【汽车小信号分立器件解决方案我们的创新产品组合推动未来】,IC型号BCV62B,BCV62B PDF资料,BCV62B经销商,ic,电子元器件-51电子网

汽车小信号

分立器件解决方案

我们的创新产品组合推动未来

汽车

通过增强的功能简化了设计

从单个产品提供更多的功能，我们帮助

缩短开发时间。只需几个小信号分立器件数

电路块可以构建和与之不同的数

对帐单，材料成分可以降低显着。

我们的小信号分立器件产品组合提供了动力和性能

水平以前只有更大的包，允许相关

你用更紧凑的替代中等功率产品

替代品。因为你现在可以得到高性能

晶体管和二极管的低成本小信号的包，就可以

显着降低成本。无论是卓越的ESD保护或

loadswitch的功能集成到单个组件

我们的投资组合可以更容易地设计出一个新的系统。

2

小信号分立器件解决方案

作为汽车制造商努力提高安全性，性能，舒适性和

燃料 - 英法fi效率水平，车辆的半导体含量上升和电子

系统正变得越来越复杂。因此，系统供应商必须满足

日益严格的要求。在这两种汽车的基础上我们的专业知识

和小信号分立器件解决方案，飞利浦提供了一个广泛的离散组合

组件，帮助供应商达到严格和多样化的技术要求

在汽车电子。宽范围，使汽车设计者是

灵活的在他们的设计中。通过集成产品的手段的部件数

降低，从而可以降低成本。

我们的所有新产品发布在著名的SOT23封装，

以及在像SOT323 （SC- 70）， SOD323更小封装（SC- 76）

和SOD323F （ SC - 90 ）。为了支持朝着一体化的趋势也

多个晶体管和二极管可集成到只是一个

单包像SOT457 （ SC - 74）和SOT363 （ SC - 88 ）。

飞利浦拥有全部到位的技术引领小信号的方式

分立器件产品，让开发汽车应用

将驱动未来。

关键的家庭

- 低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

- 电阻 - 配备晶体管（分辨率增强技术）

- 复杂的分立器件

BISS Loadswitches

匹配的晶体管配对

MOSFET驱动器

- 低V

F

（ MEGA ）肖特基整流器器

- ESD保护二极管

重点班妮科幻TS

- 更多的权力

- 降低成本

- 更多功能

- 提高可靠性

- 汽车包

3

低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

这些突破性小信号（ BISS ）晶体管提供最好的一流的

因此，英法fi效率，得到了热出您的应用程序。这些成本效益

替代中等功率晶体管提供1 - 5 SOT223的一种功能

（ SC - 73 ）， SOT89 （ SC - 62 ）， SOT23和SOT457 （ SC - 74 ）。

主要特点

- 减少热和电抗性

- 高达5 A集电极电流能力我

C

- 高达10 A的峰值集电极电流I

CM

- 高性能boardspace比

- 高电流增益

FE

- 即使在高我

C

- 可用的产品范围广泛

重点班妮科幻TS

- 减少热量的产生，因此，在使用

高温环境下可能

- 成本效益的替代介质

功率晶体管

- 小信号性能提高

离散足迹

VCC

调节器

MSD923

DC / DC转换器

主要应用领域

- 应用中的热量是一个问题

（例如引擎 - 或仪表板安装

组件）

- 高和低侧开关，例如在控制

单位

- 司机在低电源电压应用，

例如风机，电机

- 感性负载的驱动程序，例如继电器，蜂鸣器

- MOSFET驱动器

减少热量的产生与BISS晶体管

SOT223 ：我

C

= 1.55 ;我

B

= 0.1 A; PCB的FR4 + 1厘米

2

Cu

BCP51 ，T

j

= 130°C

PBSS9110Z ，T

j

= 103°C

SOT223 （ SC- 73 ）

PBSS5350Z ，T

j

= 60°C

SOT89 （ SC- 62 ）

PBSS5540Z ，T

j

= 45°C

SOT23

SOT457 （ SC- 74 ）

P

合计

2000毫瓦

I

C

(A)

V

首席执行官

(V)

