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分立半导体
数据表
BSP206
P沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
产品speci fi cation
在分离式半导体， SC13b文件
1995年4月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
描述
P沟道增强模式
在一个垂直的D- MOS晶体管
小型SOT223信封
用于在接力，高速用
和线路变压器驱动程序。
特点
非常低R
DS （ ON）
直接连接C-MOS ， TTL ，
等等
高速开关
无二次击穿
钉扎 - SOT223
1 - 门
2 - 漏
3 =来源
4 =漏
标识代码
BSP206
引脚配置
快速参考数据
漏源电压
漏电流（ DC ）
漏源导通电阻
I
D
= 200毫安;
V
GS
= 10 V
栅极阈值电压
V
DS
I
D
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
BSP206
60 V
350毫安
6
3.5 V
手册， halfpage
4
d
g
1
顶视图
2
3
MAM121
s
图1 Simplfied外形和符号。
1995年4月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
评级
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
漏源电压
栅极 - 源极电压（漏极开路）
漏电流（ DC ）
漏极电流（峰值）
总功率耗散高达至T
AMB
= 25
°C
（注1 ）
存储温度范围
结温
热阻
从结点到环境（注1 ）
记
R
日J-一
=
V
DS
±
V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
BSP206
60 V
20 V
350毫安
700毫安
1.5 W
150
°C
65
to
+
150
°C
83.3 K / W
1.装置安装在环氧树脂印刷电路板40毫米
×
40 mm
×
1.5毫米;安装焊盘的漏极引线分钟。
6厘米
2
.
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定编
漏源击穿电压
I
D
= 10
A;
V
GS
= 0
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 48 V; V
GS
= 0
栅极 - 源极漏电流
±V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
栅极阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏源导通电阻
I
D
= 200毫安;
V
GS
= 10 V
转移导纳
I
D
= 200毫安;
V
DS
= 15 V
输入电容在f = 1兆赫;
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
输出电容在f = 1 MHz的;
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
反馈电容在f = 1 MHz的;
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
的切换时间（参照图2和3）
I
D
= 200毫安;
V
DD
= 50 V;
V
GS
= 0到10伏
t
on
V
（ BR ） DSS
I
DSS
±I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
典型值。
马克斯。
分钟。
典型值。
典型值。
马克斯。
典型值。
马克斯。
典型值。
马克斯。
典型值。
马克斯。
典型值。
马克斯。
60 V
1.0
A
100 nA的
1.5 V
3.5 V
4.5
6
100毫秒
200毫秒
55 pF的
70 pF的
30 pF的
45 pF的
8 pF的
12 pF的
4纳秒
8纳秒
15纳秒
25纳秒
t
关闭
1995年4月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
BSP206
手册， halfpage
VDD }
50
V
手册， halfpage
10 %
输入
90 %
0V
10
V
ID
50
MBB689
10 %
产量
90 %
吨
花花公子
MBB690
图2开关时间测试电路。
图3的输入和输出波形。
手册， halfpage
V
10
3
MDA756
GS =
10
V
7.5
V
6
V
5
V
4.5
V
1
手册， halfpage
ID
(A)
0.8
MDA757
ID
（MA ）
0.6
10
2
0.4
0.2
10
4
6
8
10
12
14
16
导通电阻（ Ω ）
0
0
2
4
6
8
10
VGS （ V）
Fig.4
导通电阻为漏极的函数
电流;牛逼
j
= 25
°C;
典型值。
Fig.5
传输特性;
V
DS
= 10 V;
T
j
= 25
°C;
典型值。
1995年4月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
BSP206
1
手册， halfpage
ID
(A)
0.8
VGS =
10
V
7.5
V
0.6
MDA758
手册，
2
MBB693
P合计
(W)
1.6
1.2
6
V
0.8
0.4
5
V
4.5
V
0.2
0.4
0
0
2
4
6
8
10
VDS （ V）
0
0
50
100
150
200
TAMB （ ° C）
Fig.6
输出特性;牛逼
j
= 25°C ;典型
值。
图7功率降额曲线。
手册， halfpage
3
MDA759
手册， halfpage
1.2
k
MDA760
k
2.5
1.1
2
1
1.5
0.9
1
0.8
0.5
50
0
50
100
TJ （ ° C）
150
0.7
50
0
50
100
TJ （ ° C）
150
Fig.8
R
DS （ ON）
在T
j
k
= -----------------------------------------
;
R
DS （ ON）
在25
°C
at
200
毫安/ -10 V ;典型值
Fig.9
–
V
GS （ TH）
在T
j
k
= ----------------------------------------------
;
–
V
GS （ TH）
在25
°C
V
GS （ TH）
at
1
毫安;典型值。
1995年4月
5
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