【www.ti.com实际尺寸（ 3.00毫米× 3.00毫米）SLUS526B - 2002年10月】,IC型号BQ2022,BQ2022 PDF资料,BQ2022经销商,ic,电子元器件-51电子网

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实际尺寸

（ 3.00毫米× 3.00毫米）

SLUS526B - 2002年10月 - 修订2003年10月

bq2022

1K位串行EPROM与SDQ接口

特点

1024位一次性可编程（ OTP ）

EPROM ，用于存储用户可编程

CON组fi guration数据

工厂编程的唯一的64位

识别号码

总线接口架构允许多个

bq2022s连接到单个主机

单线接口，以减小电路

电路板布线

同步通信降低主机

中断开销

无需备用电源

提供3引脚SOT23封装

描述

该bq2022是包含工厂1K位串行EPROM

编程的唯一的48位的识别号， 8位

CRC生成和8位家族码（ 09H ）。 64位

状态寄存器控制写保护和页面

重定向。

该bq2022 SDQ接口（ TI专有的序列

通信协议）仅需要一个单一的

连接和接地回路。数据引脚也

唯一电源的bq2022 。总线结构

允许多个SDQ设备连接到单个

主机。

小型表面贴装封装选项可节省

印刷电路板的空间，同时成本低使得它

理想的应用，如电池组配置

参数，记录维护，资产跟踪，产品展示

修订状态和访问代码的安全性。

应用

安全编码

库存追踪

产品版本维护

电池组鉴定

订购信息

包装设备

-20℃ 70℃

SOT233

bq2022DBZR

（ 1 ）设备保证在-40 ° C到沟通到85 ℃。

（ 2 ）该设备仅适用于磁带和卷轴带的基本数量

3000台。

框图

DBZR包装

（ TOP VIEW ）

SDQ

SDQ通信

控制器和8位CRC校验码

产生电路

国内

公共汽车

ID ROM

（64位）

EPROM

内存

（ 1024位）

SDQ

VSS

内存

卜FF器

（ 8字节）

EPROM

状态

（64位）

VSS

UDG02054

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用

半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。制品

符合每德州仪器标准保修条款的规范。

生产加工并不包括所有参数进行测试。

版权

2003年，德州仪器

bq2022

SLUS526B - 2002年10月 - 修订2003年10月

www.ti.com

这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）

单位

施加到数据的直流电压， VPU

低电平输出电流， IOL

ESD人体模型

工作自由空气的温度范围， TA

通信自由空气的温度范围， TA （通讯）

存储温度范围， TSTG

焊接温度（焊接， 10秒）

通信设计规定

数据VSS ， VSS数据

-0.3 V至7 V

40毫安

15千伏

-20℃ 70℃

-40 ° C至85°C

-55 ° C至125°C

260°C

（ 1 ）强调超出绝对最大额定值下“，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件是不是暗示。

暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

DC电气特性

TA = -20 ° C至70 °C， VPU （分钟）= 2.65 VDC至5.5 VDC ，所有相对于VSS的电压

测试条件

参数

IDATA

VOL

VOH

IOL

VIL

VIH

VPP

电源电流

低电平输出电压

高电平输出电压

低电平输出电流（漏）

低电平输入电压

高电平输入电压

编程电压

VPU = 5.5 V

逻辑0 ， VPU = 5.5 V， IOL = 4毫安， SDQ引脚

逻辑0 ， VPU = 2.65 V， IOL = 2毫安

逻辑1

VOL = 0.4 V， SDQ引脚

逻辑0

逻辑1

2.2

11.5

VPU

民

典型值

最大

0.4

5.5

0.8

单位

AC电气特性

TA = -20 ° C至70 °C， VPU （分钟）= 2.65 VDC至5.5 VDC ，所有相对于VSS的电压

参数

测试条件

位的循环时间（ 1）

tWSTRB

twdsu

Twdh

TREC

tRSTRB

托德

tODHO

TRST

TPPD

TPP

tEPROG

Tpsu

TPREC

TPRE

写周期开始（ 1 ）

写数据建立（ 1 ）

写数据保持（ 1 ）（ 2 ）

恢复时间（ 1 ）

读周期开始（ 1 ）

输出数据延迟（1）

输出数据保持（ 1 ）

复位时间（ 1 ）

应答脉冲延时（ 1 ）

应答脉冲（ 1 ）

EPROM编程时间

计划建立时间

程序的恢复时间

节目上升沿时间

480

对于只读存储器命令

民

tWSTRB

tRSTRB

480

