SPICE模型： BC847AT BC857BT BC857CT
Pb
LEAD -FREE
BC857AT ， BT ， CT
PNP小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
·
·
外延片建设
可提供互补NPN类型
（ BC847AT ， BT ， CT ）
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS （注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
顶视图
B C
E
G
H
K
M
A
C
SOT-523
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
D
L
民
0.15
0.75
1.45
0.90
1.50
0.00
0.60
0.10
0.10
0.45
0°
最大
0.30
0.85
1.75
1.10
1.70
0.10
0.80
0.30
0.20
0.65
8°
典型值
0.22
0.80
1.60
0.50
1.00
1.60
0.05
0.75
0.22
0.12
0.50
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 523
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
终端连接：见图
标识代码（见下表&图第2页）
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.002克（近似值）
J
B
M
N
a
尺寸：mm
TYPE
BC857AT
BC857BT
BC857CT
记号
3V
3W
3G
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
-50
-45
-5.0
-100
150
833
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
DS30275牧师8 - 2
1第3
www.diodes.com
BC857AT ， BT ， CT
Diodes公司
电气特性
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
电流增益
B
C
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
f
T
C
OB
NF
民
-50
-45
-5
125
220
420
—
—
—
-600
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
—
290
520
—
—
-700
-900
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
250
475
800
-300
-650
—
—
-750
-820
-15
-4.0
—
4.5
10
单位
V
V
V
—
mV
mV
mV
NA
A
兆赫
pF
dB
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA ，
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的
I
C
= -0.2mA ，V
CE
= -5.0Vdc ，
R
S
= 2.0KW ， F = 1.0KHz ，
BW = 200Hz的
集电极 - 基极击穿电压（注3 ）
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
发射极 - 基极击穿电压（注3 ）
DC电流增益（注3）
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
基射极饱和电压（注3 ）
基射极电压（注3 ）
集电极截止电流（注3 ）
增益带宽积
输出电容
噪声系数
注意事项：
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
订购信息
设备
BC857AT-7-F
BC857BT-7-F
BC857CT-7-F
注意事项：
（注4 ）
包装
SOT-523
SOT-523
SOT-523
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
4.包装：去我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXYM
日期代码的关键
YEAR
CODE
1998
J
MONTH
CODE
1999
K
JAN
1
2000
L
2001
M
FEB
2
2002
N
三月
3
2003
P
APR
4
XX =产品型号标识代码（见第1页） ，例如3V = BC857AT
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
2004
R
五月
5
2005
S
JUN
6
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
DS30275牧师8 - 2
2 3
www.diodes.com
BC857AT ， BT ， CT
250
P
D
，功耗（毫瓦）
0.5
V
CE （ SAT ）
，集电极到发射极
饱和电压（ V）
I
C
I
B
= 10
200
0.4
150
0.3
100
0.2
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
50
0.1
T
A
= -50°C
0
0.1
1
10
100
1000
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，最大功耗与
环境温度
1000
T
A
= 150°C
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2集电极发射极饱和电压
与集电极电流
1000
f
t
，增益带宽积（兆赫）
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
h
FE
，直流电流增益
100
T
A
= 25°C
T
A
= -50°C
100
10
1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3 ，直流电流增益与集电极电流
10
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4 ，增益带宽积VS集电极电流
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30275牧师8 - 2
3 3
www.diodes.com
BC857AT ， BT ， CT
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大65V）时。
应用
通用开关和放大，特别是
在便携式设备。
描述
PNP晶体管的SC- 75 （ SOT416 ）塑料封装。
NPN补充： BC846T ; BC847T系列。
记号
类型编号
BC856AT
BC856BT
BC857AT
BC857BT
BC857CT
标识代码
3A
3B
3E
3F
3G
Fig.1
手册， halfpage
BC856T ; BC857T
系列
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
1
顶视图
2
2
MAM362
简化外形（ SC- 75 ; SOT416 ）和
符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BC856AT ; BC856BT
BC857AT ; BC857BT ; BC857CT
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC856AT ; BC856BT
BC857AT ; BC857BT ; BC857CT
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
65
45
5
100
200
100
150
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
80
