PD - 96344
汽车级
特点
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AUIRFR5410
HEXFET
功率MOSFET
D
●
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高级平面技术
P沟道MOSFET
低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
重复性雪崩中允许多达
TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D
-100V
0.205
-13A
G
S
描述
专为汽车应用，
HEXFET功率的这个蜂窝平面设计
MOSFET的采用了最新的加工技术
以实现低导通电阻每硅片面积。这
受益结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于
在汽车和各种其他的使用
应用程序。
D
S
D- PAK
AUIRFR5410
G
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
DM
漏电流脉冲
马克斯。
-13
-8.2
-52
66
0.53
± 20
194
-8.4
6.3
-5.0
-55到+ 150
300
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
c
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
雪崩电流
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
c
d
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
c
e
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
gj
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.9
50
110
单位
° C / W
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
i
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1
12/06/10
AUIRFR5410
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
-100
–––
–––
-2.0
3.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
-0.12 –––
––– 0.205
–––
-4.0
–––
–––
–––
-25
––– -250
–––
100
––– -100
V
V /°C的
V
S
μA
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -7.8A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -25V ，我
D
= -7.8A
V
DS
= -100V, V
GS
= 0V
V
DS
= -80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
f
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
58
45
46
4.5
7.5
760
260
170
58
8.3
32
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= -8.4A
V
DS
= -80V
V
GS
= -10V
V
DD
= =-50V
I
D
= -8.4A
R
G
= 9.1
R
D
= 6.2
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0MHz的
fh
ns
fh
D
G
S
nH
pF
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
h
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
130
650
-13
A
-52
-1.6
190
970
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -7.8A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -8.4A
的di / dt = 100A / μs的
f
S
fh
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 6.4mH ，R
G
= 25,
I
AS
= -7.8A 。 （参见图12）
I
SD
-7.8A ， di / dt的
200A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
,
T
J
150°C.
脉冲宽度
300s;
值班cycle 2 ％ 。
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具联络中心。
使用IRF9530N数据和试验条件。
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
R
处测得的TJ约90℃。
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