30

1.0

40

60

100

30

2.0

40

50

20

30

3.0

50

60

80

100

4.0

5.0

40

80

20

PBSS4540Z

PBSS5540Z

PBSS4350Z

PBSS5350Z

PBSS8110Z

PBSS9110Z

NPN

PNP

P

合计

1300毫瓦

NPN

PNP

NPN

P

合计

480毫瓦

PNP

PBSS5130T

PBSS5140T

PBSS5160T

PBSS9110T

PBSS5230T

PBSS5240T

PBSS5350T

NPN

PBSS4130T

PBSS4140T

PBSS4160T

PBSS8110T

PBSS4230T

PBSS4240T

P

合计

750毫瓦

PNP

PBSS4140DPN （ NPN / PNP ）

PBSS8110D

PBSS9110D

PBSS4240DPN （ NPN / PNP ）

PBSS4250X

PBSS4320X

PBSS4330X

PBSS4350X

PBSS5250X

PBSS5320X

PBSS5330X

PBSS5350X

PBSS4350T

PBSS4350D

PBSS303ND

PBSS304ND

PBSS305ND

PBSS5350D

PBSS303PD

PBSS304PD

PBSS305PD

PBSS5440D

PBSS4540X

PBSS4480X

PBSS4520X

PBSS5540X

PBSS5480X

PBSS5520X

PBSS4440D

4

电阻配备晶体管（分辨率增强技术）

为汽车行业开发特别是， 500毫安可再生能源技术相结合的晶体管

用两个电阻来提供用于数字应用的最佳解决方案集成

车载系统，例如控制单元。也有单一个广泛的产品组合

和双百毫安可再生能源技术可用于标准的小信号数字化应用。

主要特点

- 集成的晶体管和两个电阻

一包

- 初始500毫安组合与几个电阻

SOT23和SOT346组合（ SC- 59A ）

- 进一步电阻器组合和双

版本计划

重点班妮科幻TS

- 降低处理成本和库存成本

- 减少boardspace要求

- 更短的安装时间并减少

拾取和放置的努力

- 简单的设计过程

- 提高最终产品的可靠性，由于

更少的焊接点

SOT23

SOT346 （ SC- 59A ）

动力

供应

R4

R3

控制

输入

R1

R2

Tr2

Tr1

RLOAD

高边开关

bra182

主要应用领域

- 数字化应用

- 开关负载，如对于仪表板

- 控制IC的输入，例如发动机

控制单元

500毫安可再生能源技术

I

C

MAX 。（MA ）

500

V

首席执行官

MAX 。（V ）

50

R1 （ kΩ的）

1

2.2

1

2.2

R2值（kΩ ）

1

2.2

10

NPN

PDTD113ET

PDTD123ET

PDTD113ZT

PDTD123YT

PNP

PDTB113ET

PDTB123ET

PDTB113ZT

PDTB123YT

NPN

PDTD113EK

PDTD123EK

PDTD113ZK

PDTD123YK

PNP

PDTB113EK

PDTB123EK

PDTB113ZK

PDTB123YK

SOT363 （ SC -88 ）

百毫安可再生能源技术

SOT23

SOT323 （ SC- 70 ）

CON组fi guration

I

C

MAX 。（MA ）

V

首席执行官

MAX 。（V ）

R1 （ kΩ）连接R2 （千欧）

2.2

R1 = R2

4.7

10

22

47

100

2.2

4.7

R1

≠

R2

100

50

4.7

10

22

47

2.2

只有R1

4.7

10

22

47

100

2.2

4.7

10

22

47

100

10

47

10

47

10

22

-

NPN

PDTC123ET

PDTC143ET

PDTC114ET

PDTC124ET

PDTC144ET

PDTC115ET

PDTC123YT

PDTC123JT

PDTC143XT

PDTC143ZT

PDTC114YT

PDTC124XT

PDTC144VT

PDTC144WT

PDTC123TT

PDTC143TT

PDTC114TT

PDTC124TT

PDTC144TT

PDTC115TT

PNP

PDTA123ET

PDTA143ET

PDTA114ET

PDTA124ET

PDTA144ET

PDTA115ET

PDTA123YT

PDTA123JT

PDTA143XT

PDTA143ZT

PDTA114YT

PDTA124XT

PDTA144VT

单身

NPN

PDTC123EU

PDTC143EU

PDTC114EU

PDTC124EU

PDTC144EU

PDTC115EU

PDTC123YU

PDTC123JU

PDTC143XU

PDTC143ZU

PDTC114YU

PDTC124XU

PDTC144VU

PDTC144WU

PDTC123TU

PDTC143TU

PDTC114TU

PDTC124TU

PDTC144TU

PDTC115TU

PNP

PDTA123EU

PDTA143EU

PDTA114EU

PDTA124EU

PDTA144EU

PDTA115EU

PDTA123YU

PDTA123JU

PDTA143XU

PDTA143ZU

PDTA114YU

PDTA124XU

PDTA144VU

PDTA144WU

PDTA123TU

PDTA143TU

PDTA114TU

PDTA124TU

PDTA144TU

PDTA115TU

PUMH17

PUMH30

PUMH7

PUMH4

PUMH19

PUMH14

PUMH10

PUMH18

PUMH13

PUMH9

PUMH16

NPN / NPN

PUMH20

PUMH15

PUMH11

PUMH1

PUMH2

PUMH24

双

NPN / PNP

PUMD20

