BAV 99S
硅开关二极管阵列
对于高速开关应用
串联
内部(电)隔离二极管
在一个封装中
4
5
6
2
1
3
VPS05604
TYPE
BAV 99S
订购代码标识
A7s
Q62702-A1277
引脚配置
包
1/4 = A1 = 2/5 C2 3/6 = C1 / A2 SOT- 363
最大额定值
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
正向电流
正向电流浪涌, T = 1
s
总功耗,
T
S
= 85 °C
结温
储存温度
符号
价值
70
70
200
4.5
250
150
65 ...+150
mA
A
mW
°C
单位
V
V
R
V
RM
I
F
I
FS
P
合计
T
j
T
英镑
热阻
结 - 环境
1)
R
thJA
R
thjs
≤
530
≤
260
K / W
结 - 焊接点
1 )包装安装在环氧印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5平方厘米铜
半导体集团
半导体集团
1
1
Apr-27-1998
1998-11-01
BAV99系列
高速开关二极管
牧师07 - 2010年4月14日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
高速开关二极管,封装在小型表面贴装器件( SMD )
塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BAV99
BAV99S
BAV99W
SOT23
SOT363
SOT323
JEITA
-
SC-88
SC-70
JEDEC
TO-236AB
-
-
双系列
四倍; 2系列
双系列
CON组fi guration
包
CON组fi guration
小
非常小
非常小
类型编号
1.2特点和优点
高开关速度:吨
rr
≤
4纳秒
低漏电流
小型SMD塑料封装
低电容:C
d
≤
1.5 pF的
反向电压: V
R
≤
100 V
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
高速开关
通用开关
反极性保护
1.4快速参考数据
表2中。
符号
每二极管
I
R
V
R
t
rr
[1]
快速参考数据
参数
反向电流
反向电压
反向恢复时间
[1]
条件
V
R
= 80 V
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
0.5
100
4
单位
μA
V
ns
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
Ω;
测量我
R
= 1毫安。
恩智浦半导体
BAV99系列
高速开关二极管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
每二极管
V
RRM
V
R
I
F
反向重复峰值
电压
反向电压
正向电流
BAV99
BAV99S
BAV99W
I
FRM
I
FSM
正向重复峰值
当前
非重复性峰值
正向电流
方波
t
p
= 1
μs
t
p
= 1毫秒
t
p
= 1 s
P
合计
总功耗
BAV99
BAV99S
BAV99W
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[1][4]
[3]
[1]
[2]
[1]
[1]
[2]
参数
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
100
100
215
125
200
150
130
500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
-
-
-
-
[5]
4
1
0.5
250
250
200
150
+150
+150
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
T
AMB
≤
85
°C
T
AMB
≤
25
°C
-
-
-
65
65
结温
环境温度
储存温度
单二极管装。
双二极管装。
T
j
= 25
°C
前激增。
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
焊接点在引脚2 ,3,5和6 。
BAV99_SER_7
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产品数据表
牧师07 - 2010年4月14日
3 14
恩智浦半导体
BAV99系列
高速开关二极管
6.热特性
表7中。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
从热阻
结到环境
BAV99
BAV99W
R
日(J -SP )
从热阻
结点到焊点
BAV99
BAV99S
BAV99W
[1]
[2]
[3]
单二极管装。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
焊接点在引脚2 ,3,5和6 。
[3]
条件
在自由空气
[1][2]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
500
625
K / W
K / W
-
-
-
-
-
-
360
260
300
K / W
K / W
K / W
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
I
R
反向电流
V
R
= 25 V
V
R
= 80 V
V
R
= 25 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 80 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
V
FR
[1]
[2]
参数
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[1]
[2]
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
715
855
1
1.25
30
0.5
30
50
1.5
4
1.75
单位
mV
mV
V
V
nA
μA
μA
μA
pF
ns
V
二极管电容
反向恢复时间
正向恢复电压
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
Ω;
测量我
R
= 1毫安。
从我开机时,
F
= 10毫安;牛逼
r
= 20纳秒。
BAV99_SER_7
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产品数据表
牧师07 - 2010年4月14日
4 14
BAV99S
250mW的高速开关阵列
小信号二极管
电气特性
类型编号
反向击穿电压
I
R
= 2.5μA
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 75毫安
VR = 0 , F = 1.0MHz的
符号
V
( BR )
民
75
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
0.715
0.855
1.000
1.200
1.250
1
1.5
4
单位
V
正向电压
V
F
V
反向漏电流
结电容