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
2000年11月15
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
条件
参数
从结点到环境的热阻
BC856T ; BC857T系列
条件
在自由空气中;注1
价值
833
单位
K / W
分钟。
125
220
420
典型值。
马克斯。
15
5
100
250
475
800
200
400
700
770
2.5
10
单位
nA
μA
nA
集电极 - 基极截止电流V
CB
=
30
V ;我
E
= 0
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
发射极截止电流
直流电流增益
BC856AT ; BC857AT
BC856BT ; BC857BT
BC857CT
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
2
mA
V
CESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
记
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪声系数
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
V
CB
=
10
V ; F = 1兆赫;我
E
= i
e
= 0
V
EB
=
0.5
V ; F = 1兆赫;我
C
= i
c
= 0
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V;
F = 100 MHz的
I
C
=
200 μA;
V
CE
=
5
V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
580
100
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
10
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
2000年11月15
3
BC856T系列
BC857T系列
表面贴装
PNP硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体BC856T和
BC857T系列类型PNP硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
在一个表面贴装模压封装，专为
通用开关和放大器应用。
标记验证码：看标识代码表
下页
SOT- 523案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BC857T
50
45
BC856T
80
65
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
5.0
100
200
100
250
-65到+150
500
电气特性：
（ TA = 25℃ ，除非
符号
测试条件
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB = 30V ， TA = 150℃
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC = 10μA （ BC857T ）
BVCBO
IC = 10μA （ BC856T ）
BVCEO
IC = 10毫安（ BC857T ）
BVCEO
IC = 10毫安（ BC856T ）
BVEBO
IE=10μA
VCE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 0.5毫安
VCE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 5.0毫安
VBE （ON）的
IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V
VBE （ON）的
IC = 10毫安， VCE = 5.0V
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
Cc
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
Ce
VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
NF
VCE = 5.0V ， IC = 200μA ，
RS = 2.0KΩ ， F = 1.0KHz ， BW = 200Hz的
另有说明）
民
典型值
最大
15
5.0
100
50
80
45
65
5.0
0.20
0.40
0.70
0.77
2.5
10
10
BC856BT
BC857BT
民
最大
220
475
0.58
100
单位
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
dB
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安
BC856AT
BC857AT
民
最大
125
250
BC857CT
民
最大
420
800
R1 （ 2009年20月）
BC856T系列
BC857T系列
表面贴装
PNP硅晶体管
SOT - 523案例 - 机械外形
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
设备
BC856AT
BC856BT
BC857AT
BC857BT
BC857CT
标识代码
GT6
GT7
GT8
GT9
GT0
R1 （ 2009年20月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BC857AT ， BT ， CT
特点
外延片建设
对于开关和AF放大器应用
无铅涂层/符合RoHS标准（ "P"Suffix候
兼容。参见订购信息）
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
功耗
工作结温
储存温度
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -10mA ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= -10uA ，我
B
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
E
= -1uA ，我
C
=0)
集电极截止电流（
V
CB
= -30V)
直流电流增益
电流增益
(V
CE
=-5.0V,I
C
=-2.0mA
)
B
C
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA ）
(
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0毫安）
基射极饱和电压
(I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA ）
(I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA ）
基射极电压
(V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA ）
(V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA ）
NF
(I
C
= -0.2mA ，V
CE
= -5.0V ，R
S
=
2.0K ， F = 1.0KHz ， BW = 200Hz时）
跃迁频率
(V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA ， F = 100MHz时）
输出电容
(V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的）
民
-45
-50
-6
---
125
220
420
---
---
---
---
-600
---
等级
-45
-50
-6.0
-100
150
-55到+150
-55到+150
典型值
---
---
---
---
---
---
