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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第477页 > BAV99S
BAV99...
硅开关二极管
对于高速开关应用
系列对配置
BAV99
BAV99F
BAV99T
BAV99W
3
BAV99S
BAV99U
6
5
4
D 3
D 1
D 2
D 1
D 2
D 4
1
2
1
2
3
TYPE
BAV99
BAV99F*
BAV99S
BAV99T
BAV99U
BAV99W
*初步
SOT23
TSFP-3
SOT363
SC75
SC74
SOT323
CON组fi guration
系列
系列
双系列
系列
双系列
系列
记号
A7s
A7s
A7s
A7s
A7s
A7s
1
Mar-10-2004
BAV99...
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
正向电流
非重复性峰值浪涌正向电流
t
= 1 s
t
= 1毫秒
t
= 1秒,单
t
= 1秒,双
总功耗
BAV99,
T
S
28°C
BAV99F,
T
S
待定
BAV99S,
T
S
85°C
BAV99T,
T
S
104°C
BAV99U,
T
S
113°C
BAV99W,
T
S
110°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
P
合计
330
250
250
250
250
250
150
-65 ... 150
°C
符号
V
R
V
RM
I
F
I
FSM
4.5
1
0.5
0.75
mW
价值
80
85
200
mA
A
单位
V
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BAV99
BAV99F
BAV99S
BAV99T
BAV99U
BAV99W
1
符号
R
thjs
价值
360
待定
260
185
150
160
单位
K / W
计算
R
thJA请参考应用笔记热阻
2
Mar-10-2004
BAV99...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
85
-
-
V
击穿电压
V
( BR )
I
( BR )
= 100 A
反向电流
V
R
= 70 V
V
R
= 25 V,
T
A
= 150 °C
V
R
= 70 V,
T
A
= 150 °C
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 150毫安
V
F
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
715
855
1000
1200
1250
I
R
-
-
-
-
-
-
0.15
30
50
mV
A
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
-
-
1.5 pF的
二极管电容
C
T
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向恢复时间
I
F
= 10毫安,
I
R
= 10 mA时,测定
I
R
= 1mA时,
R
L
= 100
反向恢复时间测试电路
D.U.T.
t
rr
-
-
4
ns
脉冲发生器:
t
p
= 100ns的,
D
= 0.05,
t
r
= 0.6ns ,
R
i
= 50
示波器
Ι
F
示波器:
R
= 50,
t
r
= 0.35ns
EHN00019
C
1pF
3
Mar-10-2004
BAV99...
反向电流
I
R
=
(T
A
)
V
R
=参数
10
5
nA
正向电压
V
F
=
(T
A
)
I
F
=参数
1.0
BAV 99
EHB00078
V
F
10
4
V
Ι
F
= 100毫安
I
R
10毫安
10
3
0.5
70 V
25 V
1毫安
0.1毫安
10
2
10
1
0
25
50
75
100
°C
150
0
T
A
0
50
100
C
T
A
150
正向电流
I
F
=
(V
F
)
T
A
= 25°C
BAV 99
EHB00076
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAV99
250
mA
150
Ι
F
mA
200
175
100
I
F
150
125
100
典型值
最大
50
75
50
25
0
0
0.5
1.0
V
V
F
1.5
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
4
Mar-10-2004
BAV99...
