差别，正式规范应优先。
REV 。一
2/4
○
电气特性
（ TA = 25 ℃ ， VCC = START = VDD = 3.3V ， VBAT = 3.6V ， ADJ = 1.0V ，除非另有说明。 ）
参数
【总体装置】
VCC的电流消耗
在待机状态下VCC电路电流
VDD电流消耗
在待机状态下VDD电路电流
【待机控制启动引脚】
启动引脚电压高
启动引脚的低电压
启动引脚灌电流
当START短路时反应迟钝
【变压器初级侧驱动器块】
SW引脚漏电流
SW引脚的峰值电流1
SW引脚的峰值电流2
SW引脚的峰值电流3
SW饱和电压
【充电特性调整块】
ADJ灌电流
最大导通时间
最大断时间
【变压器二次侧检测模块】
VC端子吸收电流
满充电检测电压
关检测电压
FULL脚导通电阻
FULL引脚漏电流
【保护电路块】
UVLO检测电压
UVLO迟滞宽度
UVLO VDD电压检测
UVLO VDD滞后幅度
【 IGBT驱动模块】
高电平输出短路电流
低电平输出短路电流
IGBT_IN高层次的输入电压范围1
IGBT_IN高层次的输入电压范围2
IGBT_IN低电平输入电压范围
IGBT_IN灌电流
IGBT_EN高电平输入电压范围
IGBT_EN低电平输入电压范围
IGBT_EN灌电流
符号
目标值
分钟。
－
－
20
－
2.0
－
12
6
－
0.7
1.0
1.95
－
－
25
12
1
29.7
-1.3
50
－
1.9
180
1.9
180
90
30
2.0
1.4
－
12
2.0
－
4.5
标准
1
－
40
－
－
－
24
12.5
－
0.8
1.1
2.05
0.20
2.5
50
25
2
30
-0.5
110
－
2.05
230
2.05
230
140
60
－
－
－
24
－
－
6.5
马克斯。
2.5
1
80
1
－
0.6
36
25
1
0.9
1.2
2.15
0.40
5
100
50
4
30.3
-0.2
300
1
2.2
280
2.2
280
200
90
－
－
0.6
36
－
0.6
10
单位
条件
IVCC
Istb
IVDD
IVDDSTB
VSTH
Vstl
ISTART
T开始
ISWL
IPEAK1
IPEAK2
IPEAK3
VSAT
IADJ
TONmax
Toffmax
IVC
VFULLTH
VOFFL
RFULLL
IFULLH
VUVLOTH
Vuvlohys
VUVLODTH
VUVLODHYS
Ioso
IOSI
VIGBTH1
VIGBTH2
VIGBTL
IIGBT_IN
VIGBTENH
VIGBTENL
IIGBT_EN
mA
μA
μA
μA
V
V
μA
μs
μA
A
A
A
V
μA
μs
μs
mA
V
V
Ω
μA
V
mV
V
mV
mA
mA
V
V
V
μA
V
V
μA
在输出OFF
START=0V
IGBT_EN=3.3V,IGBT_IN=0V
IGBT_EN=0.0V,IGBT_IN=0V
START=3.3V
SW=50V
ADJ=0V
ADJ=1V
ADJ=3V
ISW=0.5A
VC=30V
FULL=0.5V
FULL=3.3V
VCC检测
VDD检测IGBT_IN = 3.3V ，
IGBT_EN=3.3V
IGBT_IN = 3.3V ， IGBT_EN = 3.3V
IGBT_IN = 3.3V ， IGBT_EN = 3.3V
START=0V,IGBT_OUT_P=0V
IGBT_IN = 0V ， IGBT_EN = 3.3V
START=0V,IGBT_OUT_N=3.3V
IGBT_EN = 3.3V ， START = 0V
VDD=3.0½3.6V,
Ta=-25½85 , IGBT_EN=3.3V
IGBT_EN = 3.3V ， START = 0V
IGBT_IN = 3.3V ， START = 0V
IGBT_IN = 3.3V ， START = 0V
IGBT_EN = 3.3V ， IGBT_IN = 3.3V
○引脚号
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8½10
11,12
13
14
15
16
引脚名称
VDD
VCC
GND
ADJ
满
开始
VC
SW
保护地
IGBT_IN
IGBT_EN
IGBT_OUT_N
IGBT_OUT_P
功能
VDD电源引脚
VCC电源引脚
接地引脚
初级侧电流控制销
充满电检测标志引脚
待机引脚
次级侧电压检测端子
开关引脚
电源GND引脚
触发信号的IGBT驱动器的启动输出输入端子
控制输入端子使IGBT驱动器的信号
IGBT驱动器输出N脚
IGBT驱动器输出引脚P
16
15
14
13
1
2
3
4
12
11
10
9
5
6
7
8
图3 TOP VIEW
◎这是不适合的抗辐射性。
