最终科幻
Am28F020
2兆位（ 256千×8位）
CMOS 12.0伏，整体擦除闪存
特色鲜明
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
CMOS低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 最大100 μA待机电流
- 没有数据保持功耗
s
兼容JEDEC标准的字节宽
32引脚引脚EPROM
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
s
万写/擦除周期最低
s
写入和擦除电压12.0 V
±5%
s
闩锁的保护为100 mA
-1 V到V
CC
+1 V
s
Flasherase电气批量芯片擦除
- 一个典型的第二个芯片擦除时间
s
Flashrite编程
- 10 μs的典型字节编程时间
- 4秒典型的芯片方案的时间
s
命令寄存器架构
微处理器/微控制器兼容
写接口
s
芯片上地址和数据锁存器
s
先进的CMOS闪存技术
- 低成本的单晶体管存储单元
s
自动写入/擦除脉冲停止计时器
概述
该Am28F020是2兆位闪存奥尔加
认列256 KB的每个8位。 AMD的闪存存储器
法制前提提供最具成本效益和可靠的读取/
写非易失性随机存取MEMOR年。该
Am28F020封装在32引脚PDIP ，PLCC以及
TSOP版本。它被设计成可重新编程和
删除在系统或标准EPROM编程器。
前作上午28F 020 I S时代版瓦特从母鸡中文的IP PED
该工厂。
该标准Am28F020提供快速的存取时间
为70纳秒，允许高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线conten-
化，该设备已单独的芯片使能（ CE ＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
AMD的闪存EPROM增强功能
在电路中的电擦除和编程。该
Am28F020使用命令寄存器来管理这个
功能性，同时保持了JEDEC标准的32位
管脚引出线。命令寄存器允许100 ％的TTL
电平控制输入，并在固定的电源电平
擦除和编程，同时保持最高
EPROM的兼容性。
AMD的闪存技术，可靠地保存存储器CON-
即使经过万次擦除和编程帐篷。该
AMD存储单元的设计优化了擦除和亲
编程机制。的，此外，该组合
先进的隧道氧化处理，且内部
电场的擦除和编程操作
生产可靠的自行车。该Am28F020使用
12.0±5% V
PP
提供输入以执行Flasherase
和Flashrite功能。
最高程度的闩锁保护的实现
与AMD专有的非外延工艺。闭锁亲
tection提供了一种用于压力高达100毫安
地址和数据引脚从-1至V
CC
+1 V.
该Am28F020是用10微秒字节可编程
编程脉冲按照AMD的
Flashrite规划算法。典型的房
在Am28F020温度编程时间为
四秒钟。整个芯片采用10批量删除
根据AMD的Flasherase毫秒脉冲擦除
算法。典型擦除在室温下是
实现在小于一秒。该窗口
封装，所需的EPROM中的15-20分钟
采用紫外线擦除被消除。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部的状态机，其
控制擦除和编程电路。中
写周期，命令寄存器锁存器内部
出版＃
14727
启：
F
Amendment/+2
发行日期：
1998年1月
订购信息
标准产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。在订购号（有效组合）是
通过下面的组合形成：
AM28F020
-70
J
C
B
随机处理
空白=标准处理
B
=老化测试
有关更多信息，请联系AMD的代表。
温度范围
C =商用（ 0 ° C至+ 70 ° C）
I =工业级（ -40 ° C至+ 85°C ）
E =扩展（ -55 ° C至+ 125°C ）
套餐类型
P = 32引脚塑料DIP （ PD 032 ）
J = 32引脚矩形塑料有引线芯片
载体（ PL 032 ）
E = 32引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）
标准引脚（ TS 032 ）
F = 32引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）
反向引脚（ TSR032 ）
速度选项
见产品选型指南和有效组合
设备号/说明
Am28F020
2兆位（ 256千×8位）的CMOS闪存
有效组合
AM28F020-70
AM28F020-90
AM28F020-120
AM28F020-150
AM28F020-200
PC ， PI ， PE ，
JC ， JI ，乙脑，
EC ， EI ， EE ，
FC ， FI ， FE
有效组合
有效组合列表配置计划要支持 -
海关在音量此设备。请咨询当地的AMD销售OF-
FICE ，以确认具体的有效组合的可用性和
以检查新发布的组合。
Am28F020
5
