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BSC159N10LSF摹
OptiMOS2
功率晶体管
特点
N沟道逻辑电平
极低的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
低导通电阻
R
DS （ ON）
150 ° C工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准;无卤
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
100
15.9
63
V
m
A
PG-TDSON-8
适用于高频开关和同步整流
无卤素根据IEC61249-2-21
TYPE
BSC159N10LSF摹
包
PG-TDSON-8
记号
159N10LS
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 50 K / W
2)
漏电流脉冲
3)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=50 A,
R
GS
=25
价值
63
40
9.4
252
155
±20
114
-55 ... 150
55/150/56
mJ
V
W
°C
单位
A
修订版2.09
第1页
2009-11-04
BSC159N10LSF摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
R
thJC
底部
顶部
热阻，
结 - 环境
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
2)
-
-
-
-
-
-
-
-
1.1
18
62
50
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=72 A
V
DS
=100 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=100 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=25 A
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=50 A
100
1.2
-
-
1.85
0.01
-
2.4
1
A
V
-
-
-
-
-
30
10
1
17.2
12.2
1
59
100
100
21.5
15.9
-
-
S
nA
m
1)
2)
J- STD20和JESD22
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
3)
见图3
修订版2.09
第2页
2009-11-04
BSC159N10LSF摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
4)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
4)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=50 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=25 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=50 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1900
470
11
13
24
28
6
2500
630
-
-
-
-
-
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=50 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=50 V,
I
D
=25 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
7
4
8
26
3.7
45
-
-
-
35
-
60
nC
V
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=50 A,
T
j
=25 °C
V
R
=50 V,
I
F
=25 A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
0.9
85
228
63
252
1.2
-
-
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
修订版2.09
第3页
2009-11-04
BSC159N10LSF摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
120
80
100
60
80
P
合计
[W]
60
I
D
[A]
0
40
80
120
160
40
40
20
20
0
0
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
1 s
10 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
10
2
100 s
10
0
0.5
1毫秒
10
1
10毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.2
0.1
DC
10
-1
0.05
0.02
10
0
0.01
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版2.09
第4页
2009-11-04
BSC159N10LSF摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
200
7.5 V
10 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
30
3.5 V
160
6V
25
4V
4.5 V
20
R
DS （ ON）
[m
]
120
I
D
[A]
15
6V
7.5 V
10 V
80
4.5 V
10
40
4V
5
3.5 V
3.2 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
160
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
100
80
120
60
80
g
fs
[S]
40
20
150 °C
25 °C
I
D
[A]
40
0
0
2
4
6
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版2.09
第5页
2009-11-04
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