【硅肖特基二极管q通用二极管，高速开关q电路保护q电压钳位q高电平检测和混合BAS 40 ...可与C】,IC型号BAS40-,BAS40- PDF资料,BAS40-经销商,ic,电子元器件-51电子网

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硅肖特基二极管

q

通用二极管，高速开关

q

电路保护

q

电压钳位

q

高电平检测和混合

BAS 40 ...

可与CECC质量评估

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理注意事项！

TYPE

BAS 40

BAS 40-04

记号

43s

44s

订购代码引脚配置

（磁带和卷轴）

Q62702-D339

Q62702-D980

包

1)

SOT-23

BAS 40-05

45s

Q62702-D979

BAS 40-06

46s

Q62702-D978

1)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

半导体集团

1

5.91

BAS 40 ...

q

通用二极管，高速开关

q

电路保护

q

电压钳位

q

高电平检测和混合

可与CECC质量评估

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理注意事项！

TYPE

BAS 40-07

记号

47s

订购代码引脚配置

（磁带和卷轴）

Q62702-D1314

包

1)

SOT-143

每个二极管的最大额定值

参数

反向电压

正向电流

正向电流浪涌，

t

≤

10毫秒

总功耗

BAS 40

T

S

≤

81 C

BAS 40-04 ...

T

S

≤

55 C

结温

工作温度范围

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

BAS 40

BAS 40-04 ...

结 - 焊接点

BAS 40

BAS 40-04 ...

R

日JA

≤

345

≤

515

≤

275

≤

375

符号

V

R

I

F

I

FSM

P

合计

值

40

120

200

250

单位

V

mA

mW

T

j

T

op

T

英镑

150

– 55 … + 150

– 55 … + 150

C

K / W

R

日JS

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

2

BAS 40 ...

每二极管电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

击穿电压

I

R

= 10

A

反向电流

V

R

= 30 V

V

R

= 40 V

正向电压

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 40毫安

二极管电容

V

R

= 0,

f

= 1兆赫

载流子寿命

I

F

= 25毫安

微分正向电阻

I

F

= 10毫安，

f

= 10千赫

V

（ BR ）

I

R

–

–

V

F

–

–

–

C

T

τ

r

f

–

–

–

310

450

720

4

–

10

380

500

1000

5

100

–

pF

ps

–

–

1

10

mV

40

–

–

V

A

值

典型值。

马克斯。

单位

半导体集团

3

BAS 40 ...

每个二极管的特性

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

正向电流

I

F

=

f

(V

F

)

反向电流

I

R

=

f

(V

R

)

二极管电容

C

T

=

f

(V

R

)

f=

1兆赫

微分正向电阻

r

f

=

f

(I

F

)

f=

10千赫

半导体集团

4

BAS 40 ...

正向电流

I

F

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

半导体集团

5

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