AO4948
FET1电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8.8A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=8.8A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.1
60
13.3
20
18
29
0.41
0.5
3.5
1267
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
308
118
1.3
21
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.8A
10.4
3
3.6
5.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.7,
R
根
=3
I
F
= 8.8A ，的di / dt = 300A / μs的
3.8
21.2
4.4
11.2
10.5
15
2.0
30
1600
16
25
22
1.65
民
30
0.1
20
100
2.2
典型值
最大
单位
V
mA
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管+肖特基连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8.8A ，的di / dt = 300A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板2盎司
铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
启3 ： 2010年12月
www.aosmd.com
第2页8
AO4948
FET 1 ：典型的电和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=8.8A
8
电容（pF）
V
GS
（伏）
1500
C
国际空间站
2000
6
1000
C
OSS
500
4
2
C
RSS
0
15
20
25
（伏）
图8 ：电容特性
DS
0
0
10
15
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
25
0
5
10
V
30
100.0
1000
R
DS （ ON）
有限
10s
功率（W）的
100s
1ms
10ms
T
A
=25°C
10.0
100
I
D
（安培）
1.0
10
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
10s
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注F）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
0.001
启3 ： 2010年12月
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第4页8
AO4948
FET2电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
民
30
1
典型值
最大
单位
V
5
10
1.2
40
15.5
19
25
28
1
2.5
600
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
77
50
0.5
12
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=8A
6
2
2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= 8A ， di / dt的= 500A / μs的
1in
2
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±16V
A
A
V
A
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
I
S
=1A,V
GS
=0V
1.8
2.4
21
18.6
30
0.75
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
740
110
82
1.1
15
7.5
2.5
3
5
3.5
19
3.5
6
14
8
18
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
888
145
115
1.7
18
9
3
5
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8A ， di / dt的= 500A / μs的
10
22
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板2盎司
铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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第5页8
AO4948
30V双N沟道MOSFET
概述
该AO4948采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。两个MOSFET
使一个紧凑和高效的开关和同步整流器的组合中的DC- DC转换器的使用。一
单片集成肖特基二极管并联同步MOSFET ，以进一步提高效率。
特点
FET1(N-Channel)
V
DS
= 30V
I
D
= 8.8A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 16米
< 22米
(V
GS
=10V)
(V
GS
=4.5V)
FET2(N-Channel)
30V
8A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 19米
< 28米
(V
GS
=10V)
(V
GS
=4.5V)
顶视图
S1
G1
S2
G2
D1
D1
D2
D2
SRFET
TM
软恢复
MOSFET ：
集成肖特基二极管
D1
D2
G2
G1
S1
S2
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
参数
符号
最大FET1
漏源电压
V
DS
30
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
最大FET2
30
±20
8
6.5
40
13
25
2
1.3
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
C
±20
8.8
7.1
60
21
66
2
1.3
-55到150
I
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
雪崩能量L = 0.3mH
功耗
B
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/8
www.freescale.net.cn
AO4948
30V双N沟道MOSFET
FET1电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8.8A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=8.8A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.1
60
13.3
20
18
29
0.41
0.5
3.5
1267
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
308
118
1.3
21
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.8A
10.4
3
3.6
5.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.7,
R
根
=3
I
F
= 8.8A ，的di / dt = 300A / μs的
3.8
21.2
4.4
11.2
10.5
15
2.0
30
1600
16
25
22
1.65
民
30
0.1
20
100
2.2
典型值
最大
单位
V
mA
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管+肖特基连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8.8A ，的di / dt = 300A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板2盎司
铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
2/8
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AO4948
30V双N沟道MOSFET
FET 1 ：典型的电和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=8.8A
8
电容（pF）
V
GS
（伏）
1500
C
国际空间站
2000
6
1000
C
OSS
500
4
2
C
RSS
0
15
20
25
（伏）
图8 ：电容特性
DS
0
0
10
15
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
25
0
5
10
V
30
100.0
1000
R
DS （ ON）
有限
10s
功率（W）的
100s
1ms
10ms
T
A
=25°C
10.0
100
I
D
（安培）
1.0
10
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
10s
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注F）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
0.001
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30V双N沟道MOSFET
FET2电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
民
30
1
典型值
最大
单位
V
5
10
1.2
40
15.5
19
25
28
1
2.5
600
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
77
50
0.5
12
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=8A
6
2
2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= 8A ， di / dt的= 500A / μs的
1in
2
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±16V
A
A
V
A
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
I
S
=1A,V
GS
=0V
1.8
2.4
21
18.6
30
0.75
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
740
110
82
1.1
15
7.5
2.5
3
5
3.5
19
3.5
6
14
8
18
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
888
145
115
1.7
18
9
3
5
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8A ， di / dt的= 500A / μs的
10
22
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板2盎司
铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
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