2500

240

典型值

最大

120

单位

TPFE

节目下降沿时间

TRSTREC

（ 1 ） SDQ引脚和VPU的5 kΩ的串联电阻。（参见图1 ）

（2） tWDH必须小于tc之后，占恢复。

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bq2022

SLUS526B - 2002年10月 - 修订2003年10月

终端功能

终奌站

名字

SDQ

VSS

号

2, 3

I / O

数据

地

描述

功能说明

一般操作

第1页框图显示了主要的控制部分和存储单元之间的关系

bq2022 。该bq2022有三个主要数据部分组成： 64位工厂编程的ROM ，其中包括8位家族

码， 48位识别码和8位CRC值， 1024位EPROM和EPROM状态字节。动力

用于读取和写入从DATA引脚衍生业务。内置电容储存能量而信号

线为高电平并在DATA引脚的低次释放能量，直到脚变为高电平来补充

充电的电容器。一个特殊的制造商的节目模板字节可以读取来确定

所需的编程轮廓的零件程序。

1024位EPROM

表1是bq2022的1024位EPROM部的存储器映射，配置为四页的32个字节

每一个。 8字节的RAM缓存是编程时内存使用额外的寄存器。数据首先写入

到RAM缓冲器中，然后通过读从bq2022一个8位的CRC校验，确认正确接收的

的数据。如果缓冲器的内容是正确的，一个编程命令被发出的数据的一个8字节的段

被写入到存储器的指定地址。编程时，这个过程可以确保数据的完整性

内存。详细阅读和编程bq2022的1024位EPROM部分都在

存储器操作命令

本数据手册的部分。

表1. 1024位EPROM存储器映射

地址

（十六进制）

0060007F

0040005F

0020003F

0000001F

页面

第3页

第2页

第1页

第0页

EPROM状态存储器

除了可编程1024比特的存储器，是状态信息包含在EPROM 64位

状态存储器。状态存储器是独立的命令访问。该状态位EPROM

并读或编程来指示各种条件的软件查询bq2022 。第一

状态存储器的字节包含页面写保护位，抑制了相应的编程

在1024位主存储区页面，如果相应的写保护位被编程。一旦有一点

在写保护网页字节，整个32字节对应于该位可网页编程无

再改变，但仍然可以读出。写保护位可以通过写状态被清除

命令。

接下来的四个字节的EPROM状态存储器包含页面地址重定向字节。中位

EPROM状态字节可以指示哪些页是通过将适当取代的重定向页面的主机

字节。该bq2022的硬件是没有根据的页面地址重定向的内容决定

字节。该功能允许用户的软件由指示一个特定使一个数据补丁对EPROM

一页或几页应该被替换那些在页面地址重定向字节表示。那些

新页面地址的补充写入对应的页面地址重定向字节

原（替换）页面。如果页面地址重定向字节为FFh ，在主存储器中的数据

对应于该页面是有效的。如果页面地址重定向字节有一些其他的十六进制值，在数据

对应于重定向字节的页面是无效的，有效的数据现在可以在那些被发现

bq2022

SLUS526B - 2002年10月 - 修订2003年10月

www.ti.com

由存储在相关联的页面地址重定向的十六进制值表示的页地址的补

字节。外佣在重定向字节页1的值，例如，表示更新后的数据现在

在第2页的详细信息读取和编程bq2022的EPROM状态存储器部分给出

在

存储器操作命令

部分。

表2. EPROM状态字节

地址

（十六进制）

页面

写保护位

BIT0 - 写保护0页

BIT1 - 写保护第1页

第2位 - 写保护2页

BIT3 - 写保护3页

BIT4 7 - 使用的页面位图

重定向字节为0页

重定向字节为第1页

重定向字节2页

重定向字节的第3页

工厂编程00H

00h

01h

02h

03h

04h

05h

06h

07h

错误检查

验证来自bq2022发送的数据时，主机生成从作为它们的数据的CRC值

收到。这个生成的值与由bq2022发送的CRC值。如果两个CRC值

比赛中，传输无差错。该CRC的等效多项式是X

+ X

+ 1。详细

被发现的

CRC生成节

本数据手册。

自定义bq2022

64位ID标识每个bq2022 。 48位的序列号是唯一的，由德克萨斯编程

仪器。默认的8位家族码为09H ;然而，一个不同的值可在一个单独的保留

客户基础。请联系您的德州仪器的销售代表了解更多信息。

总线终端

因为bq2022的驱动输出为开漏N沟道MOSFET ，主机必须提供源

电流或5 kΩ的外部上拉，如图所示的典型应用电路如图1所示。

VPU

SDQ

通讯

调节器

VSS

中央处理器

主持人

UDG02055

bq2022

图1.典型应用电路

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bq2022

SLUS526B - 2002年10月 - 修订2003年10月

串行通信

主机读取，程序或通过的分层指挥机构检查bq2022的状态

SDQ接口。图2示出该主机必须首先发出一个ROM命令的EPROM存储器之前或

