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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第846页 > BAS40
BAS40
8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85251
联系电话： （ 480 ） 941-6300
传真： （ 480 ） 947-1503
和
BAS70
SCHOTTKYarray 系列
描述
肖特基势垒的二极管SOT- 23封装的各种配置
在高速开关，混频器提供用于一般用途和
探测器的应用程序。它们也可用于在信号端子
板级。这有助于保持信号的完整性，并抵消
与（ PC）板走线传输线效应夹紧了/和
从与肖特基势低阈值电压信号反射冲。
这种类型的终止也并不依赖于匹配的发送
线的特性阻抗，使得它是特别有用的，其中线
阻抗是未知或可变。终止该方法可以
时钟，数据，地址和控制线的控制的失真以及
提供了信号的抖动具有稳定作用。它也可以显著降低
功耗相比，基于标准的电阻与终止方法。
特点
保护从线到V
CC
和线对地
一个正向二极管的阈值电压钳位内
低正向电压，反向恢复
特征
双向低进可用的用“ -04 ”后缀（图2）
SOT- 23表面贴装封装的小脚印
包装
磁带&卷轴EIA标准481
7寸盘3000件
13英寸卷筒万件
最大额定值
工作温度： -55℃ + 125
存储温度： -55
0
C至+150
0
C
在T功耗
AMB
= 25
0
C是200毫瓦
连续正向电流在T
AMB
= 25
0
C是200毫安
浪涌正向电流在t
p
< 1秒，T
AMB
= 25
0
C是600毫安
0
0
机械
模压SOT- 23表面贴装
重量： 0.008克（近似值）
车身标有设备编号
每二极管@ 25电气特性
0
C除非另有说明
重复
反向峰值
电压
设备
TYPE
设备
科幻gure
记号
V
RRM
（伏）
典型值
BAS40
BAS40-04
BAS40-05
BAS40-06
BAS70
BAS70-04
BAS70-05
BAS70-06
43
44
45
46
73
74
75
76
1
2
3
4
1
2
3
4
40
40
40
40
70
70
70
70
V
（ BR ）R
（伏）
民
40
40
40
40
70
70
70
70
反向
击穿
电压
测试了
10μA脉冲
漏电流
脉冲测试
TP < 300μS @
对于BAS40
V
R
= 30 V
对于BAS70
V
R
= 50 V
I
R
（ nA的）
典型值
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
100
100
100
100
100
100
100
100
I
F
=1mA
380
380
380
380
410
410
410
410
1000
1000
1000
1000
I
F
= 15毫安我
F
=40mA
1000
1000
1000
1000
最大
5
5
5
5
5
5
5
5
最大
430
430
430
430
430
430
430
430
最大
5
5
5
5
2
2
2
2
正向电压脉冲测试
TP < 300μS
在我
F
= 1毫安
在我
F
= 40毫安
反向
恢复
从时间
I
F
= 10毫安
通过
I
R
= 10mA至
I
R
=1mA
t
rr
（纳秒）
热
阻力
结到
环境空气
电容
在V
R
= 0V
F = 1 MHz的
C
合计
V
F
（毫伏）
R
thJA
（K / W）
pF
MSC1380.PDF
ISO 9001认证
REV C 2000年2月2日
BAS40和BAS70
图1
图2
科幻gure 3
图4
包装外形
焊盘尺寸
MSC1380.PDF ISO 9001认证
REV C 2000年2月2日
BAS40 THRU BAS40-06
肖特基二极管
SOT-23
.122 (3.1)
.118 (3.0)
.016 (0.4)
3
特点
这些二极管具有极低的导通
顶视图
.056 (1.43
)
.052 (1.33
)
电压和快速切换。
这些器件由一个PN保护
防止过度结保护环
电压，例如静电放电。
1
2
最大。 0.004 （0.1）
.007 (0.175)
.005 (0.125)
.037(0.95) .037(0.95)
.045 (1.15)
.037 (0.95)
.016 (0.4)
.016 (0.4)
.102 (2.6)
.094 (2.4)
机械数据
案例：
SOT- 23塑料包装
重量：
约。 0.008克
尺寸以英寸（毫米）
3
3
顶视图
1
2
1
2
BAS40
标记： 43
3
BAS40-04
标记： 44
3
顶视图
1
2
1
2
BAS40-05
标记： 45
BAS40-06
标记： 46
最大额定值和一个二极管的电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
反向重复峰值电压
连续正向电流在T
AMB
= 25 °C
浪涌正向电流在t
p
< 1秒，T
AMB
= 25 °C
功耗
1)
在T
AMB
= 25 °C
结温
存储温度范围
1)
价值
40
200
1)
600
1)
200
1)
150
-55到+150
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
V
RRM
I
F
I
FSM
P
合计
T
j
T
S
设备上的玻璃基板，看布局
4/98
BAS40 THRU BAS40-06
电气特性
除非另有说明，评分为1二极管，在25℃的环境温度
符号
反向击穿电压
经测试，10
A
