【BCR148...NPN硅晶体管数字开关电路，逆变器，接口电路驱动电路内置偏置电阻（R1=47 k,】,IC型号BCR148,BCR148 PDF资料,BCR148经销商,ic,电子元器件-51电子网

BCR148...

NPN硅晶体管数字

开关电路，逆变器，接口电路

驱动电路

内置偏置电阻（R

1

=47 k,

R

2

=47 k)

BCR148S ：两个内部隔离

晶体管具有良好的匹配

在一个多芯片封装

BCR148S ：对于方位盘看

下面的包信息

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

BCR148/F

BCR148W

C

3

BCR148S

C1

6

B2

5

E2

4

R

1

R

1

R

2

TR2

R

1

R

2

TR1

R

2

1

B

2

E

EHA07184

1

E1

2

B1

3

C2

EHA07174

TYPE

BCR148

BCR148F

BCR148S

BCR148W

1

含有铅，

记号

WES

1=B

引脚配置

2=E

3=C

-

包

SOT23

TSFP-3

SOT323

1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363

包可能是可根据特殊要求

1

2009-06-16

BCR148...

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

输入正向电压

输入反向电压

集电极电流

总功率dissipation-

BCR148,

T

S

≤

102°C

BCR148F,

T

S

≤

128°C

BCR148S,

T

S

≤

115°C

BCR148W,

T

S

≤

124°C

结温

储存温度

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

BCR148

BCR148F

BCR148S

BCR148W

1

为

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

我（ FWD ）

V

我（ REV ）

I

C

P

合计

价值

50

80

10

100

200

250

单位

V

mA

mW

T

j

T

英镑

符号

R

thjs

150

-65 ... 150

价值

≤

240

≤

90

≤

140

≤

105

°C

单位

K / W

计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2

2009-06-16

BCR148...

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

值

单位

分钟。

典型值。马克斯。

DC特性

-

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CEO

50

V

I

C

= 100 A,

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 40 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 10 V,

I

C

= 0

直流电流增益

1)

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

输入过电压

I

C

= 100 A,

V

CE

= 5 V

输入电压

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 0.3 V

输入电阻

电阻率

AC特性

跃迁频率

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

f

T

C

cb

V

（ BR ） CBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R

1

R

1

/R

2

50

-

70

-

0.8

1

32

0.9

-

47

1

100

3

-

100

164

-

0.3

1.5

3

62

1.1

-

k

-

兆赫

pF

nA

A

-

V

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

1

脉冲

测试：吨< 300μS ; < 2 ％

3

2009-06-16

BCR148...

直流电流增益

h

FE

=

(

I

C

)

V

CE

= 5V （共发射极配置）

10

3

集电极 - 发射极饱和电压

V

CESAT

=

(

I

C

),

I

C

/I

B

= 20

0.5

V

0.4

V

CESAT

h

FE

10

2

0.35

0.3

0.25

0.2

10

1

-40 °C

-25 °C

25 °C

85 °C

125 °C

0.15

0.1

0.05

-40 °C

-25 °C

25 °C

85 °C

125 °C

10

0 -4

10

-3

10

-2

A

10

-1

0

-3

10

-2

A

10

-1

I

C

I

C

输入电压

V

i

（上）

=

(

I

C

)

V

CE

= 0.3V （共发射极配置）

10

2

输入过电压

V

我（关闭）

=

(

I

C

)

V

CE

= 5V （共发射极配置）

10

1

V

我（关闭）

V

我（上）

10

1

-40 °C

-25 °C

25 °C

85 °C

125 °C

V

-40 °C

-25 °C

25 °C

85 °C

125 °C

10

0

10

0

10

-1 -5

10

-4

10

-3

10

-2

A

10

-1

10

-1 -5

10

-4

10

-3

10

-2

A

10

-1

I

C

I

C

4

2009-06-16

BCR148...

总功耗

P

合计

=

(

T

S

)

BCR148

300

mW

总功耗

P

合计

=

(

T

S

)

BCR148F

300

mW

250

225

250

225

P

合计

175

150

125

100

75

50

25

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

P

合计

200

175

150

125

100

75

50

25

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

T

S

T

S

总功耗

P

合计

=

(

T

S

)

BCR148S

300

mW

总功耗

P

合计

=

(

T

S

)

BCR148W

300

mW

250

225

250

225

P

合计

175

150

125

100

75

50

25

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

P

合计

200

175

150

125

100

75

50

25

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

T

S

T

S

5

2009-06-16

BCR148.../SEMH2

NPN硅晶体管数字

开关电路，逆变器，接口电路

驱动电路

内置偏置电阻（R

1

=47k,

R

2

=47k)

