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Am29LV640D/Am29LV641D
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
22366
调整
B
修订
+8
发行日期
2002年9月20日
Am29LV640D/Am29LV641D
64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只
统一部门快闪记忆体与VersatileIO控制
特色鲜明
s
单电源工作
- 3.0到3.6伏读取,擦除和编程操作
s
VersatileIO控制
- 设备产生的输出电压和容忍数据
在DQ输入/ OUPUTS输入电压为确定
通过对V的电压
IO
s
高性能
- 存取时间快90纳秒
s
在0.23微米制程技术制造的
s
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息提供给系统,
使主机软件轻松进行重新配置
不同的闪存器件
s
SecSi (安全硅)扇形区域
- 128字界永久的,安全标识
通过一个8字随机电子序列号
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
- 访问可以通过一个命令序列
s
超低功耗( 3.0 V典型值,
5兆赫)
- 9 mA典型有效的读电流
- 25 mA典型的擦除/编程电流
- 200 nA的典型待机模式电流
s
灵活的部门架构
- 一百28 32千字行业
s
扇区保护
- 硬件方法锁定一个部门,以防止
该部门内部编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或通过编程
设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动写
并验证在指定地址的数据
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
- 高级无意写保护
s
每个部门最少百万擦除周期保证
s
封装选项
- 48引脚TSOP ( Am29LV641DH / DL只)
- 56引脚SSOP ( Am29LV640DH / DL只)
- 63球精细间距BGA ( Am29LV640DU只)
- 64 - ball加固BGA ( Am29LV640DU只)
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或
程序数据,一个sect27
- 或者说没有被擦除,然后恢复擦除
手术
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # ) ( Am29LV640DU的FBGA
包只)
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
s
WP #引脚( Am29LV641DH / DL的TSOP ,
Am29LV640DH / DL采用SSOP只)
- 在V
IL
,保护第一或最后一个32千字部门,
无论部门保护/取消保护状态
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 一个内部上拉至V
CC
提供
s
ACC引脚
- 加速编程时间为更高的吞吐量
系统在生产过程中
s
编程和擦除性能(V
HH
没有施加到
在ACC输入引脚)
- 字编程时间: 11 μs的典型
- 扇区擦除时间: 0.9秒典型的为每32 K字
扇形
出版#
22366
启:
B
Amendment/+8
发行日期:
2002年9月20日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29LV640DU / Am29LV641DU是64兆, 3.0
电压( 3.0 V至3.6 V)单电源闪存
设备组织为4,194,304字。数据显示
在DQ0 - DQ15 。该设备被设计为亲
编程在系统的标准系统3.0伏
V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不需要程序
或擦除操作。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
可用于应用程序的90和120纳秒访问时间
阳离子其中V
IO
V
CC
。的100和120的访问时间
ns的可用于应用中,其中V
IO
& LT ; V
CC
。该
器件采用48引脚TSOP , 56引脚SSOP封装, 63球
细间距BGA和64 - ball加固BGA封装。
为了消除总线争用的每个设备都有独立的
芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出恩
能( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
( 3.0 V至3.6 V ),用于读取和写入功能
系统蒸发散。内部产生,调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。解锁旁路模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未亲
编程)执行擦除操作之前。能很好地协同
次擦除自动荷兰国际集团的擦除,所述装置
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
VersatileIO
(V
IO
)控制允许主机系统
设置的电压电平,该装置产生和
容忍在CE #和DQ的I / O到相同的电压
这是断言在V电平
IO
. V
IO
有两种可用的
配置( 1.8-2.9 V和3.0-5.0 V)运行
在各种不同的系统环境中。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
针,通过阅读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6 (瓶酒
GLE )
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备,使系统微处理器的
处理器从Flash中读取引导固件的MEM
ORY设备。
该器件提供了一个
待机模式
作为节电
功能。一旦系统会将设备进
待机状态下的功耗大大降低。
SecSi (安全硅)行业
提供了一个
最小的128个字的区域代码或数据,可以是
永久保护。一旦这个行业是受保护的,
没有进一步的编程或部门内删除
可能发生。
写保护( WP # )
功能保护第一或
最后一个扇区通过产生一个逻辑低电平的WP #引脚。
受保护的行业仍将即使在被保护
加快编程。
加速计划( ACC )
功能允许
系统对器件编程以更快的速率。
当ACC被拉高至V
HH
,器件进入
解锁旁路模式,使得用户能够减少
必要的时候做的程序操作。此功能
意在系增加工厂产量
统的生产,但也可以使用在该领域如果DE-
sired 。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV640D/Am29LV641D
2002年9月20日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理说明FBGA / FBGA封装......... 8
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表1.设备总线操作............................................ ......... 11
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 31
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 31
图6.切换位算法............................................ ............ 31
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 32
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 32
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 32
表11.写操作状态............................................ ....... 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图7.最大负过冲波形..................... 34
图8.最大正过冲波形....................... 34
VersatileIO (V
IO
)控制................................................ ..... 11
对于读阵列数据要求................................... 11
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行............................................... ....... 12
自选功能................................................ ....................... 12
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图9.我
CC1
电流与时间(显示
主动和自动休眠电流) ........................................... 36
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 36
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 13
表2扇区地址表............................................ ............ 13