脉冲
漏电流
脉冲测试吨
p
＆ LT ; 300
s
在V
R
= 30 V
正向电压
脉冲测试吨
p
＆ LT ; 300
s
在我
F
= 1毫安
在我
F
= 40毫安
电容
在V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间
从我
F
= 10通过I毫安
R
= 10 mA至我
R
= 1毫安
热阻结到环境空气
1)
分钟。
40
–
典型值。
–
20
马克斯。
–
100
单位
V
nA
V
（ BR ）R
I
R
V
F
V
F
C
合计
t
rr
R
thJA
–
–
–
–
–
–
–
4.0
–
–
380
1000
5
5
430
1)
mV
mV
pF
ns
K / W
设备上的玻璃基板，看布局
.30 (7.5)
.12 (3)
.04 (1)
.08 (2)
.04 (1)
.08 (2)
.59 (15)
.47 (12)
.03 (0.8)
0.2 (5)
.06 (1.5)
.20 (5.1)
尺寸英寸（毫米）
布局的R
thJA
TEST
厚度：玻璃纤维在0.059 （ 1.5 mm）的
铜导线在0.012 （0.3 MM）
BAS40 / -04 / -05 / -06
表面贴装肖特基二极管
特点
·
·
·
低正向压降
快速开关
PN结保护环的瞬态和
ESD保护
顶视图
SOT-23
A
暗淡
A
B
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.85
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.80
8°
B
C
D
E
G
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT -23 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：参见下图
重量： 0.008克（约）
标记验证码：看下面的图表&第2页
订购信息：见第2页
E
D
G
H
K
J
D
L
M
H
J
K
L
M
a
尺寸：mm
BAS40标记： K43
BAS40-04标志： K44
BAS40-05标志： K45
BAS40-06标志： K46
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
P
d
@ T < 1.0S
I
FSM
R
qJA
T
j
T
英镑
价值
40
200
350
600
357
-55到+125
-65到+150
单位
V
mA
mW
mA
° C / W
°C
°C
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
正向连续电流（注1 ）
功率耗散（注1 ）
正向浪涌电流（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
热阻，结到环境空气（注1 ）
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向击穿电压（注2 ）
正向电压（注2）
反向漏电流（注2）
总电容
反向恢复时间
注意：
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
C
T
t
rr
民
40
—
—
—
—
典型值
—
—
20
4.0
—
最大
—
380
1000
200
5.0
5.0
单位
V
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10毫安
t
p
< 300毫秒，我
F
= 1.0毫安
t
p
< 300毫秒，我
F
= 40毫安
t
p
< 300毫秒，V
R
= 30V
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10mA至我
R
= 1.0毫安，
R
L
= 100W
1.安装部分的FR- 4板推荐焊盘布局，可以在我们的网站上找到
在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DS11006牧师12 - 2
1 2
BAS40 / -04 / -05 / -06
订购信息
设备
BAS40-7
BAS40-04-7
BAS40-05-7
BAS40-06-7
注意事项：
（注3）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码（见第1页）
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
2001
M
FEB
2
三月
3
APR
4
2002
N
五月
5
JUN
6
2003
P
JUL
7
八月
8
2004
R
SEP
9
十月
O
2005
S
NOV
N
DEC
D
DS11006牧师12 - 2
YM
2 2
BAS40 / -04 / -05 / -06
HiRel它
硅肖特基二极管
特点
HiRel它
离散和微波半导体
通用二极管，高速开关
电路保护
电压钳位
高电平检测和混合
密封微波包装
欧空局正在申请资格
BAS 40
T1
ESD ：电子
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理注意事项！
TYPE
BAS40 -T1 （ QL ）
记号
-
订购代码
见下文
引脚配置
包
T1
（ QL ）质量等级： P：专业品质，订货代码： Q62702A1176
H：高相对质量，
S：空间品质，
订货代码：要求
订货代码：要求
（见
章订购说明
订购的例子）
表1
参数
反向电压