---
---
---
-700
-900
---
---
最大
---
---
---
-15
250
475
800
-300
-650
---
---
-750
-820
单位
V
V
V
mA
mW
PNP小信号
表面贴装
晶体管
SOT-523
A
D
最大额定值@ 25
O
C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
d
T
J
T
英镑
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
C
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
单位
V
V
V
nA
---
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
英寸
民
最大
.059
.067
.030
.033
.057
.069
0.020名义
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
G
K
E
B
C
B
E
H
J
V
CE（
SAT
)
mV
V
BE （ SAT ）
mV
V
BE（上）
MM
民
最大
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
记
mV
噪音
科幻gure
---
---
10
dB
f
T
C
oB
100
---
---
---
---
4.5
兆赫
pF
分类h及
FE
秩
记号
AT
3E
BT
3F
CT
3G
修改：
A
www.mccsemi.com
1作者：
3
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel ：
3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
修改：
A
www.mccsemi.com
3
of
3
2011/01/01
BC857AT ， BT ， CT
PNP小信号表面贴装晶体管
特点
新产品
·
·
·
外延片建设
可提供互补NPN类型
（ BC847AT ， BT ， CT ）
超小型表面贴装封装
SOT-523
A
C
暗淡
A
B
C
B C
E
民
0.15
0.75
1.45
0.90
1.50
0.00
0.60
0.10
0.10
0.45
0°
最大
0.30
0.85
1.75
1.10
1.70
0.10
0.80
0.30
0.20
0.65
8°
典型值
0.22
0.80
1.60
0.50
1.00
1.60
0.05
0.75
0.22
0.12
0.50
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 523 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
终端连接：见图
重0.002克数（大约）
标识代码（见下表&图
第2页）
订购&日期代码信息：参见第2页
TYPE
BC857AT
BC857BT
BC857CT
记号
3V
3W
3G
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
B
顶视图
D
G
H
J
M
G
H
K
K
L
M
a
N
a
J
D
L
尺寸：mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功率耗散（注1 ）
特征
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
-50
-45
-5.0
-100
150
833
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，可以在ourwebsite找到在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
DS30275修订版2 - 2
1 2
BC857AT ， BT ， CT
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
电流增益
B
C
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
f
T
C
OB
NF
民
-50
-45
-5
125
220
420
—
—
—
-600
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
—
290
520
—
—
-700
-900
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
250
475
800
-300
-650
—
—
-750
-820
-15
-4.0
—
4.5
10
单位
V
V
V
—
mV
mV
mV
NA
A
兆赫
pF
dB
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA ，
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的
I
C
= -0.2mA ，V
CE
= -5.0Vdc ，
R
S
= 2.0KW ， F = 1.0KHz ，
BW = 200Hz的
新产品
特征
集电极 - 基极击穿电压（注2 ）
集电极 - 发射极击穿电压（注2 ）
发射极 - 基极击穿电压（注2 ）
DC电流增益（注2）
集电极 - 发射极饱和电压（注2 ）
基射极饱和电压（注2 ）
基射极电压（注2 ）
集电极截止电流（注2 ）
增益带宽积
输出电容
噪声系数
订购信息
设备
BC857AT-7
BC857BT-7
BC857CT-7
注意事项：
（注3）
包装
SOT-523
SOT-523
SOT-523
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
3.对于包装细节：去ourwebsite在http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XX =产品型号标识代码（见第1页） ，例如3V = BC857AT
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
XXYM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
FEB
2
1999
K
三月
3
2000
L
APR
4
2001
M
五月
5
JUN
6
2002
N
JUL
7
八月
8
2003
P
SEP
9
十月
O
2004
R
NOV
N
DEC
D
DS30275修订版2 - 2
2 2
BC857AT ， BT ， CT
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大65V）时。
应用
通用开关和放大特
在便携式设备。
描述
PNP型晶体管中的SC- 75的塑料封装。
NPN补充： BC846T和BC847T 。
记号
TYPE
数
BC856AT
BC856BT
BC857AT
记号
CODE
3A
3B
3E
TYPE
数
BC857BT
BC857CT
记号
CODE
3F
3G
手册， halfpage
BC856T ; BC857T
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
1
顶视图
2
2
MAM362
Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BC856AT ; BC856BT
BC857AT ; BC857BT ; BC857CT
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC856AT ; BC856BT
BC857AT ; BC857BT ; BC857CT
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
65
45
5
100
200
100
150
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
80
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月26日
2
QQ：2880707522 复制
