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数据手册, V2.0 , 2009年4月
BGF125
SIMC ARD我F覆盖整个院落IL TE兰特ESDP rotection
小信号分立器件
版2009-04-01
出版
英飞凌科技股份公司
81726慕尼黑,德国
英飞凌科技股份公司2009年。
版权所有。
法律声明
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信息
有关技术,交货条款及条件和价格的进一步信息,请联系离您最近的
英飞凌科技厅( www.Infineon.com ) 。
警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息
的问题,请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。
在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面
的在网络连接氖技术批准,如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障
生命支持设备或系统,或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持
装置或系统,意在被植入人体,或支持和/或保持和维持
和/或保护人的生命。如果失败了,这是合理的假设,该用户或其他人的健康可能
受到威胁。
BGF125
SIM卡接口滤波器和ESD保护
BGF125
修订历史: 2009-04-01 , V2.0
以前的版本: 2008-05-27 , V1.0
页面
所有
5, 6
7
科目(自上次调整的重大变化)
目标状态中删除
图2
科幻gure 3
更新
图5
额外
数据表
3
V2.0, 2009-04-01
BGF125
SIM卡接口滤波器和ESD保护
BGF125
BGF125
特点
ESD保护电路和接口过滤器SIM卡
减少线12 pF的最大电容
根据IEC61000-4-2 ESD保护的± 15 kV接触放电
外部的IO
晶圆级封装用锡银铜焊料球
400
m
锡球间距
符合RoHS和WEEE标准的封装
WLP-8-10-N-3D
描述
BGF125是ESD保护和滤波电路,用于SIM卡接口。所有的外部IO的保护,防止
根据IEC61000-4-2 ESD ±15 kV接触放电脉冲。晶圆级封装是一种绿色无铅
不含卤素封装的尺寸仅为1.15毫米× 1.15毫米和0.6毫米的总高度
C2
A3
B3
C3
R1, 100
R2, 47
R3, 100
分机。 IO的
A2
B1
C1
GND , B2
BGF125 _schematic.vsd
图1
TYPE
BGF125
表1
参数
概要
WLP-8-10
最大额定值
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
5
+85
+150
60
2
15
V
°C
°C
mW
kV
kV
0
-40
-65
-2
-15
单位
注意: /
测试条件
记号
25
芯片
N0745
电压在所有引脚GND
工作温度范围
存储温度范围
总结了输入功率为所有引脚
接触放电在内部销的A3 ,B3,C3
V
P
T
OP
T
英镑
P
in
T
S
< 70℃
静电放电根据IEC61000-4-2
V
ESD
接触放电的外部引脚A2 , B1 , C1 ,
V
ESD
C2
数据表
4
V2.0, 2009-04-01
BGF125
SIM卡接口滤波器和ESD保护
BGF125
表2
参数
电气特性
1)
符号
分钟。
典型值。
100
47
1
2
18.5
-12.5
10
马克斯。
120
56.4
100
200
12
nA
nA
V
pF
80
37.6
8
单位
注意: /
测试条件
电阻器
R
1
,
R
3
电阻器
R
2
ESD保护二极管的泄漏电流
ESD二极管的击穿电压
2)
线路电容
所有线路的电容到GND
1)在
T
A
= 25
°C
2 )后扣回
R
1,3
R
2
I
L
V
( BR )
C
T
V
=3V
V
=5V
I
( BR )
= 1毫安
I
( BR )
= -1毫安
V
=0V
BGF125插入损耗
0
-5
-10
-15
dB
-20
-25
-30
-35
-40
1
10
100
兆赫
1000
10000
A2-A3
B1-B3
图2
插入损耗,
Z
S
=
Z
L
= 50
数据表
5
V2.0, 2009-04-01
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