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陶瓷瞬态电压抑制器
SMD多层压敏电阻, E系列
系列/型号:
订购代码:
发布日期:
版本:
CT0805K11G
B72510E0110K062
2012-02-15
1
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修改/备注:
PPD ML PD
2012-02-15
1
神父。博士Mandoky ,洛瓦斯
Dernovsek博士
小时。 Schlauer
xxxx
xxxx
xxxx
xxxx
陶瓷瞬态电压抑制器
SMD多层压敏电阻, E系列
B72510E0110K062
CT0805K11G
EPCOS AG 2012.复制,出版和传播本出版物,本协议罩和信息
所载没有爱普科斯事先明确同意,是禁止的。
陶瓷瞬态电压抑制器
SMD多层压敏电阻, E系列
B72510E0110K062
CT0805K11G
描述
E系列多层陶瓷压敏电阻已发展到保护汽车
对瞬态过电压,静电放电,浪涌电子电路
电流。
特点
可靠的ESD保护可达30千伏ACC 。符合IEC 61000-4-2
高能量吸收能力
低漏电流
没有温度降额可达150℃
高续航时间的鲁棒性
稳定的保护级别
符合RoHS标准,无铅
合格的基于AEC- Q200
用PSpice仿真模型
标识系统
CT
0805
K
11
G
芯片
三层终止
(银/镍/锡)
该装置的尺寸
08
x
05
(长度×宽度在1/100英寸)的
压敏电压的允许误差(± 10 % )
最大RMS工作电压
录音版本,纸板胶带, 7"卷轴( 3000件/卷)
PPD ML PD
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陶瓷瞬态电压抑制器
SMD多层压敏电阻, E系列
B72510E0110K062
CT0805K11G
电气数据
马克斯。工作电压
RMS电压
直流电压
压敏电压( @ 1毫安, 25 ° C)
最大漏电流( @ 14 V, 25℃)下
最大钳位电压( @ 1 )
最大平均功耗
最大浪涌电流( 8/20微秒)
最大能量吸收(2毫秒)
电容( @ 1 kHz时, 1 V , 25°C典型值)
响应时间
工作温度
储存温度(安装部分)
V
RMS
V
DC
= 11 V
= 14 V
V
V
= 16.2 … 19.8 V
I
漏,最大
= 20 A
V
钳,最大
= 35 V
P
迪斯,最大
I
浪涌,最大
W
最大
C
典型值
= 5毫瓦
= 1 ×120一
= 200毫焦耳
= 400 pF的
<0.5 NS
–55 ... +150 °C
–55 ... +150 °C
PPD ML PD
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陶瓷瞬态电压抑制器
SMD多层压敏电阻, E系列
B72510E0110K062
CT0805K11G
的V / I特性
200
V
v
100
80
60
40
VAR9083B
20
10
8
6
4
2
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
i
A 10
2
降额曲线
10
i
最大
2
10
5
1x
2
10
2
10 3 10
5 4
10 10
6
10
3
i
t
r
最大
A
1
10
5
10
0
5
10
-1
10
5
100
5
1000
5 s
10000
t
r
PPD ML PD
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陶瓷瞬态电压抑制器
SMD多层压敏电阻, E系列
B72510E0110K062
CT0805K11G
温度降额
对在规定的额定值
I
最大
, I
浪涌,最大
和P
迪斯,最大
是有效的高达150 ℃。
对于运行在150℃以上,我们推荐下面的降额。
尺寸图
w
h
k
MLV0031-M
尺寸(mm)
表壳尺寸
0805
l
2.0 ±0.20
w
1.25 ±0.15
h
1.4最大。
k
0.13 … 0.75
推荐的焊盘布局
A
尺寸(mm)
表壳尺寸
0805
C
A
1.40
B
1.20
C
1.00
MLV0034-P
PPD ML PD
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B
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