技术说明
高性能稳压器IC系列电脑
集成FET
开关稳压器
DDR- SDRAM内核
BD95513MUV
°说明
BD95513MUV是一种能够在低输出电压提供高电流输出（高达3A ）开关稳压器（ 0.7V 5.0V ）
在宽范围的输入电压（ 4.5V 28V） 。该稳压器具有高的内部N -MOSFET功率晶体管
3
TM
效率和低空间消耗，同时融入了ROHM独有的寄存器控制模式技术，高产
业界最快的瞬态响应时间对负载变化。 SLLM （简单轻负载模式）技术也是
集成的电源轻载，以及软启动，变频时提高效率，短路保护
用定时器锁存器，过电压保护， REF功能。该稳压器是适用于PC的应用程序。
■特点
1）内置低导通电阻的功率N-MOSFET
2 ）内部5V线性稳压器
3
TM
3）集成的H寄存器的DC / DC变换器控制器
4 ）可选择简单轻负载模式（ SLLM ） ，静音轻负载模式（ QLLM ），并强制连续模式
5 ）内置热关断，低投入，电流过载，输出过压和欠压保护电路
6 ）软启动功能，以最大限度地减少启动时的浪涌电流
7 ）可调节开关频率（f = 200千赫1000千赫）
8 ）内置输出放电功能
9 ） VQFN032 - V5050封装尺寸
10 ）追踪功能
11 ）内置自举二极管
■应用
移动PC，台式电脑，液晶电视，数字家庭电子产品
2008年9月
“绝对
最大额定值（T
a
= 25 °C)
参数
输入电压1
输入电压2
输入电压3
外部V
CC
电压
启动电压
BOOT -SW电压
输出反馈电压
SS / FS /模电压
V
REG
电压
EN / CTL输入电压
PGOOD电压
输出电流（平均值）
功耗1
功耗2
功耗3
功耗4
工作温度范围
存储温度范围
结温
符号
V
CC
V
DD
V
IN
EXTV
CC
BOOT
BOOT -SW
FB
SS / FS / MODE
V
REG
EN / CTL
PGOOD
I
SW
P
d1
P
d2
P
d3
P
d4
T
OPR
T
英镑
T
JMAX
价值
7
*1
7
*1
30
*1
7
*1
35
7
*1
VCC
VCC
VCC
7
*1
7
*1
3
*1
0.38
*2
0.88
*3 *6
2.06
*4 *6
4.56
*5 *6
-10 ~ +100
-55 ~ +150
+150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
W
W
W
W
°C
°C
°C
* 1不要超过钯。
*2 T
a
≧
25 ° C（仅IC ） ，电源消耗为3.0毫瓦/ ℃。
*3 T
a
≧
25 ° C（单层板， 20.2毫米
2
铜散热垫） ，功率消耗为7.0毫瓦/ ℃。
*4 T
a
≧
25 ° C（ 4层电路板， 10.29毫米
2
在顶层的铜散热垫， 5505毫米
2
垫2
nd
和3
rd
层） ，功率消耗为16.5毫瓦/ ℃。
*5 T
a
≧
25 ° C（ 4层电路板，具有5505毫米所有层
2
铜散热片） ，功率消耗为36.5毫瓦/ ℃。
* 6的值观察芯片背面焊接。在回流前，功耗更低。
“操作
条件（T
a
= 25 °C)
参数
输入电压1
输入电压2
输入电压3
外部V
CC
电压
启动电压
SW电压
BOOT -SW电压
模输入电压
EN / CTL输入电压
PGOOD电压
最小导通时间
符号
V
CC
V
DD
V
IN
EXTV
CC
BOOT
SW
BOOT -SW
模式
EN / CTL
PGOOD
t
ONMIN
民
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
-0.7
4.5
0
0
0
-
最大
5.5
5.5
28
5.5
33
28
5.5
5.5
5.5
5.5
100
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
ns
本
产品并非设计用于在放射性环境中使用。
2/15
ⅵELECTRICAL
特征
（除非另有说明，T
a
= 25 ° C， AV
IN
=12V, V
CC
=V
DD
=V
REG
， EN / CTL = 5V ， MODE = 0V ，R
FS
=180k)
参数
[整个设备]
AV
IN
偏置电流1
AV
IN
偏置电流2
AV
IN
待机电流
EN低压
EN高压
EN偏置电压
CTL低压
CTL高压
CTL偏置电流
[ 5V稳压器]
V
REG
输入电压
最大电流
[ 5V开关]
EXTV
CC
输入阈值电压
符号
I
IN
1
I
IN
2
I
IN
机顶盒
ENLOW
ENHIGH
I
EN
CTLLOW
CTLhigh
I
CTL
V
REG
I
REG
分钟。
-
-
-
GND
2.3
-
GND
2.3
-
4.90
100
4.2
-
4.1
100
4.1
100
400
10.0
-
-
-
0.420
-
0.812
1.4
-
3
0.693
0.690
-100
VCC-0.5
GND
0.605
0.745
极限
典型值。
1200
150
0
-
-
12
-
-
1
5.00
-
4.4
1.0
4.3
160
4.3
160
500
22.0
450
120
120
0.490
1
0.840
2.2
-
-
0.700
0.700
0
-
-
0.63
0.77
马克斯。
1800
250
10
0.8
5.5
20
0.8
5.5
6
5.10
-
4.6
2.0
4.5
220
4.5
220
600
40.0
550
200
200
0.560
-
0.868
3.0
100
-
0.707
0.710
100
VCC
0.5
0.655
0.795
单位
μA
μA
μA
V
V
μA
V
V
μA
V
mA
V
Ω
V
mV
V
mV
纳秒
微秒
纳秒
mΩ
mΩ
V
ms
V
μA
mV
A
V
V
nA
V
V
V
V
条件
EXTV
CC
=5V
CTL=EN=0V
V
IN
= 6.0 25V
I
REG
= 0至100mA