PUMD15

PUMD3

PUMD2

PUMD12

PUMD24

PUMD10

PUMD18

PUMD13

PUMD9

PUMD16

PUMD17

PUMD30

PUMD6

PUMD4

PUMD19

PUMD14

PNP / PNP

PUMB20

PUMB15

PUMB11

PUMB1

PUMB2

PUMB24

PUMB10

PUMB18

PUMB13

PUMB9

PUMB16

PUMB17

PUMB30

PUMB3

PUMB4

PUMB19

PUMB14

PDTA144WT

PDTA123TT

PDTA143TT

PDTA114TT

PDTA124TT

PDTA144TT

PDTA115TT

5

BCV62

PNP硅晶体管双

被用作电流镜

良好的热耦合和

V

BE

匹配

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

C1 (2)

C2 (1)

3

2

4

1

Tr.1

Tr.2

E1 (3)

E2 (4)

EHA00013

TYPE

BCV62A

BCV62B

BCV62C

记号

3Js

3Ks

3Ls

1 = C2

引脚配置

2 = C1

3 = E1

4 = E2

包

SOT143

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

（晶体管T1 ）

集电极 - 基极电压（发射极开路）

（晶体管T1 ）

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基峰电流（晶体管T1 ）

总功耗，

T

S

= 99 °C

结温

储存温度

热阻

结 - 焊接点

2)

1

含有铅，

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBS

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

价值

30

6

100

200

300

150

-65 ... 150

单位

V

mA

mW

°C

R

thjs

≤

170

K / W

包可能是可根据特殊要求

2007-04-20

2For计算的

R

thJA

请参考应用笔记热阻

1

BCV62

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

T1的直流特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

直流电流增益1 ）

I

C

= 0.1毫安，

V

CE

= 5 V

直流电流增益1 ）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

BCV62A

BCV62B

BCV62C

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极电压1）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

1 ）脉冲测试：吨

≤

300

S，D = 2 ％

单位

马克斯。

-

15

5

-

nA

A

-

V

典型值。

-

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

CBO

h

FE

h

FE

30

6

-

100

125

220

420

V

CESAT

-

V

BESAT

-

V

BE（上）

600

-

180

290

520

75

250

700

850

650

-

220

475

800

mV

300

650

-

750

820

2

2007-04-20

BCV62

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

DC特性

基极 - 发射极正向电压的

I

E

= 10 A

I

E

= 250毫安

晶体管T1和T2晶体管的匹配

at

I

E2

= 0.5毫安和

V

CE1

= 5V

T

A

= 25 °C

T

A

= 150 °C

晶体管T1的热耦合和

晶体管T2

1)

T1:

V

CE

= 5V

的热稳定性的最大电流

I

C1

晶体管T1的交流特性

跃迁频率

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

噪声系数

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2 k

,

f

= 1千赫，

F = 200赫兹

短路输入阻抗

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

开路反向电压transf.ratio

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

短路正向电流transf.ratio

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

开路输出导纳

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

1 ） Witout发射极电阻。设备安装在氧化铝仅为15mm× 16.5毫米X 0.7毫米

单位

马克斯。

V

典型值。

V

BES

0.4

-

I

C1

/

I

C2

-

0.7

I

E2

-

5

-

1.3

-

1.8

-

mA

f

T

C

cb

C

eb

F

-

250

1.5

8

2

-

兆赫

pF

dB

h

11e

h

12e

h

21e

h

22e

-

100

-

4.5

2

-

30

-

900

-

k

10

-4

-

S

3

2007-04-20

BCV62

当前匹配测试电路

A

Ι

C1

2

1

V

CE1

...

