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飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU1506DX
概述
增强的性能,新一代,高电压,带有集成的高速交换NPN晶体管
在一个塑料全包信封阻尼二极管用于在彩色电视的水平偏转电路中使用
接收器。功能卓越的耐基极驱动和集电极电流负载变化造成了极低
最坏的情况下消散。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
二极管的正向电压
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
3.0
1.6
0.25
马克斯。
1500
700
5
8
32
5.0
-
2.0
0.5
单位
V
V
A
A
W
V
A
V
s
T
hs
25 C
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.79 A
I
F
= 3.0 A
I
CM
= 3.0 A;我
B(完)
= 0.67 A
钉扎 - SOT186A
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
符号
c
b
RBE
孤立的情况下,
1 2 3
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值( IEC 134 )
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
B( AV )
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流(DC)的
基极电流峰值
反向基极电流
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
马克斯。
1500
700
5
8
3
8
100
8
32
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
C
C
平均超过任何20 ms周期
T
hs
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到环境
条件
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
55
马克斯。
4.0
-
单位
K / W
K / W
1
关断电流。
1997年9月
1
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU1506DX
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
65 % ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
R
be
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
V
F
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
基极 - 发射极电阻
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
二极管的正向电压
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 600毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
V
EB
= 7.5 V
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.79 A
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.79 A
I
C
= 0.3 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 3.0 A; V
CE
= 5 V
I
F
= 3.0 A
分钟。
-
-
90
7.5
700
-
-
-
-
3.8
-
典型值。
-
-
-
13.5
-
55
-
-
12
5.5
1.6
马克斯。
1.0
2.0
180
-
-
-
5.0
1.1
-
7.5
2.0
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
C
c
参数
集电极电容
开关时间(行偏转
电路)
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CM
= 3.0 A; L
C
= 1.35 mH的;
C
FB
= 9.4 nF的;我
B(完)
= 0.67 A;
L
B
= 8
H;
-V
BB
= 4 V;
( -dI
B
/ DT = 0.45 A / μs)内
典型值。
47
马克斯。
-
单位
pF
4.5
0.25
6.0
0.5
s
s
2
测量正弦半波电压(波形记录器) 。
1997年9月
2
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU1506DX
晶体管
IC
二极管
ICsat
100
h
FE
t
TJ = 25℃
TJ = 125℃
5V
IB
IBend
t
20us
26us
64us
10
1V
VCE
t
1
0.01
0.1
IC / A
1
10
图1 。开关时间波形。
图4 。典型的直流电流增益。
FE
= F(我
C
)
参数V
CE
VBESAT / V
TJ = 25℃
TJ = 125℃
ICsat
90 %
IC
1.2
1.1
1
0.9
10 %
tf
ts
IB
IBend
t
0.8
0.7
0.6
IC / IB =
3
4
5
t
0.5
0.4
0.1
1
IC / A
10
- IBM
图2 。开关时间的定义。
图5 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F (I
C
) ;参数I
C
/I
B
VCESAT / V
IC / IB =
5
4
3
+ 150V,额定
调整ICsat
1
0.9
0.8
Lc
0.7
0.6
0.5
D.U.T.