状态可以被读取或修改。该ROM命令或者选择当多台设备是一个特定的设备

在SDQ总线上，或跳过一个SDQ设备应用程序的选择过程。

初始化

ROM命令序列

内存/ Status命令序列

图2.一般命令序列

初始化

初始化包括两个脉冲，复位和应答脉冲。主机产生复位

脉冲，而bq2022响应的应答脉冲。主机通过驱动数据重置bq2022

公交车低了至少480

有关详细信息，请参阅

RESET

根据第

SDQ信号。

ROM指令

读取ROM

在读ROM命令是最快的序列，它允许主机读取的8位家族码

和48位识别号。它被使用，如果只有一个SDQ从属设备连接到总线上。在读ROM

序列开始与主机产生至少480的复位脉冲

该bq2022与响应

应答脉冲。接着，主机将继续通过发出读ROM命令， 33H ，然后读出

ROM和使用READ信令的CRC字节（参见READ和WRITE信号部分）的数据中

框架。

RESET

和

存在

信号的

读ROM （ 33H ）

家庭法及鉴定

数（7字节）

的CRC（ 1字节）

图3.读ROM序列

匹配ROM

Match ROM命令， 55H ，所使用的主机选择一个特定的SDQ设备时，家族码

和标识号是已知的。主机发出Match ROM命令之后的家族码，

ROM号和CRC字节。只有相匹配的64位ROM序列号的设备选择

可用于执行随后的记忆/状态功能命令。

RESET

和

存在

信号的

匹配ROM （ 55H ）

家庭法及鉴定

数（7字节）

的CRC（ 1字节）

图4. MATCH ROM序列

搜索ROM

搜索ROM命令和F0h ，用于获取8位家族码和48位识别码

和任何SDQ装置的8位CRC时它是未知的。在搜索ROM在读取总线上的所有设备

命令与使用的一个碰撞检测和设备译码方法。图5显示了搜索ROM

序列开始由主机，产生至少480复位脉冲

该bq2022与响应

应答脉冲。然后，主机通过写一个单元F0h发出的命令帧的命令。在

在搜索ROM序列数据的读取，每一位发送三次。该bq2022传输

位，随后由位的补码。在打开主机重传位刚读。如果碰撞检测

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实际尺寸

（ 3.00毫米× 3.00毫米）

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bq2022

1K位串行EPROM与SDQ接口

特点

1024位一次性可编程（ OTP ）

EPROM ，用于存储用户可编程

CON组fi guration数据

工厂编程的唯一的64位

识别号码

总线接口架构允许多个

bq2022s连接到单个主机

单线接口，以减小电路

电路板布线

同步通信降低主机

中断开销

无需备用电源

提供3引脚SOT23封装

描述

该bq2022是包含工厂1K位串行EPROM

编程的唯一的48位的识别号， 8位

CRC生成和8位家族码（ 09H ）。 64位

状态寄存器控制写保护和页面

重定向。

该bq2022 SDQ接口（ TI专有的序列

通信协议）仅需要一个单一的

连接和接地回路。数据引脚也

唯一电源的bq2022 。总线结构

允许多个SDQ设备连接到单个

主机。

小型表面贴装封装选项可节省

印刷电路板的空间，同时成本低使得它

理想的应用，如电池组配置

参数，记录维护，资产跟踪，产品展示

修订状态和访问代码的安全性。

应用

安全编码

库存追踪

产品版本维护

电池组鉴定

订购信息

包装设备

-20℃ 70℃

SOT233

bq2022DBZR

（ 1 ）设备保证在-40 ° C到沟通到85 ℃。

（ 2 ）该设备仅适用于磁带和卷轴带的基本数量

3000台。

框图

DBZR包装

（ TOP VIEW ）

SDQ

SDQ通信

控制器和8位CRC校验码

产生电路

国内

公共汽车

ID ROM

（64位）

EPROM

内存

（ 1024位）

SDQ

VSS

内存

卜FF器

（ 8字节）

EPROM

状态

（64位）

VSS

UDG02054

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用

半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。制品

符合每德州仪器标准保修条款的规范。

生产加工并不包括所有参数进行测试。

版权

2003年，德州仪器

bq2022

SLUS526B - 2002年10月 - 修订2003年10月

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）

单位

施加到数据的直流电压， VPU

低电平输出电流， IOL

ESD人体模型

工作自由空气的温度范围， TA

通信自由空气的温度范围， TA （通讯）

存储温度范围， TSTG

焊接温度（焊接， 10秒）

通信设计规定

数据VSS ， VSS数据

-0.3 V至7 V

40毫安

15千伏

-20℃ 70℃

-40 ° C至85°C

-55 ° C至125°C

260°C