T1

T2

Ι

E2

=常数

3

V

CO

4

V

CO

EHN00003

注：在接触电压降：

V

CO

< 2/3

V

T

= 16mV

特性测定

V

CE1

在指定的

R

E

与范围

I

E2

作为条件下的参数

I

C1

/

I

E2

= 1.3

A

Ι

C1

2

1

V

CE1

...

T1

T2

Ι

E2

=常数

3

R

E

4

R

E

EHN00004

注： BCV62与发射极电阻

4

2007-04-20

BCV62

集电极 - 基极电容

C

cb

=

(V

CB

)

发射极 - 基极电容

C

eb

=

(V

EB

)

12

pF

总功耗

P

合计

=

F（T

S

)

350

mW

10

C

CB

(C

EB

)

9

250

7

6

5

4

P

合计

200

150

CEB

8

100

3

2

1

0

4

8

12

16

V

建行

50

22

0

15

30

45

60

75

90 105 120

V

CB

(V

EB

)

°C

150

T

S

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

P

TOT最大

5

P

TOT DC

BCV 62

EHP00941

t

p

D

=

T

t

p

T

10

2

5

10

1

5

D

=

0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

t

p

10

0

5

2007-04-20

BCV62

PNP硅晶体管双

3

被用作电流镜

良好的热耦合和

V

BE

匹配

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

C1 (2)

C2 (1)

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

1

4

2

1

VPS05178

Tr.1

Tr.2

E1 (3)

E2 (4)

EHA00013

TYPE

BCV62A

BCV62B

BCV62C

最大额定值

参数

记号

3Js

3Ks

3Ls

1 = C2

引脚配置

2 = C1

3 = E1

4 = E2

包

SOT143

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBS

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

价值

30

6

100

200

300

150

-65 ... 150

单位

V

集电极 - 发射极电压

（晶体管T1 ）

集电极 - 基极电压（发射极开路）

（晶体管T1 ）

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基峰电流（晶体管T1 ）

总功耗，

T

S

= 99 °C

结温

储存温度

热阻

mA

mW

°C

结 - 焊接点

1)

R

thjs

170

K / W

Jul-11-2001

BCV62

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

T1的直流特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

B

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

直流电流增益1 ）

I

C

= 0.1毫安，

V

CE

= 5 V

直流电流增益1 ）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

BCV62A

BCV62B

BCV62C

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极电压1）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

V

BE（上）

600

-

650

-

750

820

V

BESAT

-

700

850

-

V

CESAT

-

75

250

300

650

h

FE

125

220

420

180

290

520

220

475

800

h

FE

100

-

I

CBO

-

5

I

CBO

-

15

V

（ BR ） EBO

6

-

V

（ BR ） CBO

30

-

V

（ BR ） CEO

30

-

典型值。

马克斯。

单位

V

nA

A

-

mV

1 ）脉冲测试：吨

≤

300

S，D = 2 ％

2

Jul-11-2001

BCV62

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

DC特性

基极 - 发射极正向电压的

I

E

= 10 A

I

E

= 250毫安

晶体管T1和T2晶体管的匹配

at

I

E2

= 0.5毫安和

V

CE1

= 5V

T

A

= 25 °C

T

A

= 150 °C

晶体管T1的热耦合和

晶体管T2

1)

T1:

V

CE

= 5V

的热稳定性的最大电流

I

C1

晶体管T1的交流特性

跃迁频率

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

噪声系数

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

短路输入阻抗

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

开路反向电压transf.ratio

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

短路正向电流transf.ratio

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

开路输出导纳

h

21e

h

22e

100

-

30

900

-

h

12e

-

2

-

F

f

= 200

Hz

-

2

-

C

eb

-

8

-

C

cb

-

3

-

f

T

-

250

-

单位

马克斯。

V

典型值。

V

BES

0.4

-

I

C1

/

I

C2

-

0.7

I

E2

-

5

-

1.3

-

1.8

-

mA

兆赫

pF

dB

10

-4

-

S

1 ） Witout发射极电阻。设备安装在氧化铝仅为15mm× 16.5毫米X 0.7毫米

3

Jul-11-2001

f

= 1千赫，

h

11e

-

4.5

-

k

BCV62

当前匹配测试电路

A

Ι

C1

2

1

V

CE1

...

