【单通道， 1024位数字变阻器与我2C接口和50 -TP存储器AD5175特点单通道， 1024位分】,IC型号AD5175BCPZ-10-RL7,AD5175BCPZ-10-RL7 PDF资料,AD5175BCPZ-10-RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

单通道， 1024位数字变阻器

与我

C接口和50 -TP存储器

AD5175

特点

单通道， 1024位分辨率

10 kΩ的标称阻值

50次可编程（ 50 -TP ）雨刮器内存

变阻器模式下的温度系数为35ppm /°C的

2.7 V至5.5 V单电源供电

±2.5 V至± 2.75 V双电源供电的交流或双极性

操作

I C兼容接口

雨刮器设定和回读记忆

电源从内存刷新

电阻容差存储在存储器中

超薄LFCSP封装， 10引脚3 mm × 3毫米×0.8毫米封装

紧凑型MSOP和10引脚3 mm × 4.9毫米×1.1倍mm封装

功能框图

POWER- ON

RESET

AD5175

SCL

SDA

ADDR

RESET

串行

接口

RDAC

50-TP

内存

块

EXT_CAP

GND

应用

机械变阻器的替代品

运算放大器：可变增益控制

仪器仪表：增益，偏移调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

可编程电源

传感器校准

图1 。

概述

的AD5175是单通道， 1024位数字变阻器

它结合业界领先的可变电阻性能

与非易失性存储器（ NVM）在一个紧凑的封装。

该器件支持在± 2.5 V双电源操作

± 2.75 V单电源工作在2.7 V至5.5 V ，并提供

50次可编程（ 50 -TP ）存储器。

该AD5175器件游标设置可通过

C兼容数字接口。无限制调整是

电阻值编程进前允许

50 -TP存储器。在AD5175不需要任何外部

电压供给，以促进熔丝熔断并有50 oppor-

tunities永久编程。在50 - TP激活，

一个永久熔断保险丝命令冻结的阻力位置

（类似于将环氧树脂上的机械变阻器）。

在AD5175可在3毫米× 3毫米10引脚LFCSP封装

封装和10引线MSOP封装。该部分是有保证

以工作在扩展工业级温度范围

-40 ° C至+ 125°C 。

第0版

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08719-001

AD5175

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

电气特性................................................ ............. 3

接口时序规格............................................... ... 4

绝对最大额定值............................................... ............. 6

热阻................................................ ...................... 6

ESD注意事项................................................ .................................. 6

引脚配置和功能说明............................. 7

典型性能特征............................................. 8

测试电路................................................ ..................................... 11

工作原理............................................... ....................... 12

串行数据接口............................................... .................... 12

移位寄存器................................................ ............................... 12

写操作................................................ .......................... 13

读操作................................................ ........................... 15

RDAC注册................................................ ............................ 16

50 -TP内存块............................................. ................... 16

写保护................................................ ......................... 16

50 -TP存储器写应答查询.......................... 18

复位................................................. ............................................ 18

关断模式................................................ ......................... 18

RDAC结构................................................ .................... 18

编程可变电阻......................................... 18

EXT_CAP电容................................................ .................. 19

终端电压工作范围......................................... 19

上电排序.............................................. ..................... 19

外形尺寸................................................ ....................... 20

订购指南................................................ .......................... 20