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAV99S
250
mA
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAV99T
250
mA
200
175
200
175
I
F
150
125
100
75
50
25
0
0
90 105 120
°C
I
F
150
125
100
75
50
25
0
0
90 105 120
°C
15
30
45
60
75
150
15
30
45
60
75
150
T
S
T
S
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAV99U
250
mA
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAV99W
250
mA
200
175
200
175
I
F
150
125
100
75
50
25
0
0
90 105 120
°C
I
F
150
125
100
75
50
25
0
0
90 105 120
°C
15
30
45
60
75
150
15
30
45
60
75
150
T
S
T
S
5
Mar-10-2004
BAV 99S
硅开关二极管阵列
对于高速开关应用
串联
内部(电)隔离二极管
在一个封装中
4
5
6
2
1
3
VPS05604
TYPE
BAV 99S
订购代码标识
A7s
Q62702-A1277
引脚配置
1/4 = A1 = 2/5 C2 3/6 = C1 / A2 SOT- 363
最大额定值
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
正向电流
正向电流浪涌, T = 1
s
总功耗,
T
S
= 85 °C
结温
储存温度
符号
价值
70
70
200
4.5
250
150
65 ...+150
mA
A
mW
°C
单位
V
V
R
V
RM
I
F
I
FS
P
合计
T
j
T
英镑
热阻
结 - 环境
1)
R
thJA
R
thjs
530
260
K / W
结 - 焊接点
1 )包装安装在环氧印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5平方厘米铜
半导体集团
半导体集团
1
1
Apr-27-1998
1998-11-01
BAV 99S
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
击穿电压
典型值。
-
马克斯。
-
单位
V
( BR )
V
F
70
V
mV
I
( BR )
= 100 A
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
反向电流
-
-
-
-
-
-
-
-
-
715
855
1000
1250
2.5
A
nA
I
R
I
R
-
V
R
= 70 V
反向电流
V
R
= 25 V,
T
A
= 150 °C
V
R
= 70 V,
T
A
= 150 °C
AC特性
二极管电容
-
-
-
-
30
50
C
D
t
rr
-
-
-
-
1.5
6
pF
ns
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向恢复时间
I
F
= 10毫安,
I
R
= 10毫安,
R
L
= 100
,
在测
I
R
= 1毫安
反向恢复时间测试电路
D.U.T.
Ι
F
示波器
EHN00019
脉冲发生器:
t
p
= 100ns的,
D
= 0.05,
t
r
= 0.6ns ,
R
i
= 50
示波器:
R
= 50,
t
r
= 0.35ns ,
C
1pF
半导体集团
半导体集团
2
2
Apr-27-1998
1998-11-01
BAV 99S
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
正向电流
I
F
=
F V
F
)
T
A
= 25°C
BAV 99
EHB00076
300
1
150
mA
Ι
F
mA
I
F
200
100
T
S
150
典型值
最大
T
A
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
0
0
0.5
1.0
V
1.5
T
A
,T
S
V
F
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F(T
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
F(T
p
)
10
3
10
2
K / W
I
FMAX
/
I
FDC
-
R
thjs
10
2
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
半导体集团
半导体集团
3
3
Apr-27-1998
1998-11-01
BAV 99S
正向电压
V
F
=
f
(T
A
)
反向电流
I
R
=
f
(T
A
)
1.0
BAV 99
EHB00078
V
F
V
Ι
F
= 100毫安
Ι
R
10
nA
5
BAV 99
EHB00075
V
R
= 70 V
10
4
10毫安
1毫安
0.1毫安
5
马克斯。
70V
0.5
10
3
5
25 V
10
2
5
典型值。
0
0
50
100
C
T
A
150
10
1
0
50
100
C
150
T
A
半导体集团
半导体集团
4
4
Apr-27-1998
1998-11-01
BAV99系列
高速开关二极管
牧师07 - 2010年4月14日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
高速开关二极管,封装在小型表面贴装器件( SMD )
塑料封装。
表1中。
产品概述
恩智浦
BAV99
BAV99S
BAV99W
SOT23
SOT363
SOT323
JEITA
-
SC-88
SC-70
JEDEC
TO-236AB
-
-
双系列
四倍; 2系列
双系列
CON组fi guration
CON组fi guration
非常小
非常小
类型编号
1.2特点和优点
高开关速度:吨
rr
4纳秒
低漏电流
小型SMD塑料封装
低电容:C
d
1.5 pF的
