【BCW61 ， BCX71PNP硅晶体管自动对焦对于AF输入级和驱动器应用高电流增益低集电极 - 发】,IC型号BCW61A,BCW61A PDF资料,BCW61A经销商,ic,电子元器件-51电子网

BCW61 ， BCX71

PNP硅晶体管自动对焦

对于AF输入级和驱动器应用

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

30 Hz至15 kHz的低噪音

互补类型： BCW60 ， BCX70 （NPN）

3

2

1

VPS05161

TYPE

BCW 61A

BCW 61B

BCW 61C

BCW 61D

BCW 61FF

BCW 61FN

BCX 71G

BCX 71H

BCX 71J

BCX 71K

记号

BAS

BBS

BCS

BDS

BFS

BNS

BGS

BHS

BJS

BKS

1=B

引脚配置

2=E

3=C

包

SOT23

1

Jul-10-2001

BCW61 ， BCX71

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 71 °C

结温

储存温度

热阻

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

BCW61 BCW61FF

32

5

32

5

100

200

330

150

-65 ... 150

BCX71

单位

45

5

mA

mW

°C

V

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

B

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 1 A,

I

C

= 0

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

V

（ BR ） CEO

32

45

V

（ BR ） CBO

32

45

V

（ BR ） EBO

5

-

BCW61/61FF

BCX71

BCW61/61FF

BCX71

2

结 - 焊接点

1)

R

thjs

240

K / W

单位

马克斯。

V

典型值。

Jul-10-2001

BCW61 ， BCX71

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

AC特性

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 32 V,

I

E

= 0

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 32 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

BCW61/61FF

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

BCX71

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益1 ）

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

h

FE

-grp 。

A / G

h

FE

-grp 。

B / H

h

FE

-grp 。

C /焦耳/ FF

h

FE

-grp 。

D / K / FN

BCW61/61FF

BCX71

单位

马克斯。

nA

典型值。

I

CBO

-

I

CBO

-

I

EBO

h

FE

20

30

40

100

h

FE

h

FE

-grp 。

A / G

h

FE

-grp 。

B / H

h

FE

-grp 。

C /焦耳/ FF

h

FE

-grp 。

D / K / FN

-

20

A

20

nA

-

140

200

300

460

-

直流电流增益1 ）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

120

180

250

380

h

FE

170

250

350

500

220

310

460

630

直流电流增益1 ）

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp 。

A / G

h

FE

-grp 。

B / H

h

FE

-grp 。

C /焦耳/ FF

h

FE

-grp 。

D / K / FN

60

80

100

110

-

1 ）脉冲测试：吨

≤=

300

S，D = 2 ％

3

Jul-10-2001

BCW61 ， BCX71

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

特征

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0.25毫安

I

C

= 50毫安，

I

B

= 1.25毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0.25毫安

I

C

= 50毫安，

I

B

= 1.25毫安

基极 - 发射极电压1）

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

A / G

B / H

C /焦耳/ FF

D / K / FN

符号

分钟。

V

CESAT

-

V

BESAT

-

V

BE（上）

-

0.55

-

值

典型值。

马克斯。

单位

V

0.12

0.2

0.7

0.83

0.52

0.65

0.78

0.25

0.55

0.85

1.05

-

0.75

-

f

T

C

cb

C

eb

h

FE

-grp 。

h

11e

-

250

3

8

-

兆赫

pF

-

2.7

3.6

4.5

7.5

-

开路反向电压transf.ratio

h

FE

-grp 。

h

12e

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

A / G

B / H

C /焦耳/ FF

D / K / FN

10

-4

-

1.5

2

3

-

1 ）脉冲测试：吨

≤=

300

S，D = 2 ％

4

Jul-10-2001

短路输入阻抗

k

BCW61 ， BCX71

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

AC特性

典型值。

马克斯。

单位

短路正向电流transf.ratio

h

FE

-grp 。

h

21e

A / G

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

B / H

C /焦耳/ FF

D / K / FN

-

200

260

330

520

-

S

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

A / G

B / H

C /焦耳/ FF

D / K / FN

-

18

24

30

50

-

噪声系数

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 1

k

,

f

= 1千赫，

f

= 200

Hz

h

FE

-grp 。

F

一/ K

FF / FN

h

FE

-grp 。

V

n

-

2

1

-

2

0.11

V

等效噪声电压

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

f

= 10 ... 50赫兹

FF / FN

5

Jul-10-2001

开路输出导纳

h

FE

-grp 。

h

22e

dB

BCW61 ... ， BCX71 ...