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图11.测试设置............................................. ....................... 37
表12.测试规范............................................. ............ 37
自选模式................................................ ..................... 17
表3.自动选择码, (高压法) ....................... 17
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图12.输入波形和
测量级别................................................ ...................... 37
行业组保护和unprotection的............................. 18
表4.部门组保护/ unprotection的地址表..... 18
写保护( WP # ) ............................................ .................... 19
临时机构集团撤消....................................... 19
图1.临时机构集团撤消操作................ 19
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 20
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
只读操作.............................................. ............. 38
图13.读操作时序............................................ ... 38
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 39
图14.复位时序............................................. .................. 39
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 21
表5. SecSi行业目录............................................ .......... 21
擦除和编程操作.............................................. 40
图15.程序操作时序..........................................
图16.加速程序时序图..........................
图17.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图18.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图19.触发位计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
41
41
42
43
44
44
硬件数据保护............................................... ....... 21
低VCC写禁止.............................................. ....................... 21
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 22
逻辑禁止................................................ .................................. 22
上电写禁止............................................. ....................... 22
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 22
表6. CFI查询标识字符串.......................................... 22
系统接口字符串............................................... .................... 23
表8.设备几何定义............................................ .. 23
表9.主要供应商特定的扩展查询........................ 24
临时机构撤消............................................... ... 45
图21.临时机构集团撤消时序图... 45
图22.类别组保护和撤消时序图.. 46
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
读阵列数据............................................... ................. 24
复位命令................................................ ..................... 25
自选命令序列............................................ 25
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 25
Word程序命令序列..................................... 25
解锁绕道命令序列.............................................. 26
图3.程序操作............................................. ............. 26
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 47
图23.备用CE #控制的写
(擦除/编程)操作时序........................................... ... 48
芯片擦除命令序列........................................... 26
扇区擦除命令序列........................................ 27
擦除暂停/删除恢复命令........................... 27
图4.擦除操作............................................. .................. 28
命令定义................................................ ............. 29
命令定义................................................ ...................... 29
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 30
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 30
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 49
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
SSO056-56引脚紧缩小型封装( SSOP ) ...... 50
FBE063-63球细间距球栅阵列
( FBGA ) 12 ×11毫米封装.......................................... ....... 51
LAA064-64 - ball加固球栅阵列
( FBGA ) 13 ×11毫米封装.......................................... ....... 52
TS 048-48针标准TSOP .......................................... .. 53
TSR048-48引脚的反向TSOP ........................................... 54
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
2002年9月20日
Am29LV640D/Am29LV641D
3
产品选择指南
产品型号
速度选项
最大访问时间(纳秒)
CE#访问时间(纳秒)
OE #访问时间(纳秒)
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
V
CC
= 3.0–3.6 V, V
IO
= 3.0–5.0 V
V
CC
= 3.0–3.6 V, V
IO
= 1.8–2.9 V
90
90
35
90R
101R
100
100
35
Am29LV640D/Am29LV641D
120R
121R
120
120
50
框图
RY / BY # (注1 )
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
V
IO
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15
WE#
WP #
(注2 )
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A21
注意事项:
1. RY / BY #仅在FBGA封装。
2. WP #只在TSOP和SSOP封装。
4
Am29LV640D/Am29LV641D
2002年9月20日
Am29LV640D/Am29LV641D
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
22366