T1

T2

Ι

E2

=常数

3

V

CO

4

V

CO

EHN00003

注：在接触电压降：

V

CO

< 2/3

V

T

= 16mV

特性测定

V

CE1

在指定的

R

E

与范围

I

E2

作为条件下的参数

I

C1

/

I

E2

= 1.3

A

Ι

C1

2

1

V

CE1

...

T1

T2

Ι

E2

=常数

3

R

E

4

R

E

EHN00004

注： BCV62与发射极电阻

4

Jul-11-2001

BCV62

总功耗

P

合计

=

f

(

T

S

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(

t

p

)

10

3

P

TOT最大

5

P

TOT DC

BCV 62

EHP00941

350

mW

t

p

D

=

T

t

p

T

250

P

合计

10

2

5

200

150

10

1

100

D

=

0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

5

50

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

T

S

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

t

p

10

0

5

Jul-11-2001

PNP硅晶体管双

初步数据

q

被用作电流镜

q

良好的热耦合和

V

BE

匹配

q

高电流增益

q

低发射极饱和电压

BCV 62

TYPE

BCV 62个A

BCV 62 B

BCV 62℃

记号

3Js

3Ks

3Ls

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-C2158

Q62702-C2159

Q62702-C2160

引脚配置

包

1)

SOT-143

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

（晶体管T1 ）

集电极 - 基极电压（发射极开路）

（晶体管T1 ）

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基峰电流（晶体管T1 ）

总功耗，

T

S

= 99 C

2)

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

1)

2)

符号

V

CE0

V

CB0

V

EBS

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

值

30

6

100

200

300

150

– 65 … + 150

单位

V

mA

mW

C

R

日JA

R

日JS

≤

240

≤

170

K / W

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

BCV 62

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

晶体管T1的直流特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A,

I

B

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0,

T

A

= 150 C

直流电流增益

1)

I

C

= 0.1毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

V

(BR)CE0

V

(BR)CB0

V

（ BR ）， EBS

I

CB0

–

h

FE

BCV 62个A

BCV 62 B

BCV 62℃

V

CESAT

–

V

BESAT

–

V

BE

600

–

650

–

750

820

700

850

–

75

250

300

650

100

125

220

420

–

180

290

520

220

475

800

mV

–

15

5

nA

A

–

30

6

–

V

值

典型值。

马克斯。

单位

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

C

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

C

= 5毫安

基射极电压

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

1)

脉冲测试条件：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

2

BCV 62

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

晶体管T2的直流特性

基极 - 发射极正向电压的

I

E

= 10

A

I

E

= 250毫安

晶体管T1和T2晶体管的匹配

at

I

E2

= 0.5 mA和

V

CE1

= 5 V

T

A

= 25 C

T

A

= 150 C

晶体管T1的热耦合和

T1:

V

CE

= 5 V

晶体管T2

1)

对于热稳定性最大电流

I

C1

AC特性晶体管T1

跃迁频率

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

I

C

=

i

C

= 0,

f

= 1兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5 V,

I

C

=

i

C

= 0,

f

= 1兆赫

噪声系数

I

C

= 200

A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2 k

f

= 1千赫，

B

= 200赫兹

输入阻抗

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

开路反向电压传输比

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

短路正向电流传输比

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

开路输出导纳

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

f

T

C

cb

C

IBO

F

–

250

3

8

2

–

dB

兆赫

pF

V

BES

0.4

–

1.8

V

值

典型值。

马克斯。

单位

I

C1

/

I

C2

I

C1

/

I

C2

I

E2

0.7

–

5

1.3

–

mA

h

11e

h

12e

h

21e

h

22e

–

100

–

4.5

2

–

30

–

900

–

k

10

– 4

–

S

1)

没有发射极电阻。设备安装在氧化铝15毫米

×

16.5 mm

×

0.7 mm.