PNP硅晶体管自动对焦

对于AF输入级和驱动器应用

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

30 Hz至15 kHz的低噪音

互补类型： BCW60 ， BCX70 （NPN）

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

3

1

2

TYPE

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

BCX71G

BCX71H

BCX71J

BCX71K

1

含有铅，

记号

BAS

BBS

BCS

BDS

BGS

BHS

BJS

BKS

1=B

引脚配置

2=E

3=C

包

SOT23

包可能是可根据特殊要求

1

2007-10-18

BCW61 ... ， BCX71 ...

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

BCW61...

BCX71...

集电极 - 基极电压

BCW61...

BCX71...

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功率dissipation-

T

S

≤

71 °C

结温

储存温度

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

1

为

符号

V

首席执行官

价值

32

45

单位

V

CBO

32

45

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

符号

R

thjs

5

100

200

330

150

-65 ... 150

价值

≤

240

mW

-

°C

单位

K / W

mA

计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2

2007-10-18

BCW61 ... ， BCX71 ...

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

单位

参数

分钟。

典型值。马克斯。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CEO

V

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， ... BCW61

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， BCX71 ...

32

45

V

（ BR ） CBO

-

A

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0， ... BCW61

I

C

= 10 A,

I

E

= 0， BCX71 ...

32

45

V

（ BR ） EBO

I

CBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 1 A,

I

C

= 0

5

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 32 V,

I

E

= 0

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0

V

CB

= 32 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 ° C， BCW61 ...

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 ° C， BCX71 ...

-

I

EBO

h

FE

-

0.02

20

nA

-

发射基截止电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

-

直流电流增益

1)

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp 。 A / G

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp 。 B / H

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp 。 / J

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp 。 D / K

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp 。 A / G

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp 。 B / H

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp 。 / J

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

h

FE

-grp 。 D / K

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp 。 A / G

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp 。 B / H

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp 。 / J

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp 。 D / K

20

30

40

100

120

180

250

380

60

80

100

110

140

200

300

460

170

250

350

500

-

220

310

460

630

-

3

2007-10-18

BCW61 ... ， BCX71 ...

DC电气特性

参数

特征

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0.25毫安

I

C

= 50毫安，

I

B

= 1.25毫安

V

CESAT

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

V

-

0.12

0.2

0.7

0.83

0.52

0.65

0.78

0.25

0.55

0.85

1.05

-

0.75

-

基极发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0.25毫安

I

C

= 50毫安，

I

B

= 1.25毫安

V

BESAT

-

V

BE（上）

基射极电压

1)

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V

1

脉冲

-

0.55

-

测试：吨< 300μS ; < 2 ％

4

2007-10-18

BCW61 ... ， BCX71 ...

