SMD型
硅PIN二极管
BAR 63 ; BAR63-04
BAR 63-05 ; BAR63-06
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
二极管
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
对于RF信号的高速交换PIN二极管
低正向电阻
非常低电容
对于频率高达3 GHz的
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
V è RS电子V LTA克é
F RW一个道中④此吨
T O服务た升P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N
BAR63
T
S
80
T
S
55
T
op
T
s TG
P
给T
250
250
-5 5 + 1 5 0
-5 5 + 1 5 0
mW
S YM BOL
V
R
I
F
伏鲁é
50
100
加利IT
V
mA
B A R 6 3-0 4 -0 5 -0 6
P·Eラ锡克忒米P·EラTU重新RA N G - é
S到RA克éて米P·EラTU重新RA N G - é
加利 TIO N - 一个M B即N t个
BAR63
B A R 6 3-0 4 -0 5 -0 6
加利 TIO N - S 0劳工处电子凛克P 2 O在T
BAR63
B A R 6 3-0 4 -0 5 -0 6
N}÷ TE
1 。在1 5毫米P ackagemoun TE多纳露米
1 6 .7 m m
1)
R
日J A
450
540
K / W
R
第j个S
280
380
K / W
0 .7 m m
0-0.1
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1
BAR63...
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
二极管的反向电压
正向电流
总功耗
BAR63-02V ， -02W ， BAR63-03W ，
T
S
BAR63-04S,
T
S
115°C
105°C
待定
T
j
T
op
T
英镑
符号
R
thjs
符号
V
R
I
F
P
合计
118°C
115°C
55°C
价值
50
100
250
250
250
250
250
250
150
-55 ... 125
-55 ... 150
单位
V
mA
mW
BAR63-02L,
T
S
BAR63-04...BAR63-06,
T
S
BAR63-04W...BAR63-06W,
T
S
结温
工作温度范围
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BAR63-02L
BAR63-02V ， BAR63-02W
BAR63-03W
BAR63-04...BAR63-06
BAR63-04S
BAR63-04W...BAR63-06W
BAR63-07L4
1
为
BAR63-07L4,
T
S
°C
价值
125
单位
K / W
计算
R
thJA
请参考技术资料
2
140
155
380
180
180
待定
Jun-27-2003
BAR63...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
AC特性
二极管电容
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 0 V ， 100 MHz的... 1.8 GHz的
反向并联电阻
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1 GHz的
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz的
正向电阻
I
F
= 5毫安，
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安，
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安，
I
R
= 6毫安，测量
I
R
= 3毫安，
我区宽度
插入损耗
1)
I
F
= 1毫安，
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 5毫安，
f
= 1.8 GHz的
I
F
= 10毫安，
f
= 1.8 GHz的
隔离
1)
V
R
= 0 V,
f
= 0.9兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 1.8兆赫
V
R
= 0 V,
f
= 2.45 MHz的
|S
21
|
2
-
-
-
-17.9
-12.3
-10
-
-
-
载流子寿命
R
L
= 100
rr
单位
马克斯。
pF
典型值。
C
T
-
-
R
P
-
-
-
r
f
-
-
-
1.2
1
75
2
-
-
500
15
5
-
-
-
0.21
0.3
0.3
-
ns
W
I
|S
21
|
2
-
-
-
-
4.5
-0.15
-0.11
-0.1
-
-
-
-
m
dB
1
BAR63-02L
串联配置，
Z
= 50
4
Jun-27-2003
k
BAR 63 ...
硅PIN二极管
l
对于RF信号的高速交换PIN二极管
l
低正向电阻
l
非常低电容
l
对于频率高达3 GHz的
TYPE
BAR 63
BAR 63-04
BAR 63-05
BAR 63-06
记号
G3
G4
G5
G6
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-A1036
Q62702-A1037
Q62702-A1038
Q62702-A1039
引脚配置包
1
2
3
A
-
C
SOT-23
A
C
C / A
A
A
C/C
C
C
A/A
1)
最大额定值
参数
反向电压
正向电流
总功率耗散T
S
≤
80°C
BAR 63-04 ， -05 ， -06
T
S
≤
55°C
工作温度范围
存储温度范围
热阻
结到环境
BAR63
BAR 63-04 ， -05 ， -06
1)
符号
BAR 63
50
100
250
250
-55 +150°C
-55...+150°C
单位
V
mA
mW
°C
°C
V
R
I
F
P
合计
T
op
T
英镑
R
日JA
≤
450
≤
540
K / W
结焊接点
BAR64
BAR63-04,-05,-06
R
日JS
≤
280
≤
380
_________________________
1 ）包装安装在氧化铝仅为15mm× 16.7毫米X 0.7毫米
半导体集团
1
A01版， 95年2月23日
BAR 63 ...
电气特性
at
T
A
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
价值
典型值。
马克斯。
单位
DC特性
击穿电压
I
R
= 5
A
反向漏
V
R
= 20 V
正向电压
I
F
= 100毫安
二极管电容
V
R
= 0 V,
f
= 100兆赫
二极管电容
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
正向电阻
I
F
= 5毫安，
f
= 100兆赫
I
F
= 10毫安，
f
= 100兆赫
载流子寿命
I
F
= 10毫安，
I
R
= 6毫安，
I
R
= 3毫安
串联电感
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*T
S
)
BAR63
V
（ BR ）
50
-
-
0.95
0.3
0.21
1.2
1
75
1.4
-
V
nA
-
50
V
-
1.2
pF
-
-
pF
-
0.3
-
-
2
-
ns
-
-
-
-
nH
I
R
V
F
C
T
C
T
r
f
τ
s
L
s
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*T
S
)
按每个二极管BAR63-04 ， -05 ， -06
mA
mA
T
S
I
F
T
A
T
S
I
F
T
A
T
S
T
A
T
S
T
A
半导体集团
2
A01版， 95年2月23日
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