IBend
LB
CFB
RBE
0.4
0.3
0.2
TJ = 25℃
TJ = 125℃
-VBB
0.1
0
0.1
1
IC / A
10
如图3所示。开关时间测试电路。
图6 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F (I
C
) ;参数I
C
/I
B
1997年9月
3
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU1506DX
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
VBESAT / V
10
TS , TF /美
9
8
7
6
5
ts
TJ = 25℃
TJ = 125℃
IC =
4A
3A
2.5A
4
3
2
1
0
2.5A
IC =
3A
tf
0.1
1
10
0
1
2
3
IB / A
4
IB / A
图7 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F (I
B
) ;参数I
C
VCESAT / V
图10 。典型的集热器存储和下降时间。
TS = F(我
B
) ; TF = F(我
B
) ;参数I
C
; T
j
= 85C
归一化功率降额
与复合散热器
10
120
110
PD %
IC = 2.5A
3A
4A
1
TJ = 25℃
TJ = 125℃
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.1
0.1
1
IB / A
10
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
图8 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F (I
B
) ;参数I
C
EOFF / UJ
1000
图11 。归一化的功率耗散。
PD % = 100
P
D
/P
25℃
= F(T
hs
)
IC = 3A
100
2.5A
10
0.1
1
IB / A
10
图9 。典型的关断损耗。牛逼
j
= 85C
EOFF = F (I
B
) ;参数I
C
1997年9月
4
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU1506DX
IC / A
100
100
IC / A
= 0.01
= 0.01
ICM最大
10
IC最大
II
TP =
10
ICM最大
TP =
10我们
IC最大
II
10我们
1
P合计最大
100美
1
P合计最大
100美
1毫秒
I
I
1毫秒
0.1
0.1
10毫秒
DC
10毫秒
DC
0.01
1
10
100
VCE / V
1000
0.01
1
10
100
VCE / V
1000
图12 。正向偏置安全工作区。牛逼
hs
= 25C
I
允许的直流操作区域。
II
扩展重复脉冲操作。
NB :
安装有散热片和复合
30
±
在中央5牛顿的力
信封。
图13 。正向偏置安全工作区。牛逼
hs
= 25C
I
允许的直流操作区域。
II
扩展重复脉冲操作。
NB :
没有安装散热器化合物和
30
±
在中央5牛顿的力
信封。
1997年9月
5
启1.300
新产品
BU1506通BU1510
威世通用半导体
增强PowerBridge
整流器
PowerBridge
~
+
机箱样式BU
~
-
-
~
~
+
特点
UL认可文件号E309391
( QQQX2 ) UL 1557 (见* )
薄单列直插式封装
适用于BU -5S导致形成的选项
(以“ 5S ”后缀,例如零件号
BU15065S)
卓越的热传导率
浸焊275 °C以下。 10秒,每JESD 22 - B106
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
典型应用
在AC / DC桥式全波一般用途
整流开关电源,家用
家电和白色家电应用。
机械数据
案例:
BU
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - M3 - 无卤素,符合RoHS标准,并
商业级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性:
作为标记体
安装扭矩:
10厘米公斤( 8.8英寸- lbs)的最大值。
推荐扭矩:
5.7厘米公斤(5英寸 - 磅)
+
~
~
-
*经测试符合UL标准的安全电气隔离半导体
设备。 UL 1557第4版。
介电测试,以最大的情况下,储存和结
温至150℃ ,以承受1500V。
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级。
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
在我
F
= 7.5 A
T
J
马克斯。
15 A
600 V, 800 V, 1000 V
200 A
5 A
0.87 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
平均整流正向电流(图1 ,2)
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦波,T
J
= 25 °C
额定值融合(T < 8.3毫秒)T
J
= 25 °C
工作结存储温度范围
笔记
(1)
(2)
符号
V
RRM
T
C
= 80 °C
(1)
T
A
= 25 °C
(2)
I
O
I
FSM
I
2
t
T
J
, T
英镑
BU1506
600
BU1508
800
15
3.4
200
160
- 55至+ 150
BU1510
1000
单位
V
A
A
A
2
s
°C
用60瓦的风冷散热器
没有散热片,自由的空气
文档编号: 89297
修订: 15 -MAR- 11
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www.vishay.com/doc?91000
新产品
BU1506通BU1510
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大正向
每个二极管电压
(1)
最大反向电流每二极管
典型结电容每二极管
(1)
测试条件
I
F
= 7.5 A
为V
R
4.0 V, 1 MHz的
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
符号
V
F
I
R
C
J
典型值。
0.97
0.87
-
90
70
马克斯。
1.05
0.95
5.0
250
-
单位
V
A
pF
脉冲试验: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻
笔记
(1)
(2)
符号
R
θJC
(1)
R
θJA
(2)
BU1506
BU1508
2.5
20
BU1510
单位
° C / W
用60瓦的风冷散热器
没有散热片,自由的空气
订购信息
(例)
首选的P / N
BU1506-M3/45
BU1506-M3/51
BU15065S-M3/45
单位重量(g )
4.75
4.75
4.75
首选包装代码
45
51
45
基地数量
20
250
20
配送方式
纸盒
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
20
5
散热器
正弦波, R负载
T
C
测量设备底部
15
正向平均整流电流( A)
平均正向输出电流( A)
4
3
10
T
C
5
T
C
2
没有
散热器
正弦波, R负载
自由的空气,T
A
1
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75
100
125
150
外壳温度( ° C)
环境温度( ℃)
图1.降额曲线输出整流电流
图2.正向电流降额曲线