正向电流
正向电流浪涌
1)
功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
结温
热阻结案件
1)
最大额定值
符号
限值
40
120
170
250
-
55 + 150
-
65 + 150
+ 250
150
100
单位
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
op
T
英镑
T
SOL
T
j
R
日（J -C ）
t
10毫秒，占空比= 10
%
半导体集团
1
草案A03 1998-04-01
BAS 40
电气特性
表2
参数
反向电流1 ，
V
R
= 40 V
反向电流2 ，
V
R
= 30 V
正向电压1 ，
I
F1
= 1毫安
正向电压2 ，
I
F2
= 10毫安
正向电压3 ，
I
F3
= 40毫安
微分正向电阻
2)
I
F2
= 10毫安，
I
F3
= 15毫安
2)
DC特性
at
T
A
= 25
°
C除非另有说明
符号
分钟。
限值
典型值。
-
-
0.33
0.45
0.7
10
马克斯。
10
1
0.39
0.54
0.85
11.5
m
A
m
A
V
V
V
W
-
-
0.29
0.42
0.68
7.5
单位
I
R1
I
R2
V
F1
V
F2
V
F3
R
FD
R
FD
D
V
F
-W
= --------------------
3
5
10
AC特性
at
T
A
= 25
°
C除非另有说明
符号
分钟。
限值
典型值。
2.9
马克斯。
5.0
pF
2.2
单位
表3
参数
总电容，
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
C
T
半导体集团
2
草案A03 1998-04-01
BAS 40
为了说明
全部类型的变体，包括变型和质量水平必须由订购者指定。
为
HiRel它
离散和微波半导体的订货代码指定设备
家人和质量水平而已。
订购方式：
订购代码： QE
BAS40- （ X） （ QL ）
（ X） ：包装变
（ QL ） ：质量水平
订购示例：
订货代码： Q62702A1176
BAS40 -T1 P
对于BAS40在T1包装;专业的质量水平
进一步资料
请参阅我们的WWW-页：
二维离散和射频半导体（小信号半导体）
www.siemens.de/semiconductor/products/35/35.htm
HiRel它
离散和微波半导体
www.siemens.de/semiconductor/products/35/353.htm
也请联系我们的营销部门：
电话： + 89 6362 4480
传真： + 89 6362 5568
电子邮件： martin.wimmers@hl.siemens.de
半导体集团
3
草案A03 1998-04-01
BAS 40
图1
符号
T1套餐
毫米波
分钟。
马克斯。
1.45
1.35
0.40
0.50
0.30
0.10
-
0.60
1.30
1.15
-
0.10
-
0.06
5.50
0.40
A
B
C
D
E
F
G
H
半导体集团
4
草案A03 1998-04-01
BAS40/–04/–05/–06
威世德律风根
表面贴装肖特基势垒二极管
特点
D
低导通电压
D
快速开关
D
PN结保护环的瞬态和ESD
保护
应用
在厚膜和薄膜电路，快速开关
94 8550
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
测试条件
反向重复峰值电压
=工作峰值反向电压
=阻断电压DC
峰值正向浪涌电流
t
p
<1s ，在玻璃纤维基材
平均正向电流
正向电流
在玻璃纤维基材
功耗
在玻璃纤维基材
结温和存储温度范围
符号
V
RRM
=V
RWM
=V
R
I
FSM
I
FAV
I
F
P
d
T
j
=T
英镑
价值
40
单位
V
600
100
200
200
–55...+150
mA
mA
mA
mW
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
在玻璃纤维基材
符号
R
thJA
价值
625
单位
K / W
文档编号85506
第1版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BAS40/–04/–05/–06
威世德律风根
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
g
反向电流
击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 1.0毫安，T
p
<300
m
s
I
F
= 40毫安，T
p
<300
m
s
V
R
= 30V ，T
p
<300
m
s
I
R
=10
m
A
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
F
=I
R
= 10mA至我
R
= 1毫安，R
L
=100
W
符号
V
F
V
F
I
R
V
（ BR ）
C
D
t
rr
民
典型值
最大
380
1000
0.2
5
5
单位
mV
mV
m
A
V
pF
ns
0.02
40
4
尺寸（mm）
14384
案例： SOT23 ，模压塑料
极性：见下面图表
安装位置：任意
约。重量： 0.008克
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (4)
文档编号85506
第1版， 01 -APR- 99
BAS40/–04/–05/–06
威世德律风根
顶视图
顶视图
14385
14387