对于6引脚封装： 2 （电流）的内部

隔离晶体管具有良好的匹配

在一个封装中

BCR148/F/L3

BCR148T/W

C

3

BCR148S/U

SEMH2

C1

6

B2

5

E2

4

R

1

R

1

R

2

TR2

R

1

R

2

TR1

R

2

1

B

2

E

EHA07184

1

E1

2

B1

3

C2

EHA07174

TYPE

BCR148

BCR148F

BCR148L3

BCR148S

BCR148T

BCR148U

BCR148W

SEMH2

记号

WES

WE

WES

WE

1=B

引脚配置

2=E

3=C

-

包

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

SOT323

1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363

1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SC74

1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666

1

May-17-2004

BCR148.../SEMH2

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

集电极电流

总功率dissipation-

BCR148,

T

S

≤

102°C

BCR148F,

T

S

≤

128°C

BCR148L3,

T

S

≤

135°C

BCR148S,

T

S

≤

115°C

BCR148T,

T

S

≤

109°C

BCR148U,

T

S

≤

118°C

BCR148W,

T

S

≤

124°C

SEMH2,

T

S

≤

75°C

结温

储存温度

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

BCR148

BCR148F

BCR148L3

BCR148S

BCR148T

BCR148U

BCR148W

SEMH2

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

V

我（上）

I

C

P

合计

价值

50

10

50

70

200

250

单位

V

mA

mW

T

j

T

英镑

符号

R

thjs

150

-65 ... 150

价值

≤

240

≤

90

≤

60

≤

140

≤

165

≤

133

≤

105

≤

300

°C

单位

K / W

2

May-17-2004

BCR148.../SEMH2

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

单位

参数

分钟。

典型值。马克斯。

DC特性

-

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CEO

50

V

I

C

= 100 A,

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

V

（ BR ） CBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R

1

R

1

/

R

2

50

-

70

-

0.8

1

32

0.9

-

47

1

-

100

164

-

0.3

1.5

3

62

1.1

k

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 40 V,

I

E

= 0

nA

A

-

V

发射基截止电流

V

EB

= 10 V,

I

C

= 0

直流电流增益

1)

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

输入过电压

I

C

= 100 A,

V

CE

= 5 V

输入电压

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 0.3 V

输入电阻

电阻率

-

AC特性

跃迁频率

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

1PULSE测试：吨< 300μS ; < 2 ％

f

T

C

cb

-

100

3

-

兆赫

pF

3

May-17-2004

BCR148.../SEMH2

直流电流增益

h

FE

=

(I

C

)

V

CE

= 5V （共发射极配置）

10

3

集电极 - 发射极饱和电压

V

CESAT

=

(I

C

),

h

FE

= 20

10

2

-

mA

h

FE

10

2

I

C

10

1

10

1

10

0 -1

10

0

1

2

10

mA

10

3

10

0

0.2

0.4

0.6

V

1

I

C

V

CESAT

输入电压

V

i

（上）

=

(I

C

)

V

CE

= 0.3V （共发射极配置）

10

2

输入过电压

V

我（关闭）

=

(I

C

)

V

CE

= 5V （共发射极配置）

10

1

mA

10

0

10

1

I

C

I

C

10

-1

10

0

10

-2

10

-1 -1

10

0

1

10

V

10

2

10

-3

0

1

2

3

V

5

V

我（上）

V

我（关闭）

4

May-17-2004

BCR148.../SEMH2

总功耗

P

合计

=

(T

S

)

BCR148

300

总功耗

P

合计

=

(T

S

)

BCR148F

300

mW

P

合计

150

P

合计

120

°C

200

150

100

50

0

20

40

60

80

100

150

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

T

S

T

S

总功耗

P

合计

=

(T

S

)

BCR148L3

300

总功耗

P

合计

=

(T

S

)

BCR148S

300

mW

P

合计

150

P

合计

120

°C

200

150

100

50

0

20

40

60

80

100

150

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

T

S

T

S

5

May-17-2004

BCR 148

NPN硅晶体管数字

开关电路，逆变器，接口电路，

驱动电路

内置偏置电阻（R

1

= 47千欧姆，R

2

=47k)

TYPE

BCR 148

订购代码标识

WES

Q62702-C2261

引脚配置

1=B

2=E

3=C

包

SOT-23

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

DC集电极电流

总功耗，

T

S

= 102°C

结温

储存温度

符号

值

50

10

50

70

200

150

- 65 ... + 150

mA

mW

°C

单位

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

V

我（上）

I

C

P

合计

T

j

T

英镑

热阻

交界处的环境

1)

R

thJA

R

thjs

≤

350

≤

240

K / W

结 - 焊接点

1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6厘米

2

Cu

半导体集团

1

Nov-26-1996

BCR 148

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

50

-

47

1

-

V

I

C

= 100 A,

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ） CBO

50

I

C

= 10 A,

I

B

= 0

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

-

100

nA

A

-

164

-

70

-

V

-

0.3

1.5

3

62

1.1

k

-

V

CB

= 40 V,

I

E

= 0

发射Cuto FF电流

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

0.8

V

EB

= 10 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

输入过电压

I

C

= 100 A,

V

CE

= 5 V

输入电压

V

我（上）

1

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 0.3 V

输入电阻

电阻率

R

1

R

1

/R

2

32

0.9

AC特性

跃迁频率

f

T

-

100

3

-

兆赫

pF

-

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

C

cb

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％

半导体集团

2

Nov-26-1996

BCR 148

直流电流增益

h

FE

=

F（我

C

)

V

CE

= 5V （共发射极配置）

集电极 - 发射极饱和电压

V

CESAT

=

F（我

C

),

h

FE

= 20

10

3

10

2

-

h

FE

10

2

I

C

mA

10

1

10

1

10

0

-1

10

0

10

1

10

2

mA

I

C

10

0

0.0

0.2

0.4

0.6

V

1.0

V

CESAT

输入电压

V

我（上）

=

F（我

C

)

V

CE

= 0.3V （共发射极配置）

输入过电压

V

我（关闭）

=

F（我

C

)

V

CE

= 5V （共发射极配置）

10

2

10

1

mA

I

C

10

1

I

C

10

0

10

-1

10

0

10

-2

10

-1

10

0

10

1

V

我（上）

10

-3

0

1

2

3

V

5

V

我（关闭）

半导体集团

3

Nov-26-1996

BCR 148

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

300

mW

P

合计

200

T

S

T

A

150

100

50

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

A

,T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

F（T

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

F（T

p

)

10

3

10

3

K / W

-

R

thjs

10

2

P

totmax

/P

totDC

10

2

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

10

1

10

0

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半导体集团

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Nov-26-1996