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

f

T

C

cb

C

eb

h

11e

-

250

1.5

8

-

兆赫

pF

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

短路输入阻抗

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 A / B

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 B / H

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 / J

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 D / K

k

-

2.7

3.6

4.5

7.5

1.5

2

3

200

260

330

520

18

24

30

50

2

-

10

-4

-

S

-

dB

开路反向电压互感器。比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 A / B

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 B / H

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 / J

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 D / K

h

12e

短路正向电流互感器。比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 A / B

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 B / H

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 / J

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 D / K

h

21e

开路输出导纳

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 A / B

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 B / H

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 / J

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

h

FE

-grp 。 D / K

h

22e

噪声系数

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫，

F

-

f

= 200赫兹，

R

S

= 2 k,

h

FE

-grp 。一/ K

5

2007-10-18

SMD型

通用晶体管

BCW61A/B/C/D

晶体管

IC

特点

PNP外延硅晶体管

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

1

2

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25 ，除非另有说明

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

英镑

等级

-32

-5

-100

350

-55到+150

单位

V

mA

mW

0-0.1

www.kexin.com.cn

1

SMD型

BCW61A/B/C/D

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

BCW61B

直流电流增益

BCW61C

BCW61D

BCW61B

直流电流增益

BCW61C

BCW61D

BCW61B

直流电流增益

BCW61C

BCW61D

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

I

C

= -10毫安;我

B

= -0.25毫安

I

C

= -50毫安;我

B

= -1.25毫安

基地发射极饱和电压

基地发射极电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率*

噪声系数

*脉冲测试： TP

300 ;

0.02.

V

BE （ SAT ）

V

BE

C

e

f

T

NF

I

C

= -10毫安;我

B

= -0.25毫安

I

C

= -50毫安;我

B

= -1.25毫安

I

C

= -2 mA的; V

CE

= -5 V

I

E

= IE = 0 ; V

CB

= -10 V ; F = 1 MHz的

I

C

=集成电路= 0; V

EB

= -0.5 V ; F = 1 MHz的

I

C

= -10毫安; V

CE

= -5V ; F = 100 MHz的

I

C

= -200 IA ; V

CE

= -5V ;

S

= 2 k;

F = 1千赫B = 200赫兹

100

h

FE

I

C

= -50毫安; V

CE

= -5 V

h

FE

I

C

= -2 mA的; V

CE

= -5 V

h

FE

I

C

= -10ìA ; V

CE

= -5 V

符号

I

CBO

I

CBO

I

EBO

Testconditons

I

E

= 0; V

CB

= -32 V

I

E

= 0; V

CB

= -32 V ;牛逼

AMB

= 150

I

C

= 0; V

EB

= -4 V

30

40

100

180

250

380

80

100

110

-60

-120

-600

-0.68

-600

民

晶体管

IC

典型值

最大

-20

单位

nA

ìA

nA

310

460

630

-250

-550

-850

-1.05

-650

4.5

11

-750

mV

V

mV

pF

兆赫

2

6

dB

记号

TYPE

记号

BCW61A

BA

BCW61B

BB

BCW61C

BC

BCW61D

BD

2

www.kexin.com.cn

BCW61A ... BCW61D

PNP

表面贴装通用硅外延平面型晶体管

硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflchenmontage

功耗 - Verlustleistung

2.9

±0.1

0.4

3

1.3

±0.1

1.1

PNP

250毫瓦

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

版本2006-07-31

塑料外壳

Kunststoffgehuse

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

TYPE

CODE

1

1.9

2

尺寸 - 集体[MM ]

1=B

2=E

3=C

最大额定值（T

A

= 25°C)

集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung

集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom

峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom

结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

B开

ê开放

c打开

- V

首席执行官

- V

CBO

- V

EB0

P

合计

- I

C

- I

CM

- I

BM

T

j

T

S

2.5最大

Grenzwerte （T

A

= 25°C)

BCW60A ... BCW60D

32 V

5V

250毫瓦

1

)

百毫安

200毫安

-55...+150°C

-55…+150°C

特性（T

j

= 25°C)

分钟。

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 10 A

2)

Kennwerte （T

j

= 25°C)

典型值。

140

200

300

460

170

250

350

500

–

马克斯。

–

220

310

460

630

–

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

20

30

40

100

120

180

250

380

60

80

100

110

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 2毫安

- V

CE

= 1 V ， - 我

C

= 50毫安

1

2

安装在P.C。主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

测试了脉冲吨

p

= 300微秒，占空比

≤

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300微秒， Schaltverhltnis

≤

2%

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

1

BCW61A ... BCW61D

特性（T

j

= 25°C)

分钟。

集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung

2

)