BAS40
BAS40-05 ，共阴极
顶视图
顶视图
14388
14386
BAS40-04 ，串联连接的
BAS40-06 ，共阳极
文档编号85506
第1版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (4)
BAS40/–04/–05/–06
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到已知的大气中
臭氧消耗物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的
申请时，买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，因
直接或间接的个人损害，伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
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FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85506
第1版， 01 -APR- 99
分立半导体
数据表
AGE
M3D088
M3D071
BAS40系列
肖特基势垒（双）二极管
产品speci fi cation
取代1997年的数据10月24日
1999年04月28
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
特点
低正向电压
保护环
小型塑料SMD封装
低电容二极管。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管。
描述
平面肖特基势垒二极管的
综合保护环应力
保护。单二极管和双
二极管不同的钉扎
可用。二极管BAS40 ，
BAS40-04 ， BAS40-05和BAS40-06
被封装在一个小型SOT23封装
塑料SMD封装。该BAS40-07
被封装在一个SOT143B小
塑料SMD封装
记号
类型编号
BAS40
BAS40-04
BAS40-05
BAS40-06
BAS40-07
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
钉扎SOT143B
（见图2）
针
BAS40-07
1
2
3
4
1999年04月28
k
1
k
2
a
2
a
1
描述
顶视图
BAS40系列
钉扎SOT23
（参见图1a ）
描述
针
1
2
3
BAS40
（参见图1b ）
a
1
北卡罗来纳州
k
1
BAS40-04
（参见图1c ）
a
1
k
2
k
1
, a
2
BAS40-05
（参见图1d ）
a
1
a
2
k
1
, k
2
BAS40-06
（参见图1e ）
k
1
k
2
a
1
, a
2
手册， 2列
3
手册， 2列
3
2
MGC485
1
1
顶视图
2
。 BAS40-04
手册， 2列
MGC482
3
2
MGC484
一。简化外形SOT23封装。
1
。 BAS40-05 。
手册， 2列
3
2
北卡罗来纳州
MGC483
手册， 2列
3
2
MGC486
1
1
记号
CODE
(1)
43
44
45
46
47p
B 。 BAS40单二极管。
。 BAS40-06 。
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
手册， halfpage
4
3
4
3
1
1
2
MAM194
2
图2简体外形（ SOT143B ） BAS40-07和符号。
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
≤
1 s;
δ ≤
0.5
t
p
＆ LT ;
10毫秒
65
65
参数
条件
BAS40系列
分钟。
马克斯。
单位
40
120
120
200
+150
150
+150
V
mA
mA
mA
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
看科幻G.3
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 40毫安
I
R
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOT23或SOT143B标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
500
单位
K / W
反向电流
二极管电容
V
R
= 30 V ;注意1 ;见图4
V
R
= 40 V ;注意1 ;见图4
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图6
380
500
1
1
10
5
mV
mV
V
A
A
pF
参数
条件
马克斯。
单位
1999年04月28
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
图形数据
MLC361 - 1
BAS40系列
10
2
手册， halfpage
IF
（MA ）
10
手册， halfpage
10
3
MLC362
IR
(A)
(1)
10
2
10
(1)
(2)
(3)
(4)
(2)
1
1
10
1
10
1
(3)
10
2
10
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V F （ V）
1.0
0
10
20
30
VR （ V）
40
(1)
(2)
(3)
(4)
T
AMB
= 150
°C.