调整
B
修订
+8
发行日期
2002年9月20日
Am29LV640D/Am29LV641D
64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只
统一部门快闪记忆体与VersatileIO控制
特色鲜明
s
单电源工作
- 3.0到3.6伏读取,擦除和编程操作
s
VersatileIO控制
- 设备产生的输出电压和容忍数据
在DQ输入/ OUPUTS输入电压为确定
通过对V的电压
IO
s
高性能
- 存取时间快90纳秒
s
在0.23微米制程技术制造的
s
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息提供给系统,
使主机软件轻松进行重新配置
不同的闪存器件
s
SecSi (安全硅)扇形区域
- 128字界永久的,安全标识
通过一个8字随机电子序列号
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
- 访问可以通过一个命令序列
s
超低功耗( 3.0 V典型值,
5兆赫)
- 9 mA典型有效的读电流
- 25 mA典型的擦除/编程电流
- 200 nA的典型待机模式电流
s
灵活的部门架构
- 一百28 32千字行业
s
扇区保护
- 硬件方法锁定一个部门,以防止
该部门内部编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或通过编程
设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动写
并验证在指定地址的数据
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
- 高级无意写保护
s
每个部门最少百万擦除周期保证
s
封装选项
- 48引脚TSOP ( Am29LV641DH / DL只)
- 56引脚SSOP ( Am29LV640DH / DL只)
- 63球精细间距BGA ( Am29LV640DU只)
- 64 - ball加固BGA ( Am29LV640DU只)
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或
程序数据,一个sect27
- 或者说没有被擦除,然后恢复擦除
手术
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # ) ( Am29LV640DU的FBGA
包只)
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
s
WP #引脚( Am29LV641DH / DL的TSOP ,
Am29LV640DH / DL采用SSOP只)
- 在V
IL
,保护第一或最后一个32千字部门,
无论部门保护/取消保护状态
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 一个内部上拉至V
CC
提供
s
ACC引脚
- 加速编程时间为更高的吞吐量
系统在生产过程中
s
编程和擦除性能(V
HH
没有施加到
在ACC输入引脚)
- 字编程时间: 11 μs的典型
- 扇区擦除时间: 0.9秒典型的为每32 K字
扇形
出版#
22366
启:
B
Amendment/+8
发行日期:
2002年9月20日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29LV640DU / Am29LV641DU是64兆, 3.0
电压( 3.0 V至3.6 V)单电源闪存
设备组织为4,194,304字。数据显示
在DQ0 - DQ15 。该设备被设计为亲
编程在系统的标准系统3.0伏
V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不需要程序
或擦除操作。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
可用于应用程序的90和120纳秒访问时间
阳离子其中V
IO
V
CC
。的100和120的访问时间
ns的可用于应用中,其中V
IO
& LT ; V
CC
。该
器件采用48引脚TSOP , 56引脚SSOP封装, 63球
细间距BGA和64 - ball加固BGA封装。
为了消除总线争用的每个设备都有独立的
芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出恩
能( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
( 3.0 V至3.6 V ),用于读取和写入功能
系统蒸发散。内部产生,调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。解锁旁路模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未亲
编程)执行擦除操作之前。能很好地协同
次擦除自动荷兰国际集团的擦除,所述装置
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
VersatileIO
(V
IO
)控制允许主机系统
设置的电压电平,该装置产生和
容忍在CE #和DQ的I / O到相同的电压
这是断言在V电平
IO
. V
IO
有两种可用的
配置( 1.8-2.9 V和3.0-5.0 V)运行
在各种不同的系统环境中。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
针,通过阅读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6 (瓶酒
GLE )
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备,使系统微处理器的
处理器从Flash中读取引导固件的MEM
ORY设备。
该器件提供了一个
待机模式
作为节电
功能。一旦系统会将设备进
待机状态下的功耗大大降低。
SecSi (安全硅)行业
提供了一个
最小的128个字的区域代码或数据,可以是
永久保护。一旦这个行业是受保护的,
没有进一步的编程或部门内删除
可能发生。
写保护( WP # )
功能保护第一或
最后一个扇区通过产生一个逻辑低电平的WP #引脚。
受保护的行业仍将即使在被保护
加快编程。
加速计划( ACC )
功能允许
系统对器件编程以更快的速率。
当ACC被拉高至V
HH
,器件进入
解锁旁路模式,使得用户能够减少
必要的时候做的程序操作。此功能
意在系增加工厂产量
统的生产,但也可以使用在该领域如果DE-
sired 。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
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Am29LV640D/Am29LV641D
2002年9月20日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理说明FBGA / FBGA封装......... 8
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表1.设备总线操作............................................ ......... 11
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 31
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 31
图6.切换位算法............................................ ............ 31
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 32
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 32
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 32
表11.写操作状态............................................ ....... 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图7.最大负过冲波形..................... 34
图8.最大正过冲波形....................... 34
VersatileIO (V
IO
)控制................................................ ..... 11
对于读阵列数据要求................................... 11
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行............................................... ....... 12
自选功能................................................ ....................... 12
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图9.我
CC1
电流与时间(显示
主动和自动休眠电流) ........................................... 36
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 36
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 13
表2扇区地址表............................................ ............ 13
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图11.测试设置............................................. ....................... 37