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2
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新产品
BU1506通BU1510
威世通用半导体
36
1000
瞬时反向电流( μA )
前向功率耗散( W)
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
T
J
= 150 °C
100
T
J
= 125 °C
10
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
平均正向电流( A)
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图3.前向功率耗散
图5.典型的反向特性每二极管
100
1000
T
J
= 150 °C
正向电流(A )
10
T
J
= 125 °C
1
结电容(pF )
1.1
1.2
100
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.3
10
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图4.典型正向特性每二极管
图6.典型结电容每二极管
文档编号: 89297
修订: 15 -MAR- 11
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新产品
BU1506通BU1510
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
案例类型BU
0.880 (22.3)
0.860 (21.8)
0.020R ( TYP 。 )
0.125 (3.2) x 45°
倒角
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.310 (7.9)
0.290 (7.4)
0.740 (18.8)
0.720 (18.3)
0.085 (2.16)
0.065 (1.65)
典型值。
0.048 (1.23)
0.039 (1.00)
0.710 (18.0)
0.690 (17.5)
0.050 (1.27)
0.040 (1.02)
0.100 (2.54)
0.085 (2.16)
典型值。
0.161 (4.10)
0.142 (3.60)
意见
A
0.080 (2.03)
0.060 (1.52)
0.075
(1.9) R
+
~
~
-
0.190 (4.83)
0.210 (5.33)
0.080 (2.03)
0.065 (1.65)
0.028 (0.72)
0.020 (0.52)
在案件的正面显示极性,正极引线
角落
0.055 ( 1.385 ) REF 。
0.094 ( 2.39 )× 45 ° REF 。
R 0.11
( 2.78 ) REF 。
0.64 ( 16.28 ) REF 。
0.62 ( 15.78 ) REF 。
R 0.10
( 2.60 ) REF 。
0.055 ( 1.385 ) REF 。
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4
文档编号: 89297
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新产品
BU1506通BU1510
威世通用半导体
成型规格: BU- 5S
以英寸(毫米)
0.161 (4.10)
0.142 (3.60)
0.880 (22.3)
0.860 (21.8)
0.125 (3.2) x 45°
倒角
0.020R ( TYP 。 )
0.310 (7.9)
0.290 (7.4)
0.740 (18.8)
0.720 (18.3)
典型值。
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.075
(1.9) R
0.080 (2.03)
0.060 (1.52)
+
~ ~
-
0.085 (2.16)
0.065 (1.65)
0.100 (2.54)
0.085 (2.16)
0.219 (5.55)
马克斯。
典型值。
0.050 (1.27)
0.040 (1.02)
0.213 (5.40)
0.173 (4.40)
0.417 (10.60)
0.370 (9.40)
0.134 (3.40)
0.087 (2.20)
0.319 (8.10)
0.272 (6.90)
0.319 (8.10)
0.272 (6.90)
0.315 (8.0)
0.276 (7.0)
0.028 (0.72)
0.020 (0.52)
0.080 (2.03)
0.065 (1.65)
应用说明
( 1 )设备的UL批准的1500五,安全使用的介电强度
(2)如果装置被装在浮动接地(FG )的应用,绝缘体,建议使用以满足安全要求。
( 3 )散热片造型推荐:
(3)
散热器
2.5毫米MIN 。
2.5毫米MIN 。
按安全要求
文档编号: 89297
修订: 15 -MAR- 11
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU1506DX
概述
增强的性能,新一代,高电压,带有集成的高速交换NPN晶体管
在一个塑料全包信封阻尼二极管用于在彩色电视的水平偏转电路中使用
接收器。功能卓越的耐基极驱动和集电极电流负载变化造成了极低
最坏的情况下消散。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
二极管的正向电压
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
3.0
1.6
0.25
马克斯。
1500
700
5
8
32
5.0
-
2.0
0.5
单位
V
V
A
A
W
V
A
V
s
T
hs
25 C
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.79 A
I
F
= 3.0 A
I
CM
= 3.0 A;我
B(完)
= 0.67 A
钉扎 - SOT186A
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
符号
c
b
RBE
孤立的情况下,
1 2 3
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值( IEC 134 )
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
B( AV )
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流(DC)的
基极电流峰值
反向基极电流
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
马克斯。
1500
700
5
8
3
8
100
8
32
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
C
C
平均超过任何20 ms周期
T
hs
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到环境
条件
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
55
马克斯。
4.0
-
单位
K / W
K / W
1
关断电流。
1997年9月
1
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU1506DX
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
65 % ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
R
be
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