T
AMB
= 85
°C.
T
AMB
= 25
°C.
T
AMB
=
40 °C.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.3
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.4
反向电流反向的函数
电压;典型值。
10
3
手册， halfpage
差异
()
10
2
MLC364
MLC363
手册， halfpage
5
Cd
（PF ）
4
3
2
10
1
1
10
1
0
1
10
IF （MA ）
10
2
0
10
20
30
VR （ V）
40
F = 10千赫。
F = 1 MHz的牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.5
微分正向电阻为一个函数
的正向电流;典型值。
Fig.6
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
1999年04月28
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
包装纲要
塑料表面贴装封装; 3引线
BAS40系列
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月28
5
前沿电子股份有限公司
E. COCHRAN STREET 667 ，西米谷，CA 93065
电话： （ 805 ） 522-9998
传真： （ 805 ） 522-9989
电子信箱：
frontiersales@frontierusa.com
网址：
HTTP ： //www.frontierusa.com
表面贴装肖特基二极管
BAS40 / 04/ 05 /
A
特点
低导通电压
快速开关
PN结保护环的瞬态和
ESD保护
机械数据
案例： SOT -23 ，塑料
终端：可焊
方法208
重量： 0.008克
极性：见图
3
SOT-23
B
C
顶视图
1
G
E
H
D
2
每MIL -STD- 202 ，
K
M
J
L
暗淡
民
最大
A
0.30
0.51
B
1.20
1.60
C
2.10
3.00
D
0.85
1.05
E
0.45
1.00
G
1.70
2.10
H
2.70
3.10
J
0.00
0.13
K
0.89
1.30
L
0.30
0.61
M
0.076
0.25
尺寸：mm
顶视图
顶视图
顶视图
顶视图
BAS40
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
功率耗散（注1 ）
BAS40-04
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
Pd
R
θJA
T
J,
T
英镑
BAS40-05
价值
40
225
1.8
-55到+150
BAS40-06
单位
V
mW
米W /
°C
°C
热阻。结到环境空气
工作和存储温度范围
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
击穿电压
（IR=10uA）
总电容
（V
R
= 1.0V ， F = 1.0 MHz的）
反向漏
（V
R
= 25V）
正向电压
（I
F
= 0.1 MADC ）
正向电压
（I
F
= 30 MADC ）
正向电压
（I
F
= 100 MADC ）
符号
V（ BR ）R
C
T
I
R
V
F
V
F
V
F
分钟。
40
马克斯。
-
5.0
1.0
380
500
1.0
单位
伏
P
F
uAdc
MVDC
MVDC
VDC
-
-
-
-
-
BAS40 / 04/ 05 /
页： 1
额定值和特性曲线BAS40 / 04/ 05 /
图1 。
典型正向电压。
图2 。
反向电流值相反。
电压
100
100
IR ，反向电流（ UA） （MA ）
IF ，正向电流（毫安）
T
A =
150℃
10
125℃
10
150℃
125℃
1.0
0.1
0.01
0.001
85℃
1.0
85℃
25℃
-40℃
-55℃
25℃
0.1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.6 0.7 0.8
VF ，正向电压（ V）
0
5.0
10
15
20
26
VR ，反向电压（V ）
图3 。
典型电容
3.5
3.0
CT，电容（PF）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
VR ，反向电压（V ）
BAS40 / 04/ 05 /
第2页
BAS40
8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85251
联系电话： （ 480 ） 941-6300
传真： （ 480 ） 947-1503
和
BAS70
SCHOTTKYarray 系列
描述
肖特基势垒的二极管SOT- 23封装的各种配置
在高速开关，混频器提供用于一般用途和
探测器的应用程序。它们也可用于在信号端子
板级。这有助于保持信号的完整性，并抵消