（ 1 ）强调超出绝对最大额定值下“，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件是不是暗示。

暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

DC电气特性

TA = -20 ° C至70 °C， VPU （分钟）= 2.65 VDC至5.5 VDC ，所有相对于VSS的电压

测试条件

参数

IDATA

VOL

VOH

IOL

VIL

VIH

VPP

电源电流

低电平输出电压

高电平输出电压

低电平输出电流（漏）

低电平输入电压

高电平输入电压

编程电压

VPU = 5.5 V

逻辑0 ， VPU = 5.5 V， IOL = 4毫安， SDQ引脚

逻辑0 ， VPU = 2.65 V， IOL = 2毫安

逻辑1

VOL = 0.4 V， SDQ引脚

逻辑0

逻辑1

2.2

11.5

VPU

民

典型值

最大

0.4

5.5

0.8

单位

AC电气特性

TA = -20 ° C至70 °C， VPU （分钟）= 2.65 VDC至5.5 VDC ，所有相对于VSS的电压

参数

测试条件

位的循环时间（ 1）

tWSTRB

twdsu

Twdh

TREC

tRSTRB

托德

tODHO

TRST

TPPD

TPP

tEPROG

Tpsu

TPREC

TPRE

写周期开始（ 1 ）

写数据建立（ 1 ）

写数据保持（ 1 ）（ 2 ）

恢复时间（ 1 ）

读周期开始（ 1 ）

输出数据延迟（1）

输出数据保持（ 1 ）

复位时间（ 1 ）

应答脉冲延时（ 1 ）

应答脉冲（ 1 ）

EPROM编程时间

计划建立时间

程序的恢复时间

节目上升沿时间

480

对于只读存储器命令

民

tWSTRB

tRSTRB

480

2500

240

典型值

最大

120

单位

TPFE

节目下降沿时间

TRSTREC

（ 1 ） SDQ引脚和VPU的5 kΩ的串联电阻。（参见图1 ）

（2） tWDH必须小于tc之后，占恢复。

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bq2022

SLUS526B - 2002年10月 - 修订2003年10月

终端功能

终奌站

名字

SDQ

VSS

号

2, 3

I / O

数据

地

描述

功能说明

一般操作

第1页框图显示了主要的控制部分和存储单元之间的关系

bq2022 。该bq2022有三个主要数据部分组成： 64位工厂编程的ROM ，其中包括8位家族

码， 48位识别码和8位CRC值， 1024位EPROM和EPROM状态字节。动力

用于读取和写入从DATA引脚衍生业务。内置电容储存能量而信号

线为高电平并在DATA引脚的低次释放能量，直到脚变为高电平来补充

充电的电容器。一个特殊的制造商的节目模板字节可以读取来确定

所需的编程轮廓的零件程序。

1024位EPROM

表1是bq2022的1024位EPROM部的存储器映射，配置为四页的32个字节

每一个。 8字节的RAM缓存是编程时内存使用额外的寄存器。数据首先写入

到RAM缓冲器中，然后通过读从bq2022一个8位的CRC校验，确认正确接收的

的数据。如果缓冲器的内容是正确的，一个编程命令被发出的数据的一个8字节的段

被写入到存储器的指定地址。编程时，这个过程可以确保数据的完整性

内存。详细阅读和编程bq2022的1024位EPROM部分都在

存储器操作命令

本数据手册的部分。

表1. 1024位EPROM存储器映射

地址

（十六进制）

0060007F

0040005F

0020003F

0000001F

页面

第3页

第2页

第1页

第0页

EPROM状态存储器

除了可编程1024比特的存储器，是状态信息包含在EPROM 64位

状态存储器。状态存储器是独立的命令访问。该状态位EPROM

并读或编程来指示各种条件的软件查询bq2022 。第一

状态存储器的字节包含页面写保护位，抑制了相应的编程

在1024位主存储区页面，如果相应的写保护位被编程。一旦有一点

在写保护网页字节，整个32字节对应于该位可网页编程无

再改变，但仍然可以读出。写保护位可以通过写状态被清除

命令。

接下来的四个字节的EPROM状态存储器包含页面地址重定向字节。中位

EPROM状态字节可以指示哪些页是通过将适当取代的重定向页面的主机

字节。该bq2022的硬件是没有根据的页面地址重定向的内容决定

字节。该功能允许用户的软件由指示一个特定使一个数据补丁对EPROM

一页或几页应该被替换那些在页面地址重定向字节表示。那些

新页面地址的补充写入对应的页面地址重定向字节

原（替换）页面。如果页面地址重定向字节为FFh ，在主存储器中的数据

对应于该页面是有效的。如果页面地址重定向字节有一些其他的十六进制值，在数据

对应于重定向字节的页面是无效的，有效的数据现在可以在那些被发现

bq2022

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由存储在相关联的页面地址重定向的十六进制值表示的页地址的补