反向电压: V
R
100 V
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
高速开关
通用开关
反极性保护
1.4快速参考数据
表2中。
符号
每二极管
I
R
V
R
t
rr
[1]
快速参考数据
参数
反向电流
反向电压
反向恢复时间
[1]
条件
V
R
= 80 V
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
0.5
100
4
单位
μA
V
ns
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
Ω;
测量我
R
= 1毫安。
恩智浦半导体
BAV99系列
高速开关二极管
2.管脚信息
表3中。
1
2
3
钉扎
描述
阳极(二极管1 )
阴极(二极管2 )
阴极(二极管1) ,
阳极(二极管2 )
1
2
006aaa144
简化的轮廓
图形符号
BAV99 ; BAV99W
3
3
1
2
006aaa763
BAV99S
1
2
3
4
5
6
阳极(二极管1 )
阴极(二极管2 )
阴极(二极管3)
阳极(二极管4 )
阳极(二极管3 )
阴极(二极管4 )
阴极(二极管1) ,
阳极(二极管2 )
1
2
3
1
2
3
006aab101
6
5
4
6
5
4
3.订购信息
表4 。
订购信息
名字
BAV99
BAV99S
BAV99W
-
SC-88
SC-70
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
SOT363
SOT323
类型编号
4.标记
表5 。
BAV99
BAV99S
BAV99W
[1]
* = - :香港制造
* = P :香港制造
* = T:在马来西亚
* = W :中国制造
标记代码
标识代码
[1]
A7*
K1*
A7*
类型编号
BAV99_SER_7
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2010年4月14日
2 14
恩智浦半导体
BAV99系列
高速开关二极管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
每二极管
V
RRM
V
R
I
F
反向重复峰值
电压
反向电压
正向电流
BAV99
BAV99S
BAV99W
I
FRM
I
FSM
正向重复峰值
当前
非重复性峰值
正向电流
方波
t
p
= 1
μs
t
p
= 1毫秒
t
p
= 1 s
P
合计
总功耗
BAV99
BAV99S
BAV99W
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[1][4]
[3]
[1]
[2]
[1]
[1]
[2]
参数
条件
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
100
100
215
125
200
150
130
500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
-
-
-
-
[5]
4
1
0.5
250
250
200
150
+150
+150
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
25
°C
T
AMB
85
°C
T
AMB
25
°C
-
-
-
65
65
结温
环境温度
储存温度
单二极管装。
双二极管装。
T
j
= 25
°C
前激增。
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
焊接点在引脚2 ,3,5和6 。
BAV99_SER_7
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2010年4月14日
3 14
恩智浦半导体
BAV99系列
高速开关二极管
6.热特性
表7中。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
从热阻
结到环境
BAV99
BAV99W
R
日(J -SP )
从热阻
结点到焊点
BAV99
BAV99S
BAV99W
[1]
[2]
[3]
单二极管装。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
焊接点在引脚2 ,3,5和6 。
[3]
条件
在自由空气
[1][2]
典型值
最大
单位
-
-
-
-
500
625
K / W
K / W
-
-
-
-
-
-
360
260
300
K / W
K / W
K / W
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
I
R
反向电流
V
R
= 25 V
V
R
= 80 V
V
R
= 25 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 80 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
V
FR
[1]
[2]
参数
条件
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[1]
[2]
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
715
855
1
1.25
30
0.5
30
50
1.5
4
1.75
单位
mV
mV
V
V
nA
μA
μA
μA
pF
ns
V
二极管电容
反向恢复时间
正向恢复电压
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
Ω;
测量我
R
= 1毫安。
从我开机时,
F
= 10毫安;牛逼
r
= 20纳秒。
BAV99_SER_7
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2010年4月14日
4 14
恩智浦半导体
BAV99系列
高速开关二极管
10
3
I
F
(MA )
10
2
006aab132
10
2
I
R
(μA)
10
1
10
1
(1)
006aab133
(2)
10
10
2
(1)
(2)
(3)
(4)
(3)
1
10
3
10