修订历史

3月10日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第20页2

AD5175

特定网络阳离子

电气特性

= 2.7 V至5.5 V ，V

= 0 V; V

= 2.5 V至2.75 V ，V

= -2.5 V至-2.75 V ; -40°C <牛逼

< + 125 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

直流特性，变阻器模式

决议

电阻积分非线性

2, 3

符号

测试条件/评论

民

2.5

±15

F = 1MHz时，测量到GND ，代码=满量程的一半

= V

典型值

最大

单位

位

最低位

PPM /°C的

R- INL

| = 3.6 V至5.5 V

| = 3.3 V至3.6 V

| = 2.7 V至3.3 V

电阻微分非线性

标称电阻容差

电阻温度COEF网络cient

4, 5

滑动端电阻

电阻端子

终端电压范围

4, 6

电容

电容W

共模漏电流

数字输入

输入逻辑

高

低

输入电流

输入电容

数字输出

输出电压

高

低

R- DNL

代码=满量程

代码=零刻度

TERM

+1.5

+2.5

INH

INL

2.0

0.8

±1

μA

PULL -UP

= 2.2 kΩ到V

PULL -UP

= 2.2 kΩ到V

= 2.7 V至5.5 V ，V

= 0 V

= 2.5 V至2.75 V ，V

= -2.5 V至-2.75 V

0.1

0.4

0.6

μA

500

μA

μW

三态泄漏电流

输出电容

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

电源电流

积极

负

50 -TP店电流

4, 7

积极

负

50 -TP读取电流

4, 8

积极

负

功耗

电源抑制比

= 0 V

2.7

±2.5

5.5

±2.75

DD_OTP_STORE

SS_OTP_STORE

DD_OTP_READ

SS_OTP_READ

DISS

PSRR

500

= V

或V

= GND

ΔV

/ΔV

= ±5 V ± 10%

5.5

第0版|第20页3

AD5175

参数

动态特性

4, 10

带宽

总谐波失真

电阻噪声密度

符号

测试条件/评论

-3分贝，R

= 5 kΩ的，终端W，见图23

= 1 V RMS， F = 1千赫，R

= 5 kΩ

= 5 kΩ的，T

= 25 ° C，F = 10千赫

民

典型值

700

最大

单位

千赫

纳伏/赫兹÷

典型规格代表平均读数为25 ° C，V

= 5V ，和V

= 0 V.

电阻位置非线性误差（R- INL）是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差

位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。

在每个码的最大电流由I定义

= (V

1)/R

通过设计保证，不受生产测试。

参见图8的更多细节。

电阻端子A和电阻端W无极性限制，相对于对方。双电源供电使接地参考的双极

信号调整。

不同的工作电流;供电电流的保险丝节目持续约55毫秒。

不同的工作电流;供电电流的保险丝读大约持续500纳秒。

DISS

从（我计算

× V

) + (I

× V

所有的动态特性采用V

= +2.5 V, V

= 2.5 V.

接口时序规范

= 2.7 V至5.5 V ;所有规格牛逼

民

给T

最大

中，除非另有说明。

表2中。

参数

SCL 2

条件

标准模式

快速模式

标准模式

快速模式

标准模式

快速模式

标准模式

快速模式

标准模式

快速模式

标准模式

快速模式

标准模式

快速模式

高速模式

标准模式

快速模式

标准模式

快速模式

标准模式

快速模式

标准模式

快速模式

标准模式

快速模式

标准模式

快速模式

SP 3

EXEC 4,5

标准模式

快速模式

复位脉冲时间

快速模式

在T限制

民

, T

最大

民

最大

100

400

0.6

4.7

1.3

250

100

3.45

0.9

4.7

0.6

160

4.7

1.3

0.6

1000

300

1000

300

1000

300

500

单位

千赫

μs

描述

串行时钟频率

高

， SCL高电平时间

高

， SCL高电平时间

低

， SCL低电平时间

低

， SCL低电平时间

SU ; DAT

，数据建立时间

SU ; DAT

，数据建立时间

HD ; DAT

，数据保持时间

HD ; DAT

，数据保持时间

SU ; STA

，建立时间为一个重复起始条件

SU ; STA ，

建立时间重复起始条件

HD ; STA

，保持时间（重复）启动条件

HD ; STA

，保持时间（重复）启动条件

HD ; STA

，保持时间（重复）启动条件

BUF

，总线空闲时间停止和启动条件之间

BUF

，总线空闲时间停止和启动条件之间

SU ; STO

，建立时间为停止条件

SU ; STO

，建立时间为停止条件

RDA

，上升的SDA信号的时间

RDA

，上升的SDA信号的时间

FDA

，属于SDA信号的时间

FDA

，属于SDA信号的时间

RCL

，上升了SCL信号的时间

RCL

，上升了SCL信号的时间

RCL1

之后重复起始条件上升了SCL信号的时间

和一个应答位

RCL1

之后重复起始条件上升了SCL信号的时间

和一个应答位

整箱

，落下SCL信号的时间

整箱

，落下SCL信号的时间

最小复位低电平时间

尖峰脉冲宽度被抑制

命令执行时间

11A

第0版|第20页4

AD5175

参数

RDAC_R - PERF

RDAC_NORMAL

MEMORY_READ

MEMORY_PROGRAM

RESET

POWER- UP 6

条件

在T限制

民

, T

最大

民

最大

600

350

600

单位

μs

描述

RDAC寄存器写入命令执行的时间（ R- PERF模式）

RDAC寄存器写入命令执行的时间（正常模式）

记忆回读执行时间

存储器中的程序时间

复位50 -TP的恢复时间

上电50 -TP的恢复时间

最大总线电容限制在400 pF的。

SDA和SCL定时的测量条件使能输入端的过滤器。关断输入滤波器提高了传输速率，但对EMC性能有负面影响

零件。

输入在SCL和SDA输入滤波抑制噪声尖峰是小于50 ns的快速模式。

请参阅吨

RDAC_R - PERF

和T

RDAC_NORMAL

对于RDAC寄存器的写操作。

请参阅吨

MEMORY_READ

和T

MEMORY_PROGRAM

内存命令操作。

V之后的最长时间

等于2.5V。

移位寄存器和时序图

DB9 （MSB）

DB0 （ LSB ）

控制位

图2.移位寄存器的内容

SCL

SDA

08719-003

数据位

RESET

08719-002

图3. 2线I

时序图

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