REV 。一
3/4
○ Blosk Diagrum
VCC
SW
SW
SW
○ UVLO ， TSD ， SDP
2
机顶盒
VREF
OS
UVLO
VCC
UVLO
TSD
8
9
10
操作停止，由于UVLO检测
操作重启因UVLO发布
滞后
UVLO检测
电压
TSD
开始
6
开始
S Q
R
VCC
逻辑
DRV
SDP
机顶盒
机顶盒
UVLO
TSD
关闭实时检测
MAXON
VC
＋
最大关断时间
SDP
满
t
V（ START）
SQ
R
保护地
t
MAX_ON
MAX_ON
SDP
V（ VC ）
+
-
ADJ
11
12
VC
ANTI-
铃声
滤波器
保护地
操作停止适当增加操作的重启，由于减少
芯片温度
芯片的温度
TSDP
保护地
4
满
Q
1/A
t
5
满
S
R
OS
+
-
7
VC
V（ CAP）
电压完成
电荷的
VDD
1
UVLO_VDD
IGBT_IN
IGBT_OUT_P
t
I（ＶＢＡＴ）
16
13
14
GND
GND
15
IGBT_OUT_N
IGBT_EN
3
* STB ：待机信号
* OS ：一个触发脉冲
t
A
BC
D
E
F
G
H
I
图3框图
图4时序图：在保护电路工作原理
· UVLO
如果VCC电压减小到在所述电特性或以下时，欠压锁定指定UVLO检测电压
C
E
保护电路被激活时，充电操作暂时停止。 （参见时间○和○ 4所示。 ）在此之后，当
D
F
VDD的电压成为欠压释放电压以上的电压时，充电操作将自动重新启动。 （请参见时间○ ○及
在图4中）。
◆ VDD UVLO
如果VDD电压变为VDD UVLO检测电压以下时， IGBT_OUT电压被强制设置为"L" 。
◆特马尔关机（ TSD ）
它可防止热失控的IC因温升过高（ Tj>175 ° C [典型值] ） 。检测后，充电
G
操作暂时停止（参见图4中的时间○ ） ，并且当芯片温度的降低， （ Tj<150 ℃[典型] ） ，它
H
自动重新启动。 （参见时间○ 4所示）。
◆ VC引脚短路检测（ SDP ）
如果VC引脚到期GND电平的任何故障和功率MOS开关重复2
16
（= 65536 ）次是在SDP
算的最大关断时间数（ TSDP ） ，则判断为故障，充电操作被强制停止。 （见
B
时间○ 4所示。 ）如果启动销从"L"变为"H"和UVLO检测被释放时，它将重新启动。
REV 。一
4/4
○使用注意事项
1.绝对最大额定值
虽然我们充分注意这些产品的质量控制，损坏或破坏的可能性，可能存在
当外加电压，工作温度范围等，超过绝对最大额定值。另外，这是不可能
假设一个破坏性的情况下，如短路模式，开路模式等，如果一个特殊模式超过绝对
最大额定值假设，请查看提供的物理安全手段，如保险丝等
2. GND电位
保持PGND引脚电位在操作条件下的最低水平。此外，除了保持在VC引脚
管脚的电压低于保护地线引脚电压，包括实际的暂时现象更高。
SW引脚有时是通过一个负电压取决于外部变压器的特征带电。
如果在任何变化的电气特性或损害被怀疑由于SW引脚由一个负电压充电，也就是
建议肖特基二极管应连接之间的SW引脚和PGND引脚。
3.热设计
制定出足够的裕量服用功耗（PD ）的实际运行工况考虑热设计。
4.
保护电路
该IC没有过电流保护电路。
毁灭的威胁可能会存在，如果钯是在过流或致
电路引脚。小心规避设计电路。
短
引脚和不正确的安装5之间短路
在PCB上安装IC时足够谨慎是必需的IC方向或位移。如果集成电路安装不正确，可能破碎。
此外，毁灭的威胁可能存在造成的输出或输出与GND之间的异物入侵短路
的电源。
6.公共阻抗
当提供电源和GND布线，以降低共模阻抗，减小纹波给予足够的考虑（即
使粗而短的布线，减小波纹通过LC等）尽可能。
（引脚
A）
（引脚
B）
C
N
P
N
E
GND
寄生元件
GND
（引脚
B）
C
P
N
+
P
N
P
+
P
N
N
+
P
+
N
P型衬底
GND
P型衬底
寄生
GND
寄生
½
½
B
E
GND
寄生元件
REV 。一
½
½
抵制
晶体管
B
（引脚
A）
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
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示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
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讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
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