表12.测试规范............................................. ............ 37
自选模式................................................ ..................... 17
表3.自动选择码, (高压法) ....................... 17
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图12.输入波形和
测量级别................................................ ...................... 37
行业组保护和unprotection的............................. 18
表4.部门组保护/ unprotection的地址表..... 18
写保护( WP # ) ............................................ .................... 19
临时机构集团撤消....................................... 19
图1.临时机构集团撤消操作................ 19
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 20
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
只读操作.............................................. ............. 38
图13.读操作时序............................................ ... 38
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 39
图14.复位时序............................................. .................. 39
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 21
表5. SecSi行业目录............................................ .......... 21
擦除和编程操作.............................................. 40
图15.程序操作时序..........................................
图16.加速程序时序图..........................
图17.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图18.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图19.触发位计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
41
41
42
43
44
44
硬件数据保护............................................... ....... 21
低VCC写禁止.............................................. ....................... 21
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 22
逻辑禁止................................................ .................................. 22
上电写禁止............................................. ....................... 22
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 22
表6. CFI查询标识字符串.......................................... 22
系统接口字符串............................................... .................... 23
表8.设备几何定义............................................ .. 23
表9.主要供应商特定的扩展查询........................ 24
临时机构撤消............................................... ... 45
图21.临时机构集团撤消时序图... 45
图22.类别组保护和撤消时序图.. 46
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
读阵列数据............................................... ................. 24
复位命令................................................ ..................... 25
自选命令序列............................................ 25
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 25
Word程序命令序列..................................... 25
解锁绕道命令序列.............................................. 26
图3.程序操作............................................. ............. 26
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 47
图23.备用CE #控制的写
(擦除/编程)操作时序........................................... ... 48
芯片擦除命令序列........................................... 26
扇区擦除命令序列........................................ 27
擦除暂停/删除恢复命令........................... 27
图4.擦除操作............................................. .................. 28
命令定义................................................ ............. 29
命令定义................................................ ...................... 29
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 30
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 30
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 49
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
SSO056-56引脚紧缩小型封装( SSOP ) ...... 50
FBE063-63球细间距球栅阵列
( FBGA ) 12 ×11毫米封装.......................................... ....... 51
LAA064-64 - ball加固球栅阵列
( FBGA ) 13 ×11毫米封装.......................................... ....... 52
TS 048-48针标准TSOP .......................................... .. 53
TSR048-48引脚的反向TSOP ........................................... 54
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
2002年9月20日
Am29LV640D/Am29LV641D
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产品选择指南
产品型号
速度选项
最大访问时间(纳秒)
CE#访问时间(纳秒)
OE #访问时间(纳秒)
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
V
CC
= 3.0–3.6 V, V
IO
= 3.0–5.0 V
V
CC
= 3.0–3.6 V, V
IO
= 1.8–2.9 V
90
90
35
90R
101R
100
100
35
Am29LV640D/Am29LV641D
120R
121R
120
120
50
框图
RY / BY # (注1 )
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
V
IO
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15
WE#
WP #
(注2 )
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A21
注意事项:
1. RY / BY #仅在FBGA封装。
2. WP #只在TSOP和SSOP封装。
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Am29LV640D/Am29LV641D
2002年9月20日
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