- I

C

= 10毫安， - 我

B

= 0.25毫安

- I

C

= 50毫安， - 我

B

= 1.25毫安

基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung

2

)

- I

C

= 10毫安， - 我

B

= 0.25毫安

- I

C

= 50毫安， - 我

B

= 1.25毫安

基极发射极电压 - 基射极Spannung

2

)

- I

C

= 10 μA ， - V

CE

= 5 V

- I

C

= 2毫安， - V

CE

= 5 V

- I

C

= 50毫安， - V

CE

= 1 V

集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom

- V

CB

= 30 V ，（E打开）

- V

CE

= 30 V ，T

j

= 125°C ，（E打开）

发射基截止电流

- V

EB

= 4 V，（C打开）

增益带宽积 - Transitfrequenz

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 10 mA时， F = 100 MHz的

集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt

- V

CB

= 10 V，I

E

= i

e

= 0中，f = 1 MHz的

发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt

- V

EB

= 10 V，I

C

= i

c

= 0中，f = 1 MHz的

噪声系数 - Rauschzahl

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 200 μA ，R

G

= 2 k

F = 1千赫

Δf

= 200赫兹

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

推荐互补NPN晶体管

Empfohlene komplementre NPN - Transistoren

标记 - Stempelung

F

R

THA

–

2分贝

< 420 K / W

1

)

BCW60A ... BCW60D

BCW61A = BA

BCW61B = BB

BCW61C = BC

BCW61D = BD

6分贝

C

EBO

–

11 pF的

–

C

CBO

–

4.5 pF的

–

f

T

100兆赫

250兆赫

–

- I

EB0

–

20 nA的

- I

CB0

- I

CB0

–

20 nA的

20 A

- V

BE

- V

BE

- V

BE

–

550毫伏

–

520毫伏

650毫伏

780毫伏

–

750毫伏

–

- V

BESAT

- V

BESAT

–

700毫伏

830毫伏

850毫伏

1050毫伏

- V

CESAT

- V

CESAT

–

120毫伏

200毫伏

250毫伏

550毫伏

Kennwerte （T

j

= 25°C)

典型值。

马克斯。

2

1

测试了脉冲吨

p

= 300微秒，占空比

≤

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300微秒， Schaltverhltnis

≤

2%

安装在P.C。主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

2

BCW61A ... BCW61D

PNP

表面贴装通用硅外延平面型晶体管

硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflchenmontage

功耗 - Verlustleistung

2.9

±0.1

0.4

3

1.3

±0.1

1.1

PNP

250毫瓦

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

版本2006-07-31

塑料外壳

Kunststoffgehuse

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

TYPE

CODE

1

1.9

2

尺寸 - 集体[MM ]

1=B

2=E

3=C

最大额定值（T

A

= 25°C)

集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung

集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom

峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom

结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

B开

ê开放

c打开

- V

首席执行官

- V

CBO

- V

EB0

P

合计

- I

C

- I

CM

- I

BM

T

j

T

S

2.5最大

Grenzwerte （T

A

= 25°C)

BCW60A ... BCW60D

32 V

5V

250毫瓦

1

)

百毫安

200毫安

-55...+150°C

-55…+150°C

特性（T

j

= 25°C)

分钟。

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 10 A

2)

Kennwerte （T

j

= 25°C)

典型值。

140

200

300

460

170

250

350

500

–

马克斯。

–

220

310

460

630

–

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

20

30

40

100

120

180

250

380

60

80

100

110

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 2毫安

- V

CE

= 1 V ， - 我

C

= 50毫安

1

2

安装在P.C。主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

测试了脉冲吨

p

= 300微秒，占空比

≤

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300微秒， Schaltverhltnis

≤

2%

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

1

BCW61A ... BCW61D

特性（T

j

= 25°C)

分钟。

集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung

2

)

- I

C

= 10毫安， - 我

B

= 0.25毫安

- I

C

= 50毫安， - 我

B

= 1.25毫安

基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung

2

)

