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NPN硅达林顿晶体管
公元前875
...公元前879
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型：公元前876 ，公元前878
公元前880 （ PNP ）
q
TYPE
公元前875
公元前877
公元前879
记号
–
订购代码
C62702-C853
C62702-C854
C62702-C855
引脚配置
1
2
3
E
C
B
包
1)
TO-92
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
C
= 90 C
2)
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 壳
3)
1)
2)
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
公元前875
45
60
单位
公元前877
60
80
5
1
2
100
200
0.8 (1)
150
– 65 … + 150
W
C
mA
A
公元前879
80
100
V
R
日JA
R
日JC
≤
≤
156
75
K / W
3)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
如果晶体管，最大。 4毫米引线长度是固定在PCB上用分钟。 10毫米
×
10毫米大面积覆铜面积
集电极端，
R
thJA
= 125 K / W ，因此
P
TOT最大
= 1为W
T
A
= 25 C.
安装在铝散热片15毫米
×
25 mm
×
0.5 mm.
半导体集团
1
5.91
公元前875
...公元前879
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50毫安
公元前875
公元前877
公元前879
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
公元前875
公元前877
公元前879
发射极 - 基极击穿电压，
I
E
= 100
A
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 0.5
×
V
CEmax
收藏家Cuto FF电流
V
CB
=
V
CBmax
V
CB
=
V
CBmax
,
T
A
= 150 C
发射极截止电流，
V
EB
= 4 V
直流电流增益
I
C
= 150毫安;
V
CE
= 10 V
1)
I
C
= 500毫安;
V
CE
= 10 V
1)
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 1 A,
I
B
= 1毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 1 A;
I
B
= 1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 200毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
f
T
–
150
–
兆赫
V
(BR)CE0
45
60
80
V
(BR)CB0
60
80
100
V
(BR)EB0
I
CE0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
1000
2000
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
–
–
1.3
1.8
2.2
–
–
–
–
V
–
–
–
–
100
20
100
nA
A
nA
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
500
nA
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
≤
2 %.
半导体集团
2
公元前875
...公元前879
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
;
T
C
)
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 100 V
允许的脉冲负载
R
thJA
=
f
(t )
p
直流电流增益
h
FE
=
f
(T
A
)
V
CE
= 10 V
半导体集团
3
公元前875
...公元前879
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V,
T
A
= 25 C
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
f
(I
C
)
参数
I
B
,
T
A
= 25 C
基射极饱和电压
V
BESAT
=
f
(I
C
)
参数
I
B
,
T
A
= 25 C
半导体集团
4
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BXY43C
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BS62LV8007EI
BCR25A8
BCR148
B72214T2131K101
BS-A401RD
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数量
封装
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