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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第477页 > AOB416L
AOB416
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AOB416采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,直通免疫力
与体二极管的特性。此装置是理想
适合用作在CPU核心的低侧开关
功率转换。
标准产品AOB416是有铅
免费(符合ROHS &索尼259规格) 。
AOB416L是一种绿色产品订购选项。
AOB416和AOB416L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 110A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 4.5mΩ (V
GS
= 10V ) @ 30A
R
DS ( ON)
< 6.5mΩ (V
GS
= 4.5V ) @ 30A
TO-263
D2-PAK
D
顶视图
漏极连接
为制表
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
B,G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
C
最大
30
±20
110
78
200
30
140
100
50
3.1
2
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
G
B
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
8.1
33
0.84
最大
12
40
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB416
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=30A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=30A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=30A
T
J
=125°C
1.2
110
3.5
5.3
5.15
94
0.64
1
110
6060
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
638
355
0.45
96.4
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ,我
D
=30A
46.4
13.6
16
15.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=0.5,
R
=3
I
F
= 30A ,的di / dt = 100A / μs的
28.2
52.5
31
31.2
19.3
4.5
6.5
6.5
1.8
30
1
5
100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的具体的电路板设计,且最高温度
of
175℃下也可以使用,如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流,当该等级下降的包下面
极限。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
启4 : 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB416
典型的电气和热特性
60
50
40
I
D
(A)
30
20
10
0
0
2
3
4
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
1
5
10V
4.5V
3.5V
V
GS
=3V
40
I
D
(A)
125°C
30
20
10
0
1
1.5
2.5
3
3.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
2
4
25°C
60
50
V
DS
=5V
6.0
5.5
R
DS ( ON)
(m)
5.0
4.5
4.0
V
GS
=10V
3.5
3.0
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
12
V
GS
=4.5V
1.8
归一化的导通电阻
I
D
=30A
1.6
1.4
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
1.0E+02
1.0E+01
10
I
D
=30A
R
DS ( ON)
(m)
8
125°C
6
1.0E+00
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
25°C
1.0E-03
4
25°C
1.0E-04
1.0E-05
2
4
6
8
10
0.0
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
0.2
0.4
1.2
125°C
2
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB416
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
V
DS
=15V
I
D
=30A
电容(pF)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
20
40
60
80
100
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
6
4
2
1000
R
DS ( ON)
有限
100
I
D
(安培)
1ms
功率(W)的
10ms
0.1s
10
1s
10s
1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
100s
200
160
120
80
40
0
0.01
100
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
0.001
0.01
100
1000
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB416
典型的电气和热特性
120
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
T
A
=25°C
100
80
60
40
20
0
0.00001
120
100
80
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
120
100
额定电流我
D
(A)
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
功耗( W)
AOB416
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AOB416采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,直通免疫力
与体二极管的特性。此装置是理想
适合用作在CPU核心的低侧开关
功率转换。
标准产品AOB416是有铅
免费(符合ROHS &索尼259规格) 。
AOB416L是一种绿色产品订购选项。
AOB416和AOB416L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 110A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 4.5mΩ (V
GS
= 10V ) @ 30A
R
DS ( ON)
< 6.5mΩ (V
GS
= 4.5V ) @ 30A
TO-263
D2-PAK
D
顶视图
漏极连接
为制表
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
B,G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
C
最大
30
±20
110
78
200
30
140
100
50
3.1
2
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
G
B
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
8.1
33
0.84
最大
12
40
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB416
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=30A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=30A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=30A
T
J
=125°C
1.2
110
3.5
5.3
5.15
94
0.64
1
110
6060
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
638
355
0.45
96.4
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ,我
D
=30A
46.4
13.6
16
15.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=0.5,
R
=3
I
F
= 30A ,的di / dt = 100A / μs的
28.2
52.5
31
31.2
19.3
4.5
6.5
6.5
1.8
30
1
5
100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的具体的电路板设计,且最高温度
of
175℃下也可以使用,如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流,当该等级下降的包下面
极限。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
启4 : 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB416
典型的电气和热特性
60
50
40
I
D
(A)
30
20
10
0
0
2
3
4
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
1
5
10V
4.5V
3.5V
V
GS
=3V
40
I
D
(A)
125°C
30
20
10
0
1
1.5
2.5
3
3.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
2
4
25°C
60
50
V
DS
=5V
6.0
5.5
R
DS ( ON)
(m)
5.0
4.5
4.0
V
GS
=10V
3.5
3.0
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
12
V
GS
=4.5V
1.8
归一化的导通电阻
I
D
=30A
1.6
1.4
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
1.0E+02
1.0E+01
10
I
D
=30A
R
DS ( ON)
(m)
8
125°C
6
1.0E+00
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
25°C
1.0E-03
4
25°C
1.0E-04
1.0E-05
2
4
6
8
10
0.0
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
0.2
0.4
1.2
125°C
2
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB416
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
V
DS
=15V
I
D
=30A
电容(pF)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
20
40
60
80
100
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
6
4
2
1000
R
DS ( ON)
有限
100
I
D
(安培)
1ms
功率(W)的
10ms
0.1s
10
1s
10s
1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
100s
200
160
120
80
40
0
0.01
100
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
0.001
0.01
100
1000
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB416
典型的电气和热特性
120
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
T
A
=25°C
100
80
60
40
20
0
0.00001
120
100
80
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
120
100
额定电流我
D
(A)
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
功耗( W)
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