- I

C

= 10毫安， - 我

B

= 0.25毫安

- I

C

= 50毫安， - 我

B

= 1.25毫安

基极发射极电压 - 基射极Spannung

2

)

- I

C

= 10 μA ， - V

CE

= 5 V

- I

C

= 2毫安， - V

CE

= 5 V

- I

C

= 50毫安， - V

CE

= 1 V

集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom

- V

CB

= 30 V ，（E打开）

- V

CE

= 30 V ，T

j

= 125°C ，（E打开）

发射基截止电流

- V

EB

= 4 V，（C打开）

增益带宽积 - Transitfrequenz

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 10 mA时， F = 100 MHz的

集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt

- V

CB

= 10 V，I

E

= i

e

= 0中，f = 1 MHz的

发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt

- V

EB

= 10 V，I

C

= i

c

= 0中，f = 1 MHz的

噪声系数 - Rauschzahl

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 200 μA ，R

G

= 2 k

F = 1千赫

Δf

= 200赫兹

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

推荐互补NPN晶体管

Empfohlene komplementre NPN - Transistoren

标记 - Stempelung

F

R

THA

–

2分贝

< 420 K / W

1

)

BCW60A ... BCW60D

BCW61A = BA

BCW61B = BB

BCW61C = BC

BCW61D = BD

6分贝

C

EBO

–

11 pF的

–

C

CBO

–

4.5 pF的

–

f

T

100兆赫

250兆赫

–

- I

EB0

–

20 nA的

- I

CB0

- I

CB0

–

20 nA的

20 A

- V

BE

- V

BE

- V

BE

–

550毫伏

–

520毫伏

650毫伏

780毫伏

–

750毫伏

–

- V

BESAT

- V

BESAT

–

700毫伏

830毫伏

850毫伏

1050毫伏

- V

CESAT

- V

CESAT

–

120毫伏

200毫伏

250毫伏

550毫伏

Kennwerte （T

j

= 25°C)

典型值。

马克斯。

2

1

测试了脉冲吨

p

= 300微秒，占空比

≤

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300微秒， Schaltverhltnis

≤

2%

安装在P.C。主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

2

PNP硅晶体管自动对焦

BCW 61

BCX 71

q

对于AF输入级和驱动器应用

q

高电流增益

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

30 Hz至15 kHz的低噪音

q

互补类型： BCW 60 ， BCX 70 （NPN）

TYPE

BCW 61一

BCW 61 B

BCW 61℃

BCW 61

BCW 61 FF

BCW 61 FN

BCX 71G

BCX 71H

BCX 71J

BCX 71

记号

BAS

BBS

BCS

BDS

BFS

BNS

BGS

BHS

BJS

BKS

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-C452

Q62702-C1585

Q62702-C1478

Q62702-C1556

Q62702-C1890

Q62702-C1891

Q62702-C1482

Q62702-C1586

Q62702-C1554

Q62702-C1654

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

1)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

半导体集团

1

5.91

BCW 61

BCX 71

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 71 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

1)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

310

≤

240

符号

BCW 61

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

32

值

BCW 61 FF 71 BCX

32

5

100

200

330

150

– 65 … + 150

45

单位

V

mA

mW

C

K / W

1)

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

2

BCW 61

BCX 71

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安

BCW 61 BCW 61 FF

BCX 71

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

BCW 61 BCW 61 FF

BCX 71

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 1

A

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 32 V

V

CB

= 45 V

V

CB

= 32 V,

T

A

= 150 C

V

CB

= 45 V,

T

A

= 150 C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4 V

直流电流增益

1)