字节。外佣在重定向字节页1的值，例如，表示更新后的数据现在

在第2页的详细信息读取和编程bq2022的EPROM状态存储器部分给出

在

存储器操作命令

部分。

表2. EPROM状态字节

地址

（十六进制）

页面

写保护位

BIT0 - 写保护0页

BIT1 - 写保护第1页

第2位 - 写保护2页

BIT3 - 写保护3页

BIT4 7 - 使用的页面位图

重定向字节为0页

重定向字节为第1页

重定向字节2页

重定向字节的第3页

工厂编程00H

00h

01h

02h

03h

04h

05h

06h

07h

错误检查

验证来自bq2022发送的数据时，主机生成从作为它们的数据的CRC值

收到。这个生成的值与由bq2022发送的CRC值。如果两个CRC值

比赛中，传输无差错。该CRC的等效多项式是X

+ X

+ 1。详细

被发现的

CRC生成节

本数据手册。

自定义bq2022

64位ID标识每个bq2022 。 48位的序列号是唯一的，由德克萨斯编程

仪器。默认的8位家族码为09H ;然而，一个不同的值可在一个单独的保留

客户基础。请联系您的德州仪器的销售代表了解更多信息。

总线终端

因为bq2022的驱动输出为开漏N沟道MOSFET ，主机必须提供源

电流或5 kΩ的外部上拉，如图所示的典型应用电路如图1所示。

VPU

SDQ

通讯

调节器

VSS

中央处理器

主持人

UDG02055

bq2022

图1.典型应用电路

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SLUS526B - 2002年10月 - 修订2003年10月

串行通信

主机读取，程序或通过的分层指挥机构检查bq2022的状态

SDQ接口。图2示出该主机必须首先发出一个ROM命令的EPROM存储器之前或

状态可以被读取或修改。该ROM命令或者选择当多台设备是一个特定的设备

在SDQ总线上，或跳过一个SDQ设备应用程序的选择过程。

初始化

ROM命令序列

内存/ Status命令序列

图2.一般命令序列

初始化

初始化包括两个脉冲，复位和应答脉冲。主机产生复位

脉冲，而bq2022响应的应答脉冲。主机通过驱动数据重置bq2022

公交车低了至少480

有关详细信息，请参阅

RESET

根据第

SDQ信号。

ROM指令

读取ROM

在读ROM命令是最快的序列，它允许主机读取的8位家族码

和48位识别号。它被使用，如果只有一个SDQ从属设备连接到总线上。在读ROM

序列开始与主机产生至少480的复位脉冲

该bq2022与响应

应答脉冲。接着，主机将继续通过发出读ROM命令， 33H ，然后读出

ROM和使用READ信令的CRC字节（参见READ和WRITE信号部分）的数据中

框架。

RESET

和

存在

信号的

读ROM （ 33H ）

家庭法及鉴定

数（7字节）

的CRC（ 1字节）

图3.读ROM序列

匹配ROM

Match ROM命令， 55H ，所使用的主机选择一个特定的SDQ设备时，家族码

和标识号是已知的。主机发出Match ROM命令之后的家族码，

ROM号和CRC字节。只有相匹配的64位ROM序列号的设备选择

可用于执行随后的记忆/状态功能命令。

RESET

和

存在

信号的

匹配ROM （ 55H ）

家庭法及鉴定

数（7字节）

的CRC（ 1字节）

图4. MATCH ROM序列

搜索ROM

搜索ROM命令和F0h ，用于获取8位家族码和48位识别码

和任何SDQ装置的8位CRC时它是未知的。在搜索ROM在读取总线上的所有设备

命令与使用的一个碰撞检测和设备译码方法。图5显示了搜索ROM

序列开始由主机，产生至少480复位脉冲

该bq2022与响应

应答脉冲。然后，主机通过写一个单元F0h发出的命令帧的命令。在

在搜索ROM序列数据的读取，每一位发送三次。该bq2022传输

位，随后由位的补码。在打开主机重传位刚读。如果碰撞检测