反向恢复时间(注2 )
I
R
C
J
TRR
uA
pF
ns
注:2 。反向恢复测试条件: I = I = 10毫安, R = 100Ω
磁带&卷轴规格
TSC标签
项
顶盖带
符号
A
B
C
d
D
D1
D2
E
F
P0
P1
T
W
W1
Carieer胶带
任何额外的标签(如果需要)
P0
d
T
A
C
B
F
W
P1
E
载波宽度
载体长度
运营商深度
链轮孔
卷筒外径
卷内径
进料孔宽
Sprocke孔位
打孔的位置
Sprocke孔距
浮雕中心
总体胶带厚度
胶带宽度
卷筒宽度
维
(mm)
3.15 ±0.10
2.77 ±0.10
1.22 ±0.10
1.50 ± 0.10
178 ± 1
55敏
13.0 ± 0.20
1.75 ±0.10
3.50 ±0.05
4.00 ±0.10
2.00 ±0.05
0.229 ±0.013
8.10 ±0.20
12.30 ±0.20
W1
D
D2
D1
进给方向
版本: B11
BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
表面贴装开关二极管
电压
特点
·快速开关速度。
表面贴装型封装非常适合自动插入
高电导率
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
100伏
动力
200mWatts
机械数据
案例: SOT -363 ,塑料
终端:每MIL -STD- 750 ,方法2026焊性
重量:约0.006克
最大额定值和电气特性
25评分
O
C环境温度,除非另有规定。对于容性负载,减免电流20 % 。
参数
标识代码
反向电压
峰值反向电压
整流电流(平均值) ,半波整流
阻性负载和f>50Hz
峰值正向浪涌电流, 1.0
s
功率耗散减免上述25
O
C
符号
-
V
R
V
RM
I
O
I
FS M
P
合计
BAS16TW
16T
BAW56DW
JC
75
100
150
4.0
200
0.715@I
F
=0.001A
0.855@I
F
=0.01A
1.0@I
F
=0.05A
1.25@I
F
=0.15A
0.03
2.5
1.5
4.0
625
-55到+150
Fig.48
Fig.51
Fig.52
Fig.32
O
BAV70DW
JA
BAV99S
JB
单位
-
V
V
mA
A
mW
最大正向电压
最大DC反向电流在25V
75V
最大结电容(注1 )
最大反向恢复时间(注2 )
典型热阻
结温范围
线路图
V
F
V
I
R
C
J
T
RR
R
θ
JA
T
J
A
pF
ns
C / W
O
C
注: 1,反向偏置电压= 0 F = 1MHz的
2. I
F
= 10mA至我
R
=为1mA。 V
R
= 6V 。负载= 100Ω
REV.0.0-JAN.6.2009
PAGE 。 1
BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
1000
10
T
J
= 125 C
O
正向电流,为m的
100
Reve酒店RSE币种耳鼻喉科,
m
A
1.0
10
0.1
T
J
= 75 C
O
1
0.01
T
J
= 25 C
0 .0 0 1
O
0 .1
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1 .0
1 .2
1 .4
0
20
40
60
80
100
正向电压,伏
图1 - 典型正向特性
反向电压,伏
图2 - 典型的反向特性
P
D
,鲍威 Dissip ATION ,MW
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
环境温度(
o
C)
图3 ,功耗降低曲线
6
5
4
6
5
4
6
5
4
6
5
4
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
Fig.48
REV.0.0-JAN.6.2009
Fig.51
Fig.52
Fig.32
PAGE 。 2
BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 10K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改,恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保,声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
REV.0.0-JAN.6.2009
PAGE 。 3
BAV99S
电压
85伏
当前
200毫安
高速开关二极管阵列
该设备配有两对高速开关二极管连接
在系列中,其中两个双电分离,将提供极低的
电容, minmizing在数据传输线的插入损耗。
特点
取1.5pF的电容最大
最大泄漏电流2.5
A
70V的反向击穿电压
轨到轨ESD保护
过冲和下冲的切换控制
手机及配件
视频游戏机连接器端口
无铅产品可供选择: 99 %以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
机械数据
案例: SOT- 363模压塑料
码头:每MIL -STD- 202G ,方法208铅焊。
最大额定值
(每二极管)T
J
= 25
O
C,除非另有说明
等级
最大repetitve峰值反向电压
连续反向电压
连续的正向电压
非repetitve峰值正向电流, T = 1
秒,
Tj=25
O
方波
总功率dissioation , TJ = 85
O
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FSM
价值
85
75
200
4.5
单位
V
V
mA
A
C
P
合计
250
mW
工作结温范围
T
J
-50至+ 150
O
C
存储温度范围
T
英镑
-50至+ 150
O
C
焊接温度, T最大= 10秒
T
L
260
O
C
REV.0-MAR.26.2005
PAGE 。 1
BAV99S
电压
85伏
当前
200毫安
高速开关二极管阵列
该设备配有两对高速开关二极管连接
在系列中,其中两个双电分离,将提供极低的
电容, minmizing在数据传输线的插入损耗。
特点
取1.5pF的电容最大
最大泄漏电流2.5
A
70V的反向击穿电压
轨到轨ESD保护
过冲和下冲的切换控制
手机及配件
视频游戏机连接器端口
无铅产品可供选择: 99 %以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
机械数据
案例: SOT- 363模压塑料
码头:每MIL -STD- 202G ,方法208铅焊。
最大额定值
(每二极管)T
J
= 25
O
C,除非另有说明
等级
最大repetitve峰值反向电压
连续反向电压
连续的正向电压
非repetitve峰值正向电流, T = 1
秒,
Tj=25
O
方波
总功率dissioation , TJ = 85
O
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FSM
价值
85
75
200
4.5
单位
V
V
mA
A
C
P
合计
250
mW
工作结温范围
T
J
-50至+ 150
O
C
存储温度范围
T
英镑
-50至+ 150
O
C
焊接温度, T最大= 10秒
T
L
260
O
C
REV.0-MAR.26.2005
PAGE 。 1