I

C

= 10

A,

V

CE

= 5 V

BCW 61 A， BCX 71 G的

BCW 61 B， 71 BCX

BCW 61 FF ， BCW 61℃ ， BCX 71

BCW 61 FN ， BCW 61 D， BCX 71

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

BCW 61 A， BCX 71 G的

BCW 61 B， 71 BCX

BCW 61 FF ， BCW 61℃ ， BCX 71

BCW 61 FN ， BCW 61 D， BCX 71

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V

BCW 61 A， BCX 71 G的

BCW 61 B， 71 BCX

BCW 61 FF ， BCW 61℃ ， BCX 71

BCW 61 FN ， BCW 61 D， BCX 71

BCW 61 BCW 61 FF

BCX 71

BCW 61 BCW 61 FF

BCX 71

I

EB0

h

FE

20

30

40

100

120

180

250

380

60

80

100

110

140

200

300

460

170

250

350

500

–

220

310

460

630

–

V

(BR)CE0

32

45

V

(BR)CB0

32

45

V

(BR)EB0

I

CB0

–

20

nA

A

nA

–

5

–

V

值

典型值。

马克斯。

单位

1)

脉冲测试：

t

≤

300

s,

D

≤

2 %.

半导体集团

3

BCW 61

BCX 71

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0.25毫安

I

C

= 50毫安，

I

B

= 1.25毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0.25毫安

I

C

= 50毫安，

I

B

= 1.25毫安

基射极电压

1)

I

C

= 10

A,

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

输出电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

输入电容

V

CB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

短路输入阻抗

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

BCW 61 A， BCX 71 G的

BCW 61 B， 71 BCX

BCW 61 FF ， BCW 61℃ ， BCX 71

BCW 61 FN ， BCW 61 D， BCX 71

开路反向电压传输比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

BCW 61 A， BCX 71 G的

BCW 61 B， 71 BCX

BCW 61 FF ， BCW 61℃ ， BCX 71

BCW 61 FN ， BCW 61 D， BCX 71

f

T

C

敖包

C

IBO

h

11e

–

h

12e

–

1.5

2.0

3.0

–

2.7

3.6

4.5

7.5

–

10

– 4

–

250

3

8

–

k

兆赫

pF

V

CESAT

–

V

BESAT

–

V

BE（上）

–

0.55

–

0.52

0.65

0.78

–

0.75

–

0.70

0.83

0.85

1.05

0.12

0.20

0.25

0.55

V

值

典型值。

马克斯。

单位

1)

脉冲测试：

t

≤

300

s,

D

≤

2 %.

半导体集团

4

BCW 61

BCX 71

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

短路正向电流传输比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

BCW 61 A， BCX 71 G的

BCW 61 B， 71 BCX

BCW 61 FF ， BCW 61℃ ， BCX 71

BCW 61 FN ， BCW 61 D， BCX 71

开路输出导纳

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

BCW 61 A， BCX 71 G的

BCW 61 B， 71 BCX

BCW 61 FF ， BCW 61℃ ， BCX 71

BCW 61 FN ， BCW 61 D， BCX 71

噪声系数

I

C

= 0.2毫安，

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2 k

f

= 1千赫，

f

= 200赫兹

BCW 61 A至BCX 71

BCW 61 FF ， BCW 61 FN

等效噪声电压

I

C

= 0.2毫安，

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2 k

f

= 10赫兹... 50赫兹

BCW 61 FF ， BCW 61 FN

h

21e

–

h

22e

–

F

18

24

30

50

–

dB

200

260

330

520

–

s

值

典型值。

马克斯。

单位

–

V

n

–

2

1

–

2

0.11

V

半导体集团

5

BCW61A/B/C/D

通用晶体管

PNP外延硅晶体管

SOT-23

绝对最大额定值（T

A

=25°C)

°

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

储存温度

请参阅KS5086的图形

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

英镑

等级

-32

-5.0

-100

350

-55 ~ 150

单位

V

mA

mW

°C

1.底座2.辐射源3.收藏家

电气特性（T

A

=25°C)