4
(4)
10
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
F
(V)
10
5
0
20
40
60
80
V
R
(V)
100
(1) T
AMB
= 150
°C
(2) T
AMB
= 85
°C
(3) T
AMB
= 25
°C
(4) T
AMB
=
40 °C
(1) T
AMB
= 150
°C
(2) T
AMB
= 85
°C
(3) T
AMB
= 25
°C
(4) T
AMB
=
40 °C
图1 。
正向电流为正向功能
电压;典型值
mbg446
图2 。
反向电流反向的函数
电压;典型值
mbg704
0.8
C
d
(PF )
0.6
10
2
I
FSM
(A)
10
0.4
1
0.2
0
0
4
8
12
V
R
(V)
16
10
1
1
10
10
2
10
3
t
p
(μs)
10
4
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
基于方波电流。
T
j
= 25
°C;
暴涨前
图3 。
二极管电容反向的函数
电压;典型值
图4 。
非重复性峰值正向电流为
的脉冲持续时间的功能;最大值
BAV99_SER_7
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NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2010年4月14日
5 14
BAV99S
250mW的高速开关阵列
小信号二极管
SOT-363
特点
开关速度快
高反向击穿电压额定值
湿度敏感度等级1
雾锡(Sn ),铅涂层与镍(Ni ),下板
无铅版本,并符合RoHS标准
绿色化合物(无卤素)与后缀"G"
包装上的日期代码代码和前缀"G"
尺寸
A
B
C
单位(mm )
1.80
1.15
0.15
最大
2.00
1.35
0.30
单位(英寸)
0.071
0.045
0.006
最大
0.079
0.053
0.012
J
I
H
机械数据
案例: SOT- 363小外形塑料封装
终端:雾锡电镀,无铅,焊
每MIL -STD- 202方法208保证
高温焊接保证: 260 ℃/ 10秒
外壳材料,防火等级94V- 0
重量: 0.008 qram (约)
标记代号: K1
D
E
F
G
H
I
J
1.30 BSC
2.10 BSC
-
1.10
0.42
0.40
0.10
0.051 BSC
0.083 BSC
-
0.043
0.017
0.016
0.004
0.1 BSC
0.25
0.02
0.004 BSC
0.010
0.001
订购信息
产品型号
SOT-363
SOT-363
BAV99S
BAV99S
包装包装代码
3K / 7"卷轴
3K / 7"卷轴
RF
RFG
记号
K1
K1
销Configutation
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度,除非另有规定。
最大额定值
类型编号
功耗
反向重复峰值电压
重复峰值正向电流
平均正向电流
非重复性峰值正向浪涌电流(注1)
结温和存储温度范围
注: 1 。脉冲宽度= 1μ秒&1秒
符号
P
D
V
RRM
I
FRM
I
O
I
FSM
T
J
, T
英镑
.
价值
250
85
450
200
4.5
0.5
-65到+ 150
.
单位
mW
V
mA
mA
A
°C
版本: B11
BAV99S
250mW的高速开关阵列
小信号二极管
电气特性
类型编号
反向击穿电压
I
R
= 2.5μA
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 75毫安
VR = 0 , F = 1.0MHz的
符号
V
( BR )
75
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
0.715
0.855
1.000
1.200
1.250
1
1.5
4
单位
V
正向电压
V
F
V
反向漏电流
结电容
反向恢复时间(注2 )
I
R
C
J
TRR
uA
pF
ns
注:2 。反向恢复测试条件: I = I = 10毫安, R = 100Ω
磁带&卷轴规格
TSC标签
顶盖带
符号
A
B
C
d
D
D1
D2
E
F
P0
P1
T
W
W1
Carieer胶带
任何额外的标签(如果需要)
P0
d
T
A
C
B
F
W
P1
E
载波宽度
载体长度
运营商深度
链轮孔
卷筒外径
卷内径
进料孔宽
Sprocke孔位
打孔的位置
Sprocke孔距
浮雕中心
总体胶带厚度
胶带宽度
卷筒宽度
(mm)
3.15 ±0.10
2.77 ±0.10
1.22 ±0.10
1.50 ± 0.10
178 ± 1
55敏
13.0 ± 0.20
1.75 ±0.10
3.50 ±0.05
4.00 ±0.10
2.00 ±0.05
0.229 ±0.013
8.10 ±0.20
12.30 ±0.20
W1
D
D2
D1
进给方向
版本: B11
BAV99S
250mW的高速开关阵列
小信号二极管
评级和Sharacteristic曲线
图1典型的正向特性
图2反向电流与反向电压
正向电流(mA )
Ta=75°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=25°C
td=Ipp/2
正向Volatge ( V)
反向Volatge ( V)
图3容许功耗曲线
图4典型结电容
功耗(MW )
环境Tempeatature (
o
C)
反向电压( V)
版本: B11
BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
表面贴装开关二极管
电压
特点
·快速开关速度。
表面贴装型封装非常适合自动插入
高电导率
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
100伏
动力
200mWatts
机械数据
案例: SOT -363 ,塑料
终端:每MIL -STD- 750 ,方法2026焊性
重量:约0.006克
最大额定值和电气特性
25评分
O
C环境温度,除非另有规定。对于容性负载,减免电流20 % 。
参数
标识代码
反向电压
峰值反向电压
整流电流(平均值) ,半波整流
阻性负载和f>50Hz
