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分立半导体
数据表
M3D173
BFQ67T
NPN 8 GHz宽带晶体管
产品speci fi cation
取代1999年的数据11月02
2000 3月6日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
特点
高功率增益
低噪声系数
高转换频率
黄金金属确保
卓越的可靠性
SOT416 ( SC - 75 )的信封。
应用
等宽带应用
卫星电视调谐器和射频的便携式
通信设备最多
2千兆赫。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
h
FE
f
T
G
UM
F
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
极限值
按照绝对最大系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
结温
T
s
75
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
分钟。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流( DC )
总功耗
直流电流增益
跃迁频率
最大单边功率增益
噪音科幻gure
T
s
75
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
分钟。
I
C
= 15毫安; V
CE
= 5 V ;牛逼
j
= 25
°C
60
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V ; F = 1 GHz的
典型值。
100
8
13
1.3
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
标识代码:
V2.
BFQ67T
描述
在一个塑料SOT416 NPN晶体管
(SC- 75 )封装。
fpage
3
描述
1
顶视图
2
MBK090
图1 SOT416 。
马克斯。
20
10
50
150
单位
V
V
mA
mW
GHz的
dB
dB
马克斯。
20
10
2.5
50
150
+150
150
V
V
V
单位
mA
mW
°C
°C
2000 3月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
500
BFQ67T
单位
K / W
特征
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极截止电流
直流电流增益
集电极电容
发射极电容
反馈电容
跃迁频率
最大单边功率增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 5 V
I
C
= 15毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 8 V ; F = 1 MHz的
分钟。
60
典型值。
100
0.7
1.3
0.5
8
马克斯。
50
pF
pF
pF
GHz的
单位
nA
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
注1
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
13
8
1.3
2.2
2
2.7
2.5
3
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
F
噪音科幻gure
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 8 V ; F = 2 GHz的;
s
= 60
;
I
C
= 5毫安
I
C
= 15毫安
1. G
UM
是最大单边功率增益,假设S
12
是零和G
UM
S
21
=
10日志------------------------------------------------ ----------分贝
-
2
2
(
1
S
11
) (
1
S
22
)
2
2000 3月6日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
BFQ67T
200
P合计
( mW)的
150
MGU068
MBB301
手册, halfpage
120
^ h FE
80
100
40
50
0
0
50
100
150
TS ( ° C)
200
0
0
20
40
I C (毫安)
60
V
CE
= 5 V ;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.3
图2功率降额曲线。
直流电流增益作为集电体的功能
电流。
手册, halfpage
0.8
MRC039
手册, halfpage
10
MBB303
CRE
(PF )
0.6
fT
(千兆赫)
8
6
0.4
4
0.2
2
0
0
0
4
8
VCB ( V)
12
0
10
20
30
I C (毫安)
40
I
C
= 0; F = 1兆赫。
V
CE
= 8 V ; F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压。
Fig.5
过渡频率的函数
集电极电流。
2000 3月6日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
BFQ67T
在图6至图9 ,G
UM
=最大单边功率增益;味精=最大稳定增益;
最大
=最大可用增益。
MRC042
MRC040
手册,
20
halfpage
手册, halfpage
50
收益
( dB)的
15
味精
g最高
摹UM
收益
( dB)的
40
摹UM
30
10
20
5
10
味精
g最高
0
0
5
10
15
20
25
30
35
I C (毫安)
0
10
2
10
1
1
F(千兆赫)
10
V
CE
= 8 V ; F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
图6增益为集电极电流的函数。
图7增益是频率的函数。
50
手册, halfpage
收益
( dB)的
40
摹UM
MRC041
手册, halfpage
50
MRC043
收益
( dB)的
40
摹UM
30
味精
20
g最高
10
30
味精
20
10
g最高
0
10
2
10
1
1
F(千兆赫)
10
0
10
2
10
1
1
F(千兆赫)
10
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
I
C
= 30毫安; V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
图8的增益是频率的函数。
图9中的增益是频率的函数。
2000 3月6日
5
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    -
    -
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