°

特征

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

直流电流增益

： BCW61B

： BCW61C

： BCW61D

： BCW61A

： BCW61B

： BCW61C

： BCW61D

： BCW61A

： BCW61B

： BCW61C

： BCW61D

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

输出电容

噪声系数

启动时间

关闭时间

符号

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CES

h

FE

测试条件

I

C

= -2mA ，我

B

=0

I

E

= -1μA ，我

C

=0

V

CB

= -32V, V

BE

=0

V

CE

= -5V ，我

C

= -10A

民

-32

-5

-20

20

40

100

120

140

250

380

60

80

100

最大

单位

V

nA

V

CE

= -5V ，我

C

= -2mA

220

310

460

630

V

CE

= -5V ，我

C

= -50mA

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

V

BE

（上）

C

OB

NF

t

ON

t

关闭

I

C

= -50mA ，我

B

= -1.25mA

I

C

= -10mA ，我

B

= -0.25mA

I

C

= -50mA ，我

B

= -1.25mA

I

C

= -10mA ，我

B

= -0.25mA

V

CE

= -5V ，我

C

= -2mA

V

CB

= -10V ，我

E

=0

f=1MHz

I

C

= -0.2mA ，V

CE

= -5V

R

G

= 20KΩ ， F = 1KHz的

I

C

= -10mA ，我

B

1 = -1mA

V

BB

= -3.6V ，我

B

2 = -1mA

R1 = R2 = 50KΩ ，R

L

=990

0.68

0.6

-0.55

-0.25

1.05

0.85

0.75

6

150

800

V

pF

dB

ns

版本B

1999仙童半导体公司

BCW61A/B/C/D

标识代码

TYPE

标记。

BCW61A

BA

BCW61B

BB

PNP外延硅晶体管

BCW61C

BC

BCW61D

BD

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

CoolFET

CROSSVOLT

E

2

CMOS

TM

FACT

FACT静音系列

快

FASTr

GTO

HiSeC

放弃

等平面

MICROWIRE

POP

的PowerTrench

QS

静音系列

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

TinyLogic

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或

2.关键部件是在生命的任何组件

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

BCW61A/B/C/D

特点

PNP外延硅晶体管

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

1

2

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25 ，除非另有说明

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

英镑

等级

-32

-5

-100

350

-55到+150

单位

V

mA

mW

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

0-0.1

1 2

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

BCW61A/B/C/D

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

BCW61B

直流电流增益

BCW61C

BCW61D

BCW61B

直流电流增益

BCW61C

BCW61D

BCW61B

直流电流增益

BCW61C

BCW61D

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

I

C

= -10毫安;我

B

= -0.25毫安

I

C

= -50毫安;我

B

= -1.25毫安

基地发射极饱和电压

基地发射极电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率*

噪声系数

*脉冲测试： TP

300 ;

0.02.

V

BE （ SAT ）

V

BE

C

e

f

T

NF

I

C

= -10毫安;我

B

= -0.25毫安

I

C

= -50毫安;我

B

= -1.25毫安

I

C

= -2 mA的; V

CE

= -5 V

I

E

= IE = 0 ; V

CB

= -10 V ; F = 1 MHz的

I

C

=集成电路= 0; V

EB

= -0.5 V ; F = 1 MHz的

I

C

= -10毫安; V

CE

= -5V ; F = 100 MHz的

I

C

= -200 IA ; V

CE

= -5V ;

S

= 2 k;

F = 1千赫B = 200赫兹

100

2

6

h

FE

I

C

= -50毫安; V

CE

= -5 V

h

FE

I

C

= -2 mA的; V

CE

= -5 V

h

FE

I

C

= -10ìA ; V

CE

= -5 V

符号

I

CBO

I

CBO

I

EBO

Testconditons

I

E

= 0; V

CB

= -32 V

I

E

= 0; V

CB

= -32 V ;牛逼

AMB

= 150

I

C

= 0; V

EB

= -4 V

30

40

100

180

250

380

80

100

110

-60

-120

-600

-0.68

-600

-650

4.5

11

-250

-550

-850

-1.05

-750

mV

V

mV

pF

兆赫

dB

310

460

630

民

典型值

最大

-20

单位

nA

ìA

nA

记号

TYPE

记号

BCW61A

BA

BCW61B

BB

BCW61C

BC

BCW61D

BD

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2