峰值正向浪涌电流, 1.0
s
功率耗散减免上述25
O
C
符号
-
V
R
V
RM
I
O
I
FS M
P
合计
BAS16TW
16T
BAW56DW
JC
75
100
150
4.0
200
0.715@I
F
=0.001A
0.855@I
F
=0.01A
1.0@I
F
=0.05A
1.25@I
F
=0.15A
0.03
2.5
1.5
4.0
625
-55到+150
Fig.48
Fig.51
Fig.52
Fig.32
O
BAV70DW
JA
BAV99S
JB
单位
-
V
V
mA
A
mW
最大正向电压
最大DC反向电流在25V
75V
最大结电容(注1 )
最大反向恢复时间(注2 )
典型热阻
结温范围
线路图
V
F
V
I
R
C
J
T
RR
R
θ
JA
T
J
A
pF
ns
C / W
O
C
注: 1,反向偏置电压= 0 F = 1MHz的
2. I
F
= 10mA至我
R
=为1mA。 V
R
= 6V 。负载= 100Ω
REV.0.0-JAN.6.2009
PAGE 。 1
BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
1000
10
T
J
= 125 C
O
正向电流,为m的
100
Reve酒店RSE币种耳鼻喉科,
m
A
1.0
10
0.1
T
J
= 75 C
O
1
0.01
T
J
= 25 C
0 .0 0 1
O
0 .1
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1 .0
1 .2
1 .4
0
20
40
60
80
100
正向电压,伏
图1 - 典型正向特性
反向电压,伏
图2 - 典型的反向特性
P
D
,鲍威 Dissip ATION ,MW
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
环境温度(
o
C)
图3 ,功耗降低曲线
6
5
4
6
5
4
6
5
4
6
5
4
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
Fig.48
REV.0.0-JAN.6.2009
Fig.51
Fig.52
Fig.32
PAGE 。 2
BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 10K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改,恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保,声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
REV.0.0-JAN.6.2009
PAGE 。 3
BAV99...
硅开关二极管
对于高速开关应用
系列对配置
BAV99S / U :对于方位盘看
下面的包信息
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
BAV99
BAV99W
!
BAV99S
BAV99U
$
#
, "
& QUOT ;
, !
, 
,
, 
,


!
TYPE
BAV99
BAV99S
BAV99U
BAV99W
1
含有铅,
SOT23
SOT363
SC74
SOT323
CON组fi guration
系列
双系列
双系列
系列
记号
A7s
A7s
A7s
A7s
包可能是可根据特殊要求
1
2007-09-19
BAV99...
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
正向电流
非重复性峰值浪涌正向电流
t
= 1 s
t
= 1毫秒
t
= 1秒,单
t
= 1秒,双
总功耗
BAV99,
T
S
28°C
BAV99S,
T
S
85°C
BAV99U,
T
S
113°C
BAV99W,
T
S
110°C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BAV99
BAV99S
BAV99U
BAV99W
1
符号
V
R
V
RM
I
F
I
FSM
价值
80
85
200
4.5
1
0.5
0.75
单位
V
mA
A
P
合计
330
250
250
250
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
360
260
150
160
150
-65 ... 150
mW
°C
价值
单位
K / W
计算
R
thJA请参考应用笔记热阻
2
2007-09-19
BAV99...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
单位
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
85
-
-
V
击穿电压
V
( BR )
I
( BR )
= 100 A
反向电流
V
R
= 70 V
V
R
= 25 V,
T
A
= 150 °C
V
R
= 70 V,
T
A
= 150 °C
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 150毫安
V
F
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
715
855
1000
1200
1250
I
R
-
-
-
-
-
-
0.15
30
50
mV
A
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
-
-
1.5 pF的
二极管电容
C
T
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向恢复时间
I
F
= 10毫安,
I
R
= 10 mA时,测定
I
R
= 1mA时,
R
L
= 100
反向恢复时间测试电路
D.U.T.
t
rr
-
-
4
ns
脉冲发生器:
t
p
= 100ns的,
D
= 0.05,
t
r
= 0.6ns ,
R
i
= 50
示波器
Ι
F
EHN00019
示波器:
R
= 50,
t
r
= 0.35ns
C
1pF
3
2007-09-19
BAV99...
