SMD型
硅PIN二极管
BAR17
二极管
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
RF开关
RF衰减器的频率高于1MHz的
低失真因素
的电特性的长期稳定性
1
2
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
一个bsolute M的Axim嗯 atings T A = 25
P ARAM ETER
EVERSE电压
正向电流
牛逼otal功耗,T
S
结tem温度
S torage tem温度
操作摄像tem温度范围
结 - 关环境
1)
结 - 焊接点
OTE
1. P ackage米ounted上明矾INA 15米米
16.7 m m
0.7 m m .
95
1)
S YM BOL
V
R
I
F
P
合计
T
j
T
英镑
T
op
R
thJA
R
thjs
价值
100
140
250
150
-55到+150
-55到+150
295
215
ü尼特
V
mA
mW
K / W
电气特性TA = 25
参数
反向电流
正向电压
二极管电容
载流子寿命
符号
I
R
V
F
C
T
L
测试条件
V
R
= 50 V
V
R
= 100 V
I
F
= 100毫安
V
R
= 50 V , F = 1兆赫
V
R
= 0中,f = 100MHz的
I
F
= 10 mA时,我
R
= 6毫安
I
F
= 0.01 mA时, F = 100 MHz的
正向电阻
r
f
I
F
= 0.1毫安, F = 100 MHz的
I
F
= 1毫安, F = 100 MHz的
I
F
= 10 mA时, F = 100 MHz的
0.91
0.32
0.37
4
1150
160
23
3.5
s
民
典型值
最大
50
1
1
0.55
单位
nA
A
V
pF
记号
记号
L6
0-0.1
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1
产品speci fi cation
BAR17
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
RF开关
RF衰减器的频率高于1MHz的
低失真因素
的电特性的长期稳定性
1
2
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
一个bsolute M的Axim嗯 atings T A = 25
P ARAM ETER
EVERSE电压
正向电流
牛逼otal功耗,T
S
结tem温度
S torage tem温度
操作摄像tem温度范围
结 - 关环境
1)
结 - 焊接点
OTE
1. P ackage米ounted上明矾INA 15米米
16.7 m m
0.7 m m .
95
1)
S YM BOL
V
R
I
F
P
合计
T
j
T
英镑
T
op
R
thJA
R
thjs
价值
100
140
250
150
-55到+150
-55到+150
295
215
ü尼特
V
mA
mW
K / W
电气特性TA = 25
参数
反向电流
正向电压
二极管电容
载流子寿命
符号
I
R
V
F
C
T
L
测试条件
V
R
= 50 V
V
R
= 100 V
I
F
= 100毫安
V
R
= 50 V , F = 1兆赫
V
R
= 0中,f = 100MHz的
I
F
= 10 mA时,我
R
= 6毫安
I
F
= 0.01 mA时, F = 100 MHz的
正向电阻
r
f
I
F
= 0.1毫安, F = 100 MHz的
I
F
= 1毫安, F = 100 MHz的
I
F
= 10 mA时, F = 100 MHz的
0.91
0.32
0.37
4
1150
160
23
3.5
s
民
典型值
最大
50
1
1
0.55
单位
nA
A
V
pF
记号
记号
L6
0-0.1
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4008-318-123
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