EXTV
CC
：扫掉
EV
CC
_
UVLO
开关导通电阻
R
EVCC
[欠压锁定保护]
AV
IN
阈值电压
AV
在UVLO _
AV
IN
滞后电压
DAV
在UVLO _
V
REG
阈值电压
V
REG_ UVLO
V
REG
滞后电压
dV
REG_ UVLO
[H
3
REG
TM
控制块]
准时
吨
最大导通时间
TONmax
最小关断时间
Toffmin
[ FET块]
高边导通电阻
Ron_high
低边导通电阻
Ron_low
[ SCP块]
SCP启动电压
V
SCP
延迟
t
SCP
[过压保护块]
OVP电压检测
V
OVP
[软启动块]
充电电流
国际空间站
待机电压
Vss_stb
[电流调节块]
最大输出电流
I
OCP
[电压检测模块]
反馈端电压1
V
FB
1
反馈端电压2
反馈端偏置电流
V
CC
：扫掉
V
CC
：扫倒
V
REG
：扫掉
V
REG
：扫倒
当V
FB
：首付30％
当V
FB
：20％上升
V
FB
2
I
FB
VTH
SLLM
VTH
CONT
V
FB
PL
V
FB
PH
T
a
= -10 ℃至100 ℃的
I
OUT
= 0A到3A
SLLM
最长的低门关闭时间：
∞
连续模式
当V
FB
： 10 ％下调
当V
FB
：10％上升
[MODE块]
SLLM条件
强制连续模式
[电源良好块]
V
FB
电源良好电压低
V
FB
电源良好电压高
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高性能稳压器的PC
开关稳压MOS FET
为DDR -SDRAM内核
BD95513MUV
No.10030EAT37
°说明
BD95513MUV是一种能够在低输出电压提供高电流输出（高达3A ）开关稳压器（ 0.7V 5.0V ）
在宽范围的输入电压（ 4.5V 28V） 。该稳压器具有高的内部N -MOSFET功率晶体管
3
TM
效率和低空间消耗，同时融入了ROHM独有的寄存器控制模式技术，高产
TM
业界最快的瞬态响应时间对负载变化。 SLLM （简单轻负载模式）技术也是
集成的电源轻载，以及软启动，变频时提高效率，短路保护
用定时器锁存器，过电压保护， REF功能。该稳压器是适用于PC的应用程序。
■特点
1）内置低导通电阻的功率N-MOSFET
2 ）内部5V线性稳压器
3
TM
3）集成的H寄存器的DC / DC变换器控制器
4 ）可选择简单轻负载模式（ SLLM
TM
） ，静音轻负载模式（ QLLM ），并强制连续模式
5 ）内置热关断，低投入，电流过载，输出过压和欠压保护电路
6 ）软启动功能，以最大限度地减少启动时的浪涌电流
7 ）可调节开关频率（f = 200千赫1000千赫）
8 ）内置输出放电功能
9 ） VQFN032V5050封装尺寸
10 ）追踪功能
11 ）内置自举二极管
■应用
移动PC，台式电脑，液晶电视，数字家庭电子产品
www.rohm.com
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
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2010.10- Rev.A的
BD95513MUV
技术说明
ⅵELECTRICAL
特征
（除非另有说明，T
a
= 25 ℃ ， AV
IN
=12V, V
CC
=V
DD
=V
REG
， EN / CTL = 5V ， MODE = 0V ，R
FS
=180k)
范围
参数
符号
单位
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
[整个设备]
AV
IN
偏置电流1
AV
IN
偏置电流2
AV
IN
待机电流
EN低压
EN高压
EN偏置电压
CTL低压
CTL高压
CTL偏置电流
[ 5V稳压器]
V
REG
输入电压
最大电流
[ 5V开关]
EXTV
CC
输入阈值电压
开关导通电阻
[欠压锁定保护]
AV
IN
阈值电压
AV
IN
滞后电压
V
REG
阈值电压
V
REG
滞后电压
[H
3
REG
TM
控制块]
准时
最大导通时间
最小关断时间
[ FET块]
高边导通电阻
低边导通电阻
[ SCP块]
SCP启动电压
延迟
V
SCP
t
SCP
0.420
-
0.490
1
0.560
-
V
ms
当V
FB
：首付30％
Ron_high
Ron_low
-
-
120
120
200
200
mΩ
mΩ
吨
TONmax
Toffmin
400
10.0
-
500
22.0
450
600
40.0
550
纳秒
微秒
纳秒
AV
在UVLO _
DAV
在UVLO _
V
REG_ UVLO
dV
REG_ UVLO
4.1
100
4.1
100
4.3
160
4.3
160
4.5
220
4.5
220
V
mV
V
mV
V
CC
：扫掉
V
CC
：扫倒
V
REG
：扫掉
V
REG
：扫倒
EV
CC
_
UVLO
R
EVCC
4.2
-
4.4
1.0
4.6
2.0
V
Ω
EXTV
CC
：扫掉
V
REG
I
REG
4.90
100
5.00
-
5.10
-
V
mA
V
IN
= 6.0 25V
I
REG
= 0至100mA
I
IN
1
I
IN
2
I
IN
机顶盒
ENLOW
ENHIGH
I
EN
CTLLOW
CTLhigh
I
CTL
-
-
-
GND
2.3
-
GND
2.3
-
1200
150
0
-
-
12
-
-
1
1800
250
10
0.8
5.5
20
0.8
5.5
6
A
A
A
V
V
A
V
V
A
EXTV
CC
=5V
CTL=EN=0V
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2010.10- Rev.A的
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