反向电流
I
R
=
(T
A
)
V
R
=参数
10
5
nA
正向电压
V
F
=
(T
A
)
I
F
=参数
1.0
BAV 99
EHB00078
V
F
10
4
V
Ι
F
= 100毫安
I
R
10毫安
10
3
0.5
70 V
25 V
1毫安
0.1毫安
10
2
10
1
0
25
50
75
100
°C
150
0
0
50
100
T
A
C
T
A
150
正向电流
I
F
=
(V
F
)
T
A
= 25°C
BAV 99
EHB00076
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAV99
250
mA
150
Ι
F
mA
200
175
100
I
F
150
125
100
典型值
最大
50
75
50
25
0
0
0.5
1.0
V
V
F
1.5
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
4
2007-09-19
BAV99...
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAV99S
250
mA
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAV99U
250
mA
200
175
200
175
I
F
150
125
100
75
50
25
0
0
I
F
90 105 120
°C
150
125
100
75
50
25
0
0
15
30
45
60
75
150
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
正向电流
I
F
=
(T
S
)
BAV99W
250
mA
许用载荷普尔斯
R
thjs
=
(t
p
)
BAV99
10
3
200
10
2
150
125
100
75
R
thjs
175
I
F
10
1
10
0
50
25
0
0
10
-1 -7
10
-6
-5
-4
D = 0,5
0,2
0,1
0,05
0,02
0,01
0,005
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
10
10
10
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
T
P
5
2007-09-19
BAV99S
电压
85伏
当前
200毫安
高速开关二极管阵列
该设备配有两对高速开关二极管连接
在系列中,其中两个双电分离,将提供极低的
电容, minmizing在数据传输线的插入损耗。
特点
取1.5pF的电容最大
最大泄漏电流2.5
A
70V的反向击穿电压
轨到轨ESD保护
过冲和下冲的切换控制
手机及配件
视频游戏机连接器端口
无铅产品可供选择: 99 %以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
机械数据
案例: SOT- 363模压塑料
码头:每MIL -STD- 202G ,方法208铅焊。
最大额定值
(每二极管)T
J
= 25
O
C,除非另有说明
等级
最大repetitve峰值反向电压
连续反向电压
连续的正向电压
非repetitve峰值正向电流, T = 1
秒,
Tj=25
O
方波
总功率dissioation , TJ = 85
O
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FSM
价值
85
75
200
4.5
单位
V
V
mA
A
C
P
合计
250
mW
工作结温范围
T
J
-50至+ 150
O
C
存储温度范围
T
英镑
-50至+ 150
O
C
焊接温度, T最大= 10秒
T
L
260
O
C
REV.0-MAR.26.2005
PAGE 。 1
BAV99S
电气特性
(每二极管)T
J
= 25
O
C,除非另有说明
参数
击穿电压
符号
V
BR
条件
I
BR
=100
A
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=25V
V
R
=70V
为0 Vdc偏置, F = 1MHz的
I
F
=10mA,I
R
=10mA
R
L
= 100欧姆
测量我
=1mA
R
I
F
=10mA,tr=20nsec
75
典型值
最大
单位
正向电压
反向漏电流
在TJ反向漏电流= 150
O
C
结电容
反向恢复时间
正向恢复电压
V
F
I
R
I
R
C
D
t
rr
V
fr
715
855
1
1.25
2.5
30
50
1.5
4
1.75
mV
mV
V
V
A
A
pF
ns
V
REV.0-MAR.26.2005
PAGE 。 2
BAV99S
100
反向漏电流IR (
m
A)
10
T
J
=150 C
O
T
J
=150 C
1
O
正向电流IF (M A)
10
T
J
=25 C
T
J
=75 C
O
O
T
J
=75 C
O
0.1
1
T
J
=-25 C
O
0.01
T
J
=25 C
O
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
正向电压,V
F
(V)
0.001
0
20
40
60
反向电压VR ( V)
80
图1 - 典型正向电压
图2 - 典型的反向漏
0.8
Capacita NCE (PF )
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
30
40
50
60
反向voltage.V
R
(V)
图3 ,典型电容
REV.0-MAR.26.2005
PAGE 。 3
BAV99S
电压
85伏
当前
200毫安
高速开关二极管阵列
该设备配有两对高速开关二极管连接
在系列中,其中两个双电分离,将提供极低的
电容, minmizing在数据传输线的插入损耗。
特点
取1.5pF的电容最大
最大泄漏电流2.5
A
70V的反向击穿电压
轨到轨ESD保护
过冲和下冲的切换控制
手机及配件
视频游戏机连接器端口
无铅产品可供选择: 99 %以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
机械数据
案例: SOT- 363模压塑料
码头:每MIL -STD- 202G ,方法208铅焊。
最大额定值
(每二极管)T
J
= 25
O
C,除非另有说明
等级
最大repetitve峰值反向电压
连续反向电压
连续的正向电压
非repetitve峰值正向电流, T = 1
秒,
Tj=25
O
方波
总功率dissioation , TJ = 85
O
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FSM
价值
85
75
200