与（ PC）板走线传输线效应夹紧了/和
从与肖特基势低阈值电压信号反射冲。
这种类型的终止也并不依赖于匹配的发送
线的特性阻抗，使得它是特别有用的，其中线
阻抗是未知或可变。终止该方法可以
时钟，数据，地址和控制线的控制的失真以及
提供了信号的抖动具有稳定作用。它也可以显著降低
功耗相比，基于标准的电阻与终止方法。
特点
保护从线到V
CC
和线对地
一个正向二极管的阈值电压钳位内
低正向电压，反向恢复
特征
双向低进可用的用“ -04 ”后缀（图2）
SOT- 23表面贴装封装的小脚印
包装
磁带&卷轴EIA标准481
7寸盘3000件
13英寸卷筒万件
最大额定值
工作温度： -55℃ + 125
存储温度： -55
0
C至+150
0
C
在T功耗
AMB
= 25
0
C是200毫瓦
连续正向电流在T
AMB
= 25
0
C是200毫安
浪涌正向电流在t
p
< 1秒，T
AMB
= 25
0
C是600毫安
0
0
机械
模压SOT- 23表面贴装
重量： 0.008克（近似值）
车身标有设备编号
每二极管@ 25电气特性
0
C除非另有说明
重复
反向峰值
电压
设备
TYPE
设备
科幻gure
记号
V
RRM
（伏）
典型值
BAS40
BAS40-04
BAS40-05
BAS40-06
BAS70
BAS70-04
BAS70-05
BAS70-06
43
44
45
46
73
74
75
76
1
2
3
4
1
2
3
4
40
40
40
40
70
70
70
70
V
（ BR ）R
（伏）
民
40
40
40
40
70
70
70
70
反向
击穿
电压
测试了
10μA脉冲
漏电流
脉冲测试
TP < 300μS @
对于BAS40
V
R
= 30 V
对于BAS70
V
R
= 50 V
I
R
（ nA的）
典型值
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
100
100
100
100
100
100
100
100
I
F
=1mA
380
380
380
380
410
410
410
410
1000
1000
1000
1000
I
F
= 15毫安我
F
=40mA
1000
1000
1000
1000
最大
5
5
5
5
5
5
5
5
最大
430
430
430
430
430
430
430
430
最大
5
5
5
5
2
2
2
2
正向电压脉冲测试
TP < 300μS
在我
F
= 1毫安
在我
F
= 40毫安
反向
恢复
从时间
I
F
= 10毫安
通过
I
R
= 10mA至
I
R
=1mA
t
rr
（纳秒）
热
阻力
结到
环境空气
电容
在V
R
= 0V
F = 1 MHz的
C
合计
V
F
（毫伏）
R
thJA
（K / W）
pF
MSC1380.PDF
ISO 9001认证
REV C 2000年2月2日
BAS40和BAS70
图1
图2
科幻gure 3
图4
包装外形
焊盘尺寸
MSC1380.PDF ISO 9001认证
REV C 2000年2月2日
BL
银河电子
表面贴装肖特基二极管
特点
低导通电压。
快速切换。
产品规格
BAS40/-04/-05/-06
Pb
LEAD -FREE
BAS40
BAS40-04
PN结保护环的瞬态和
ESD保护。
应用
高速开关应用。
电路保护。
电压钳位。
SOT-23
BAS40-05
BAS40-06
订购信息
型号
BAS40
BAS40-04
BAS40-05
BAS40-06
记号
43
44
45
46
封装代码
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
采用直流反接电压
正向连续电流
功耗
正向浪涌
热阻，结到环境空气
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
P
d
I
FSM
R
θJA
T
j
T
英镑
200
350
600
357
-55到+125
-65到+150
mA
mW
mA
℃/W
℃
℃
40
V
范围
单位
文件编号： BL / SSSKC029
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
表面贴装肖特基二极管
电气特性
@ TA = 25 ℃
特征
反向击穿电压
正向电压
反向漏电流
结电容
反向恢复时间
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
C
j
t
rr
民
40
-
-
-
-
典型值
-
-
20
4.0
-
产品规格
BAS40/-04/-05/-06
除非另有说明
最大
-
380
1000
200
5.0
5.0
单位
V
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
RS
= 10μA
t
P
<300μs,I
F
=1.0mA
t
P
<300μs,I
F
=40mA
t
P
<300μs,V
R
=30V
V
R
=0V,f=1.0MHz
I
F
=I
R
= 10mA至
I
R
=1.0mA,R
L
=100