V
F
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
基极 - 发射极电阻
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
二极管的正向电压
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 600毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
V
EB
= 7.5 V
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.79 A
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.79 A
I
C
= 0.3 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 3.0 A; V
CE
= 5 V
I
F
= 3.0 A
分钟。
-
-
90
7.5
700
-
-
-
-
3.8
-
典型值。
-
-
-
13.5
-
55
-
-
12
5.5
1.6
马克斯。
1.0
2.0
180
-
-
-
5.0
1.1
-
7.5
2.0
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
C
c
参数
集电极电容
开关时间(行偏转
电路)
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CM
= 3.0 A; L
C
= 1.35 mH的;
C
FB
= 9.4 nF的;我
B(完)
= 0.67 A;
L
B
= 8
H;
-V
BB
= 4 V;
( -dI
B
/ DT = 0.45 A / μs)内
典型值。
47
马克斯。
-
单位
pF
4.5
0.25
6.0
0.5
s
s
2
测量正弦半波电压(波形记录器) 。
1997年9月
2
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU1506DX
晶体管
IC
二极管
ICsat
100
h
FE
t
TJ = 25℃
TJ = 125℃
5V
IB
IBend
t
20us
26us
64us
10
1V
VCE
t
1
0.01
0.1
IC / A
1
10
图1 。开关时间波形。
图4 。典型的直流电流增益。
FE
= F(我
C
)
参数V
CE
VBESAT / V
TJ = 25℃
TJ = 125℃
ICsat
90 %
IC
1.2
1.1
1
0.9
10 %
tf
ts
IB
IBend
t
0.8
0.7
0.6
IC / IB =
3
4
5
t
0.5
0.4
0.1
1
IC / A
10
- IBM
图2 。开关时间的定义。
图5 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F (I
C
) ;参数I
C
/I
B
VCESAT / V
IC / IB =
5
4
3
+ 150V,额定
调整ICsat
1
0.9
0.8
Lc
0.7
0.6
0.5
D.U.T.
IBend
LB
CFB
RBE
0.4
0.3
0.2
TJ = 25℃
TJ = 125℃
-VBB
0.1
0
0.1
1
IC / A
10
如图3所示。开关时间测试电路。
图6 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F (I
C
) ;参数I
C
/I
B
1997年9月
3
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU1506DX
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
VBESAT / V
10
TS , TF /美
9
8
7
6
5
ts
TJ = 25℃
TJ = 125℃
IC =
4A
3A
2.5A
4
3
2
1
0
2.5A
IC =
3A
tf
0.1
1
10
0
1
2
3
IB / A
4
IB / A
图7 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F (I
B
) ;参数I
C
VCESAT / V
图10 。典型的集热器存储和下降时间。
TS = F(我
B
) ; TF = F(我
B
) ;参数I
C
; T
j
= 85C
归一化功率降额
与复合散热器
10
120
110
PD %
IC = 2.5A
3A
4A
1
TJ = 25℃
TJ = 125℃
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.1
0.1
1
IB / A
10
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
图8 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F (I
B
) ;参数I
C
EOFF / UJ
1000
图11 。归一化的功率耗散。
PD % = 100
P
D
/P
25℃
= F(T
hs
)
IC = 3A
100
2.5A
10
0.1
1
IB / A
10
图9 。典型的关断损耗。牛逼
j
= 85C
EOFF = F (I
B
) ;参数I
C
1997年9月
4
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU1506DX
IC / A
100
100
IC / A
= 0.01
= 0.01
ICM最大
10
IC最大
II
TP =
10
ICM最大
TP =
10我们
IC最大
II
10我们
1
P合计最大
100美
1
P合计最大
100美
1毫秒
I
I
1毫秒
0.1
0.1
10毫秒
DC
10毫秒
DC
0.01
1
10
100
VCE / V
1000
0.01
1
10
100
VCE / V
1000
图12 。正向偏置安全工作区。牛逼
hs
= 25C
I
允许的直流操作区域。
II
扩展重复脉冲操作。
NB :
安装有散热片和复合
30
±
在中央5牛顿的力
信封。
图13 。正向偏置安全工作区。牛逼
hs
= 25C
I
允许的直流操作区域。
II
扩展重复脉冲操作。
NB :
没有安装散热器化合物和
30
±
在中央5牛顿的力
信封。
1997年9月
5
启1.300
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BU1506
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BU1506
VISHAY/威世
22+
32570
SIP
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881239445 复制

电话:0755-83264115
联系人:朱生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
BU1506
PH原装
1215+
150000
TO-220
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.
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电话:021-51097965
联系人:杨全兴
地址:松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
BU1506
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20+
900000
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