4.5
单位
V
V
mA
A
C
P
合计
250
mW
工作结温范围
T
J
-50至+ 150
O
C
存储温度范围
T
英镑
-50至+ 150
O
C
焊接温度, T最大= 10秒
T
L
260
O
C
REV.0-MAR.26.2005
PAGE 。 1
BAV99S
电气特性
(每二极管)T
J
= 25
O
C,除非另有说明
参数
击穿电压
符号
V
BR
条件
I
BR
=100
A
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=25V
V
R
=70V
为0 Vdc偏置, F = 1MHz的
I
F
=10mA,I
R
=10mA
R
L
= 100欧姆
测量我
=1mA
R
I
F
=10mA,tr=20nsec
75
典型值
最大
单位
正向电压
反向漏电流
在TJ反向漏电流= 150
O
C
结电容
反向恢复时间
正向恢复电压
V
F
I
R
I
R
C
D
t
rr
V
fr
715
855
1
1.25
2.5
30
50
1.5
4
1.75
mV
mV
V
V
A
A
pF
ns
V
REV.0-MAR.26.2005
PAGE 。 2
BAV99S
100
反向漏电流IR (
m
A)
10
T
J
=150 C
O
T
J
=150 C
1
O
正向电流IF (M A)
10
T
J
=25 C
T
J
=75 C
O
O
T
J
=75 C
O
0.1
1
T
J
=-25 C
O
0.01
T
J
=25 C
O
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
正向电压,V
F
(V)
0.001
0
20
40
60
反向电压VR ( V)
80
图1 - 典型正向电压
图2 - 典型的反向漏
0.8
Capacita NCE (PF )
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
30
40
50
60
反向voltage.V
R
(V)
图3 ,典型电容
REV.0-MAR.26.2005
PAGE 。 3
BAV99S
表面贴装快速开关二极管
SOT-323
特点
高开关速度。
对于通用开关应用。
小型塑料SMD速度。
低电容。
两个电隔离系列配置的阵列。
尺寸以英寸(毫米)
应用
对于通用开关应用。
订购信息
型号
BAV99S
记号
K1
封装代码
SOT-363
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
RRM
V
R
I
FRM
I
F
特征
反向重复峰值电压
连续反向电压
重复峰值正向电流
正向连续电流
非重复峰值正向浪涌电流
@t=1.0μs
@t=1.0ms
@t=1.0s
功耗
结温和存储温度
价值
85
75
450
200
单位
V
V
mA
mA
I
FSM
4.5
1.0
0.5
250
-65到+ 150
A
P
D
T
j,
T
英镑
mW
http://www.luguang.cn
邮箱: lge@luguang.cn
BAV99S
表面贴装快速开关二极管
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
参数
反向击穿电压
符号
V
( BR )R
测试条件
I
R
=2.5μA
I
F
=1.0mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=0V,f=1.0MHz
I
F
=I
R
=10mAR
L
=100
75
最大
-
0.715
0.855
1.0
1.25
1
1.5
4
单位
V
正向电压
V
F
-
V
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
I
R
C
D
t
rr
-
-
-
μA
pF
ns
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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NXP(恩智浦)
22+
33730
原装原厂公司现货
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
BAV99S
NXP
16+
68000
SOT363
原装进口,样品可出
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电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
BAV99S
KEFAN/科范微
24+
898000
SOT-363
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
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电话:755-83258123
联系人:赵先生
地址:深圳市福田区振中路新亚洲电子商城2期N4A073
BAV99S
NXP
18+
75
SOT-363
进口原装现货
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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INFINEON/英飞凌
21+
9850
SOT-363
只做原装正品现货或订货!代理渠道订货假一赔三!
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电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
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原装正品热卖
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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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1926+
28562
SOT-363
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
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CJ/长电
1926+
28562
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NEXPERIA
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