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号： BL / SSSKC029
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
BL
银河电子
表面贴装肖特基二极管
包装外形
塑料表面贴装封装
产品规格
BAS40/-04/-05/-06
SOT-23
A
E
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
J
民
2.85
1.25
0.37
0.35
1.85
0.02
2.35
最大
2.95
1.35
0.43
0.48
1.95
0.1
2.45
K
B
1.0Typical
D
G
E
G
H
H
C
J
K
0.1Typical
尺寸：mm
焊接足迹
单位：mm
包装信息
设备
BAS40/-04/-05/-06
包
SOT-23
航运
3000/Tape&Reel
文件编号： BL / SSSKC029
Rev.A的
www.galaxycn.com
3
BL
银河电子
表面贴装肖特基二极管
特点
低导通电压。
快速切换。
产品规格
BAS40/-04/-05/-06
Pb
LEAD -FREE
BAS40
BAS40-04
PN结保护环的瞬态和
ESD保护。
应用
高速开关应用。
电路保护。
电压钳位。
SOT-23
BAS40-05
BAS40-06
订购信息
型号
BAS40
BAS40-04
BAS40-05
BAS40-06
记号
43
44
45
46
封装代码
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
采用直流反接电压
正向连续电流
功耗
正向浪涌
热阻，结到环境空气
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
P
d
I
FSM
R
θJA
T
j
T
英镑
200
350
600
357
-55到+125
-65到+150
mA
mW
mA
℃/W
℃
℃
40
V
范围
单位
文件编号： BL / SSSKC029
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
表面贴装肖特基二极管
电气特性
@ TA = 25 ℃
特征
反向击穿电压
正向电压
反向漏电流
结电容
反向恢复时间
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
C
j
t
rr
民
40
-
-
-
-
典型值
-
-
20
4.0
-
产品规格
BAS40/-04/-05/-06
除非另有说明
最大
-
380
1000
200
5.0
5.0
单位
V
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
RS
= 10μA
t
P
<300μs,I
F
=1.0mA
t
P
<300μs,I
F
=40mA
t
P
<300μs,V
R
=30V
V
R
=0V,f=1.0MHz
I
F
=I
R
= 10mA至
I
R
=1.0mA,R
L
=100
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号： BL / SSSKC029
Rev.A的
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2
BL
银河电子
表面贴装肖特基二极管
包装外形
塑料表面贴装封装
产品规格
BAS40/-04/-05/-06
SOT-23
A
E
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
J
民
2.85
1.25
0.37
0.35
1.85
0.02
2.35
最大
2.95
1.35
0.43
0.48
1.95
0.1
2.45
K
B
1.0Typical
D
G
E
G
H
H
C
J
K
0.1Typical
尺寸：mm
焊接足迹
单位：mm
包装信息
设备
BAS40/-04/-05/-06
包
SOT-23
航运
3000/Tape&Reel
文件编号： BL / SSSKC029
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BC846W
BR25L020FVJ-W
BU6654NUX
BCR20AM-12LA
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厂家
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22+
31323
原装原厂公司现货
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24+
68500
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原装进口正品现货，只做原装，长期供货
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