半导体集团

3

BCV 62

当前匹配测试电路

注：在接触电压降：

V

CO

＆ LT ;

2

V

T

= 16毫伏

3

特性测定

V

CE1

在指定的

R

E

与范围

I

E2

如在参数

条件

I

C1

/

I

E2

= 1.3

注： BCV 62与发射极电阻

半导体集团

4

BCV 62

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

半导体集团

5

分立半导体

数据表

M3D071

BCV62

PNP通用

双晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据06月18日

1999年4月08

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP通用双晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大30 V）的

匹配的一对。

应用

对于应用场合的工作点必须是

与温度无关

电流镜。

手册， halfpage

4

BCV62

钉扎

针

1

2

3

4

收藏家TR1

发射TR1

发射TR2

描述

收藏家TR2 ;基地TR1和TR2

3

2

1

描述

PNP晶体管双在SOT143B塑料封装。

NPN补充： BCV61 。

记号

TYPE

数

BCV62

BCV62A

记号

CODE

3Mp

3Jp

TYPE

数

BCV62B

BCV62C

记号

CODE

3Kp

3Lp

顶视图

1

2

MAM292

TR1

TR2

3

4

Fig.1简化外形（ SOT143B ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBS

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.装置安装在一FR4印刷电路板。

参数

集电极 - 基极电压的TR1

集电极 - 发射极电压的TR1

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值基极电流TR1

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

条件

发射极开路

开基

V

CE

= 0

65

分钟。

马克斯。

30

6

100

200

250

+150

150

+150

V

mA

mW

°C

单位

1999年4月08

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP通用双晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.装置安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

晶体管TR1

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

C

c

f

T

F

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极饱和

电压

基射极电压

集电极电容

跃迁频率

噪音科幻gure

I

E

= 0; V

CB

=

30

V

I

E

= 0; V

CB

=

30

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

100 A;

V

CE

=

5

V

I

C

=

2

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

I

C

=

100

毫安;我

B

=

5

mA

I

C

=

10

毫安;我

B

= - 0.5毫安;注1

I

C

=

100

毫安;我

B

=

5

毫安;注1

I

C

=

2

毫安; V

CE

=

5

V ;注1

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

5

V ;注意2

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

10

V

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

5

V ; F = 100 MHz的

I

C

=

200 A;

V

CE

=

5

V ;

S

= 2 k;

F = 1千赫B = 200赫兹

100

75

250

700

850

4.5

参数

条件

分钟。

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

价值

500

BCV62

单位

K / W

典型值。马克斯。单位

15

5

100

800

300

650

750

820

10

mV

pF

兆赫

dB

nA

A

nA

600 650

晶体管TR2

V

EBS

h

FE

基极 - 发射极正向电压的

直流电流增益

BCV62A

BCV62B

BCV62C

I

E

= 250毫安; V

CB

= 0

I

E

= 10

A;

V

CB

= 0

I

C

=

2

毫安; V

CE

=

5

V

125

220

420

250

475

800

400

1.5

V

mV

1999年4月08

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP通用双晶体管

BCV62

符号

参数

条件

分钟。

典型值。马克斯。单位

晶体管TR1和TR2

I

C1

------

-

I

E2

I

E2

笔记

1.降低

1.7

毫伏/ ℃，随着温度的升高。

2.降低

2

毫伏/ ℃，随着温度的升高。

3.设备，没有发射极电阻器，安装在一FR4印刷电路板。

晶体管I电流匹配

E2

= 0.5毫安; V

CE1

=

5

V ;牛逼

AMB

≤

25

°C

TR1和TR2

I

E2

= 0.5毫安; V

CE1

=

5

V ;牛逼

AMB

≤

150

°C

发射极电流的热

稳定

I

C1

V

CE1

=

5

V ;注3 ; （见图2）

0.7

1.3

5

mA

手册， halfpage

A

IC1

2

TR1

3

VCO

4

VCO

1

TR2

IE2 =常数

V

CE1

A

IC1

2

TR1

3

4

RE

MBK080

1

TR2

IE2 =常数

V

CE1

IE2

A

MBK081

RE

VCE1 = -5V ;装置中，没有发射极电阻器，其安装在一个

FR4印刷电路板。

2

电压降联系人： V

CO

＆ LT ;

-- U

T

= 16毫伏。

- ^

3

图2测试电路的电流匹配。

图3 BCV62与发射极电阻。

1999年4月08

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP通用双晶体管

BCV62

手册，全页宽

30

MBK083

V

CE1max

(V)

IE2 =

1毫安

20

5毫安

10毫安

10

50毫安

0

10

1

10

RE（ Ω ）

10

2

I

C1

-------

=

1.3 （见图3）。

-

I

E2

图4最大集电极 - 发射极电压为发射极电阻的函数。

1999年4月08

5